Pamięci FLASH (wyszukane: 262)
Produkt | Koszyk |
Producent
|
Architektura
|
Pamięć FLASH
|
Zakres napięcia zasilania
|
Częstotliwość
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
M29W160EB70N6E
8/16-bit Memory IC; 1MB-FL; 2,7~3,6V; 6MHz; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
39 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8/16-bit | 1MB | 2.7~3.6V | 6,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||||||||
M29W800DB70N6 temp.
8/16-bit Memory IC; 512kB-FL; 2,7~3,6V; 6MHz; -40÷85°C; Odpowiednik: M29W800DB70N6E
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 1 Ilość (wielokrotność 1) |
STMicroelectronics | 8/16-bit | 512kB | 2,7~3,6V | 6,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||||||||
Stan magazynowy:
19 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 19 Ilość (wielokrotność 1) |
STMicroelectronics | 8/16-bit | 512kB | 2,7~3,6V | 6,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: M29W800DB70N6 Pbf Obudowa dokładna: TSOP48 |
Stan magazynowy:
8 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 96/500 Ilość (wielokrotność 1) |
STMicroelectronics | 8/16-bit | 512kB | 2,7~3,6V | 6,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: M29W800DB70N6E RoHS Obudowa dokładna: TSOP48 |
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 96/576 Ilość (wielokrotność 1) |
STMicroelectronics | 8/16-bit | 512kB | 2,7~3,6V | 6,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: M29W800DB70N6 Pbf Obudowa dokładna: TSOP48 |
Stan magazynowy:
11 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 11 Ilość (wielokrotność 1) |
STMicroelectronics | 8/16-bit | 512kB | 2,7~3,6V | 6,000MHz | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||||||||
MT25QL512ABB1EW9-0SIT TR
NOR Flash Serial-SPI; 133MHz; 8ms; SPI; 512MB (64M x 8); 2,7V~3,6V; -40°C~85°C; MT25QL512ABB1EW9-0SIT TR; MT25QL512ABB1EW9-0SIT;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
MICRON | 8-bit | 512MB | 2,7V ~ 3,6V | 133MHz | -40°C ~ 85°C | WDFN08 | ||||||||||||
MT25QU128ABA1EW9-0SIT Micron Technology Inc.
8-bit Memory IC; 16MB-FL; 1,7~2,0V; 166MHz; SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT25QU128ABA1EW9-0SIT RoHS Obudowa dokładna: WPDFN08 |
Stan magazynowy:
1 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 16MB | 1,7~2,0V | 166MHz | -40°C ~ 85°C | WPDFN08 | ||||||||||||
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A MICRON
8-bit Memory IC; 16GB-FL; 2,7~3,6V; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 16GB | 2,7~3,6V | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | |||||||||||||
MT29F16G08AJADAWP-IT:D MICRON
8-bit Memory IC; 2GB-FL; 2,7~3,6V; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 2GB | 2,7~3,6V | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | |||||||||||||
MT29F1G08ABADAH4-IT:D MICRON
8-bit Memory IC; 1GB-FL; 2,7~3,6V; -40÷85°C; Odpowiednik: MT29F1G08ABADAH4-ITX:D MT29F1G08ABADAH4:D
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT29F1G08ABADAH4-IT:D RoHS Obudowa dokładna: VFBGA63(9x11) |
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 1GB | 2.7~3.6V | -40°C ~ 85°C | VFBGA63(9x11) | |||||||||||||
MT29F1G08ABBDAH4:D MICRON
8-bit Memory IC; 128MB-FL; 1,7~1,95V; 0°C÷70°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
22 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 128MB | 1.7~1.95V | 0°C ~ 70°C | VFBGA63(9x11) | |||||||||||||
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
8-bit Memory IC; 256MB-FL; 2.7~3.6V; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 256MB | 2,7~3,6V | -40°C ~ 85°C | VFBGA63(9x11) | |||||||||||||
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
8-bit Memory IC; 256MB-FL; 2,7~3,6V; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
7 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 256MB | 2.7~3.6V | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | |||||||||||||
MT29F2G08ABAEAWP:E
8-bit Memory IC; 256MB-FL; 2,7~3,6V; 0°C÷70°C; Odpowiednik: MC29F2G08ABAEAWP:E TR
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 256MB | 2,7~3,6V | 0°C ~ 70°C | TSOP48 | |||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 256MB | 2,7~3,6V | 0°C ~ 70°C | TSOP48 | |||||||||||||
MT29F2G08ABAFAH4-IT:F
8-bit Memory IC; 256MB-FL; 2,7~3,6V; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT29F2G08ABAFAH4-IT:F RoHS Obudowa dokładna: VFBGA63(9x11) |
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 256MB | 2,7~3,6V | -40°C ~ 85°C | VFBGA63(9x11) | |||||||||||||
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E
8-bit Memory IC; 256MB-FL; 1,7~1,95V; -40÷85°C; Odpowiednik: MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR MT29F2G08ABBEAHC-IT:ETR
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 256MB | 1.7~1.95V | -40°C ~ 85°C | VFBGA63(9x11) | |||||||||||||
MT29F2G16ABAEAWP-IT:E
16-bit Memory IC; 128MB-FL; 2,7~3,6V; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT29F2G16ABAEAWP-IT:E RoHS Obudowa dokładna: TSOP48 |
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 16-bit | 128MB | 2.7~3.6V | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | |||||||||||||
MT29F4G08ABADAH4:D
8-bit Memory IC; 512MB-FL; 2,7~3,6V; 0÷70°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT29F4G08ABADAH4:D RoHS Obudowa dokładna: VFBGA63(9x11) |
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 512MB | 2.7÷3.6V | 0°C ~ 70°C | VFBGA63(9x11) | |||||||||||||
MT29F4G08ABADAWP-IT:D
8-bit Memory IC; 512MB-FL; 2,7~3,6V; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 512MB | 2.7~3.6V | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | |||||||||||||
MT29F4G08ABADAWP:D
8-bit Memory IC; 512MB-FL; 2,7~3,6V; 0÷70°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 512MB | 2.7~3.6V | 0°C ~ 70°C | TSOP48 | |||||||||||||
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
8-bit Memory IC; 512MB-FL; 2,7~3,6V; -40÷85°C; MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR; MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 512MB | 2,7~3,6V | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | |||||||||||||
MT29F4G08ABAEAWP:E
8-bit Memory IC; 512MB-FL; 2,7~3,6V; 0÷70°C; MT29F4G08ABAEAWP:E TR
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 512MB | 2,7~3,6V | 0°C ~ 70°C | TSOP48 | |||||||||||||
MT29F8G08ADBDAH4-IT:D
8-bit Memory IC; 1GB-FL; 1,7~1,95V; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 6 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 1GB | 1.7~1.95V | -40°C ~ 85°C | VFBGA63(9x11) | |||||||||||||
MT29F8G08MADWC:D Micron
8-bit Memory IC; 1GB-FL; 2,7~3,6V; 0÷70°C;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 1GB | 2.7~3.6V | 0°C ~ 70°C | TSOP48 | |||||||||||||
MT29F8G16ADBDAH4IT:D MICRON
16-bit Memory IC; 512MB-FL; 1,7~1,95V; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT29F8G16ADBDAH4-IT:D RoHS Obudowa dokładna: VFBGA63(9x11) |
Stan magazynowy:
2 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 16-bit | 512MB | 1, 7~1, 95V | -40°C ~ 85°C | VFBGA63(9x11) | |||||||||||||
MX25L12835FM2I-10G
8-bit Memory IC; 16Mb-FL; 2,7~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: MX25L12835FM2I-10G/T&R MX25L12835FM2I-10G/TRAY; MX25L12835FM2I-10G/TUBE;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MACRONIX Symbol Producenta: MX25L12835FM2I-10G/TUBE RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
2 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
Macronix | 8-bit | 16MB | 2,7~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08 | ||||||||||||
MX25L1606EM1I-12G
8-bit Memory IC; 2Mb-FL; 2,7~3,6V; 86MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: MX25L1606EM1I-12G/TUBE
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MACRONIX Symbol Producenta: MX25L1606EM1I-12G RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
57 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
Macronix | 8-bit | 2MB | 2,7~3,6V | 86MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08 | ||||||||||||
MX25L3233FM2I-08G
FLASH - NOR Memory IC 32Mb (8M x 4) SPI - Quad I/O 133MHz Odpowiednik: MX25L3233FM2I-08G/TUBE; MX25L3233FM2I-08GT/R; MX25L3233FM2I-08G/TRAY; MX25L3233FM2I-08G/T&R;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
MACRONIX | 8M x 4 | 32MB | 2,65V ~ 3,6V | 133MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08 | ||||||||||||
MX25L3235EM2I-10G
8-bit Memory IC; 4Mb-FL; 2,7~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: MX25L3235EM2I-10G/TUBE
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MACRONIX Symbol Producenta: MX25L3235EM2I-10G RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
92 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 92 Ilość (wielokrotność 1) |
Macronix | 8-bit | 4MB | 2.7~3.6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08 | ||||||||||||
MX25L4006EM1I-12G
8-bit Memory IC; 512kB-FL; 2,7~3,6V; 86MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: MX25L4006EM1I-12G/T&R MX25L4006EM1I-12G/TUBE
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MACRONIX Symbol Producenta: MX25L4006EM1I-12G RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 98 Ilość (wielokrotność 1) |
Macronix | 8-bit | 512kB | 2.7~3.6V | 86MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08 | ||||||||||||
MX25L4006EZUI-12G
8-bit Memory IC; 512kB-FL; 2,7~3,6V; 86MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: MX25L4006EZUI-12G/T&R
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MACRONIX Symbol Producenta: MX25L4006EZUI-12G RoHS Obudowa dokładna: USON08(3x2) |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
Macronix | 8-bit | 512kB | 2,7~3,6V | 86MHz | -40°C ~ 85°C | USON08(3x2) | ||||||||||||
MX25L51245GMI-08G
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 8ns MX25L51245GMI-08G/TR MX25L51245GMI-08G/TUBE MX25L51245GMI-08G MX25L51245GMI-08G/T&R
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5/10 Ilość (wielokrotność 1) |
MACRONIX | 64M x 8 | 512MB | 2,7V ~ 3,6V | 166MHz | -40°C ~ 85°C | SOP16 | ||||||||||||
MX25L51245GZ2I-10G/TRAY
8-bit Memory IC; 64MB-FL; 2,7~3,6V; 166MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: MX25L51245GZ2I-10G
|
||||||||||||||||||||
Producent:
MACRONIX Symbol Producenta: MX25L51245GZ2I-10G RoHS Obudowa dokładna: WSON08 |
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
Macronix | 8-bit | 64MB | 2.7~3.6V | 166MHz | -40°C ~ 85°C | WSON08 |
Pamięci FLASH
Wiele współczesnych urządzeń jest wyposażonych w pamięć FLASH, która pozwala przechowywać nawet duże zasoby danych. Wykorzystuje się ją w sprzętach komputerowych, fotograficznych, smartfonach oraz innych urządzeniach elektronicznych, które wymagają posiadania dodatkowego nośnika informacji. Rodzaj pamięci FLASH ma ogromne znaczenie dla wydajności poszczególnych podzespołów, dlatego warto postawić na sprawdzone rozwiązania od najlepszych dostawców.
Pamięci FLASH – nośniki danych o dużej pojemności
Urządzenia, które przetwarzają duże ilości danych, często dysponują zbyt małą pojemnością dysku, aby przechowywać wszystkie informacje. Rozbudowa układu o dodatkową pamięć FLASH może znacząco zwiększyć dostępne miejsce do gromadzenia plików o dużym rozmiarze. Jest to typ pamięci nieulotnej, którą można nadpisywać i modyfikować elektronicznie. W przeciwieństwie do pamięci EEPROM usuwanie i zapisywanie przeprowadza się zbiorczo, co przekłada się na lepszą wydajność pracy. Zaletą pamięci FLASH jest również to, że można na niej przechowywać ogromne zasoby informacji, gdyż podzespoły dostępne są o pojemności nawet 16 GB.
Pamięć FLASH w elektronice – zastosowanie w praktyce
Technologia pamięci FLASH jest obecnie standardem stosowanym w wielu urządzeniach do użytku prywatnego i przemysłowego. Wykorzystuje się ją jako nośnik danych w:
- tabletach,
- smartfonach,
- komputerach,
- telewizorach,
- odtwarzaczach muzyki,
- systemach bezpieczeństwa,
- dekoderach cyfrowych,
- urządzeniach sieciowych i komunikacyjnych.
Pamięć FLASH w elektronice znajdzie również zastosowanie w przypadku projektowania nowych układów, w których potrzebne jest zastosowanie niestandardowych rozwiązań.
FLASH – pamięć
Asortyment naszej hurtowni internetowej obejmuje szeroki wybór produktów, wśród których znajdziesz mikrokontrolery i pamięci o różnych parametrach. Wszystkie artykuły pochodzą od czołowych producentów, co gwarantuje ich najwyższą jakość i niezawodność. Jeśli chodzi o technologię FLASH, pamięć jest dostępna w wielu opcjach, które różnią się:
- architekturą,
- zakresem napięcia zasilania,
- temperaturą pracy,
- rodzajem obudowy.
Zapraszamy do złożenia zamówienia i zapoznania się z pozostałym asortymentem naszej hurtowni.