Pamięci FLASH (wyszukane: 261)
Produkt | Koszyk |
Producent
|
Architektura
|
Pamięć FLASH
|
Zakres napięcia zasilania
|
Częstotliwość
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AT49BV322D-70TU
8/16-bit Memory IC; 4MB-FL; 2,65~3,6V; 5MHz; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
Atmel Symbol Producenta: AT49BV332D-70TU RoHS Obudowa dokładna: TSOP48 |
Stan magazynowy:
2 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
MICROCHIP | 8/16-bit | 4MB | 2,65~3,6V | 5,000MHz | -40°C ~ 85°C | TQFP48 | ||||||||||||
BY25Q32BSSIG
32Mb-FLASH Memory IC; x8-bit; 2,7~3,6V; 108MHz; Quad SPI; -40÷85°C; Zamiennik dla: W25Q32BVSSIG; W25Q32FVSSIG, W25Q32JVSSIQ, GD25Q32BSIG, EN25Q32B-104HIP
|
||||||||||||||||||||
Producent:
BOYAMICRO Symbol Producenta: BY25Q32BSSIG RoHS Obudowa dokładna: SOP08W |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
BOYAMICRO | 8-bit | 4MB | 2,7~3,6V | 108MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
BY25Q64ASSIG
64Mb-FLASH Memory IC; x8-bit; 2,7~3,6V; 120MHz; Quad SPI; -40÷85°C; Zamiennik dla: W25Q64CVSSIG, W25Q64FVSSIG, W25Q64JVSSIQ, GD25Q64BSIG, EN25Q64-104HIP
|
||||||||||||||||||||
Producent:
BOYAMICRO Symbol Producenta: BY25Q64ASSIG RoHS Obudowa dokładna: SOP08Wt/r |
Stan magazynowy:
38 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
BOYAMICRO | 8-bit | 8MB | 2,7~3,6V | 120MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
EN25F16-100HIP
8-bit Memory IC; 2MB-FL; 2,7~3,6V; 100MHz; SPI; -40÷85°C
|
||||||||||||||||||||
Producent:
EON Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: EN25F16-100HIP RoHS Obudowa dokładna: SOP08W |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 30 Ilość (wielokrotność 1) |
EON | 8-bit | 2MB | 2,7~3,6V | 100MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
EN25F40A-104GIP
8-bit Memory IC; 512kB-FL; 2,7~3,6V; 100MHz; SPI; -40÷85°C
|
||||||||||||||||||||
Producent:
EON Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: EN25F40A-104GIP RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
22 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
EON | 8-bit | 512kB | 2.7~3.6V | 100MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08 | ||||||||||||
EN25QH128A-104HIP2T
128Mb-FLASH Memory IC; x8-bit; 2,7~3,6V; 104MHz; Quad SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
EON | 8-bit | 16kB | 2,7~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
EN25QH16-104HIP EON
8-bit Memory IC; 2MB-FL; 2,7~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 90/180 Ilość (wielokrotność 1) |
EON | 8-bit | 2MB | 2,7~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-05-31
Ilość szt.: 160
|
|||||||||||||||||||
EN25QH64A-104HIP SOIC08
8-bit Memory IC; 8kB-FL; 2,7~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C Podobny do: SST26VF064BT-104I/SM; EN25QH64A-104HIP TR;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2840 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 90 Ilość (wielokrotność 1) |
EON | 8-bit | 8kB | 2,7~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOIC08 | ||||||||||||
Producent:
ESMT Symbol Producenta: EN25QH64A-104HIP TR RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r |
Stan magazynowy:
429 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
EON | 8-bit | 8kB | 2,7~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOIC08 | ||||||||||||
EN29GL128H-70ZIP EON
8-bit Memory IC; 16kB-FL; 2,7~3,6V; 70MHz; SPI; -40÷85°C
|
||||||||||||||||||||
Producent:
EON Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: EN29GL128H-70ZIP RoHS Obudowa dokładna: TSOP56 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
EON | 8-bit | 16kB | 2,7~3,6V | 70MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP56 | ||||||||||||
IS25LP016D-JNLE ISSI
8-bit Memory IC; 2MB-FL; 2,3~3,6V; 133MHz; SPI; -40÷105°C; Odpowiednik: IS25LP016D-JNLE IS25LP016D-JNLE-TR
|
||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS25LP016D-JNLE RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
34 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 8-bit | 2,3~3,6V | 133MHz | -40°C ~ 105°C | SOP08 | |||||||||||||
IS25LP032D-JBLE
8-bit Memory IC; 4MB-FL; 2,3~3,6V; 133MHz; SPI; -40÷105°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
85 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 90 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 8-bit | 4MB | 2,3~3,6V | 133MHz | -40°C ~ 105°C | SOP08 | ||||||||||||
IS25LP032D-JNLE
Serial FLASH; Multi I/O Int.; 32Mbit (4M x 8-bit); 133MHz; 2,3V~3,6V; -40°C~105°C; Odpowiednik: IS25LP032D-JNLE-TR;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 4M x 8 | 32MB | 2,3V ~ 3,6V | 133MHz | -40°C ~ 105°C | SOP08 | ||||||||||||
IS25LP064A-JLLE
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 2.5V/3V/3.3V 64M-bit 8M x 8 8ns 8-Pin WSON EP IS25LP064A-JLLE-TR
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 8M x 8 | 64MB | 2,3V ~ 3,6V | 133MHz | -40°C ~ 105°C | WSON08 | ||||||||||||
IS25LP080D-JNLE
8-bit Memory IC; 8MB-FL; 2,7~3,6V; 133MHz; SPI; -40÷105°C; Odpowiednik: IS25LP080D-JNLE-TR
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 8-bit | 1MB | 2,7~3,6V | 133MHz | SOP08 | |||||||||||||
IS25LP128-JBLE
8-bit Memory IC; 8MB-FL; 2,7~3,6V; 133MHz; SPI; -40÷105°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS25LP128-JBLE RoHS Obudowa dokładna: SOP08Wt/r |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 8-bit | 8MB | 2,7~3,6V | 133MHz | -40°C ~ 105°C | SOP08W | ||||||||||||
IS25LP128-JMLE ISSI
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 8ns
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
44 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 44 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||
JS28F128J3F75A
8-bit Memory IC; 16MB-FL; 2,7~3,6V; 33MHz; SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: JS28F128J3F75A RoHS Obudowa dokładna: TSOP56 |
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 16MB | 2,7~3,6V | 33MHz | -40°C ~ 85°C | TSSOP56 | ||||||||||||
JS28F128M29EWLA
8-bit Memory IC; 16MB-FL; 2,7~3,6V; 33MHz; SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
22 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 22 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 2MB | 2,7~3,6V | 33MHz | -40°C ~ 85°C | TSSOP56 | ||||||||||||
Stan magazynowy:
18 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 18 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 2MB | 2,7~3,6V | 33MHz | -40°C ~ 85°C | TSSOP56 | ||||||||||||
JS28F128P33TF70A
8-bit Memory IC; 16MB-FL; 2,3~3,6V; 40MHz; SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: JS28F128P33TF70A RoHS Obudowa dokładna: TSOP56 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 16MB | 2,3~3,6V | 40,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP56 | ||||||||||||
JS28F256P33BFE
8-bit Memory IC; 32MB-FL; 2,3~3,6V; 52MHz; SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 32MB | 2,3~3,6V | 52MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP56 | ||||||||||||
JS28F320J3F75A
8-bit Memory IC; 32MB-FL; 2,3~3,6V; 52MHz; SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: JS28F320J3F75A RoHS Obudowa dokładna: TSOP56 |
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 14 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 32MB | 2,3~3,6V | 52MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP56 | ||||||||||||
JS28F512M29EWHA
8/16-bit Memory IC; 64MB-FL; 2,3~3,6V; 13MHz; SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
16 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 16 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8/16-bit | 64MB | 2,3~3,6V | 13,0000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP56 | ||||||||||||
JS28F640J3F75A
8/16-bit Memory IC; 8MB-FL; 2,7~3,6V; 33MHz; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: JS28F640J3F75A RoHS Obudowa dokładna: TSOP56 |
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8/16-bit | 8MB | 2,7~3,6V | 33MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP56 | ||||||||||||
K9F1G08U0D-SIB0
8/16-bit Memory IC; 16MB-FL; 2,7~3,6V; 1MHz; -40÷85°C; Odpowiednik: NAND01GW3B2CN6E, S34ML01G100TFI000, S34ML01G200TFI000
|
||||||||||||||||||||
Producent:
SPANSION Symbol Producenta: S34ML01G100TFI000 RoHS Obudowa dokładna: TSOP48 |
Stan magazynowy:
14 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 14 Ilość (wielokrotność 1) |
Spansion | 8-bit | 16MB | 2,7~3,6V | 1,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||||||||
K9F2G08U0A-PCB0
8-bit Memory IC; 32MB-FL; 2,7~3,6V; 1MHz; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Samsung | 8-bit | 32MB | 2,7~3,6V | 1,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||||||||
S34ML04G100TFI000
8/16-bit Memory IC; 256MB-FL; 2,7~3,6V; 1MHz; -40÷85°C; Odpowiednik: NAND04GW3B2DN6E, K9F4G08U0A-PIB0
|
||||||||||||||||||||
Producent:
SPANSION Symbol Producenta: S34ML04G100TFI000 RoHS Obudowa dokładna: TSOP48 |
Stan magazynowy:
7 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Spansion | 8/16-bit | 256MB | 2,7~3,6V | 1,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||||||||
K9G8G08U0A-PCB0 SAMSUNG
8-bit Memory IC; 1GB-FL; 2,7~3,6V; 1MHz; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
Samsung Symbol Producenta: K9G8G08U0A-PCB0 RoHS Obudowa dokładna: TSOP48 |
Stan magazynowy:
2 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 6 Ilość (wielokrotność 1) |
Samsung | 8-bit | 1GB | 2,7~3,6V | 1,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||||||||
K9K8G08U0B-PIB0
8-bit Memory IC; 1GB-FL; 2,7~3,6V; 1MHz; -40÷85°C; Odpowiednik: NAND08GW3C2BN6E, S34ML08G101TFI000, S34ML08G101TFI200, S34ML08G101TFI203 TH58NVG3S0HTA0_TRAY TH58NVG3S0HTAI0_TRAY
|
||||||||||||||||||||
Producent:
SPANSION Symbol Producenta: S34ML08G101TFI200 RoHS Obudowa dokładna: TSOP48 |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
Spansion | 8-bit | 1MB | 2,7~3,6V | 1,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TH58NVG3S0HTA00_TRAY RoHS Obudowa dokładna: TSOP48 |
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
Spansion | 8-bit | 1MB | 2,7~3,6V | 1,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||||||||
K9K8G08U0D-SCB0
8-bit Memory IC; 1GB-FL; 2,7~3,6V; 1MHz; -40÷85°C Zamiennik dla: K9K8G08U0B-PCB0.
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
11 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 32 Ilość (wielokrotność 1) |
Samsung | 8-bit | 1MB | 2,7~3,6V | 1,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||||||||
KLM8G1GETF-B041
8GB-eMMC 5.1 Memory IC, x1-bit; 2,7~3,6V; 200MHz; -25÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
SAMSUNG | 1-bit | 8GB | 2.7~3.6V | 200MHz | -25°C ~ 85°C | FBGA153 |
Pamięci FLASH
Wiele współczesnych urządzeń jest wyposażonych w pamięć FLASH, która pozwala przechowywać nawet duże zasoby danych. Wykorzystuje się ją w sprzętach komputerowych, fotograficznych, smartfonach oraz innych urządzeniach elektronicznych, które wymagają posiadania dodatkowego nośnika informacji. Rodzaj pamięci FLASH ma ogromne znaczenie dla wydajności poszczególnych podzespołów, dlatego warto postawić na sprawdzone rozwiązania od najlepszych dostawców.
Pamięci FLASH – nośniki danych o dużej pojemności
Urządzenia, które przetwarzają duże ilości danych, często dysponują zbyt małą pojemnością dysku, aby przechowywać wszystkie informacje. Rozbudowa układu o dodatkową pamięć FLASH może znacząco zwiększyć dostępne miejsce do gromadzenia plików o dużym rozmiarze. Jest to typ pamięci nieulotnej, którą można nadpisywać i modyfikować elektronicznie. W przeciwieństwie do pamięci EEPROM usuwanie i zapisywanie przeprowadza się zbiorczo, co przekłada się na lepszą wydajność pracy. Zaletą pamięci FLASH jest również to, że można na niej przechowywać ogromne zasoby informacji, gdyż podzespoły dostępne są o pojemności nawet 16 GB.
Pamięć FLASH w elektronice – zastosowanie w praktyce
Technologia pamięci FLASH jest obecnie standardem stosowanym w wielu urządzeniach do użytku prywatnego i przemysłowego. Wykorzystuje się ją jako nośnik danych w:
- tabletach,
- smartfonach,
- komputerach,
- telewizorach,
- odtwarzaczach muzyki,
- systemach bezpieczeństwa,
- dekoderach cyfrowych,
- urządzeniach sieciowych i komunikacyjnych.
Pamięć FLASH w elektronice znajdzie również zastosowanie w przypadku projektowania nowych układów, w których potrzebne jest zastosowanie niestandardowych rozwiązań.
FLASH – pamięć
Asortyment naszej hurtowni internetowej obejmuje szeroki wybór produktów, wśród których znajdziesz mikrokontrolery i pamięci o różnych parametrach. Wszystkie artykuły pochodzą od czołowych producentów, co gwarantuje ich najwyższą jakość i niezawodność. Jeśli chodzi o technologię FLASH, pamięć jest dostępna w wielu opcjach, które różnią się:
- architekturą,
- zakresem napięcia zasilania,
- temperaturą pracy,
- rodzajem obudowy.
Zapraszamy do złożenia zamówienia i zapoznania się z pozostałym asortymentem naszej hurtowni.