Pamięci FLASH (wyszukane: 261)
Produkt | Koszyk |
Producent
|
Architektura
|
Pamięć FLASH
|
Zakres napięcia zasilania
|
Częstotliwość
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
W25Q64FVSFIG Winbond
8-bit Memory IC; 8Mb-FL; 2,7~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: M25PX64-VMF6TP; W25Q64FVSFIG/TRAY; W25Q64FVSFIG/TUBE;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
28 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 44 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 8MB | 2,7~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOIC16 | ||||||||||||
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 8 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 8MB | 2,7~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOIC16 | ||||||||||||
W25Q64FVSSIG WINBOND
8-bit Memory IC; 8Mb-FL; 2,7~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C; OBSOLETE; Odpowiednik: W25Q64FVSSIG-TRAY; W25Q64FVSSIG-TUBE; W25Q64FVSSIG-REEL; W25Q64JVSSIM; W25Q64JVSSIQ; W25Q64FVSSIG TR;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 90 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 8MB | 2.7~3.6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08 | ||||||||||||
W25Q64FVZEIG
8-bit Memory IC; 8Mb-FL; 2,7~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: W25Q64FVZEIG-TUBE; W25Q64JVZEIM; W25Q64JVZEIQ;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
Winbond Symbol Producenta: W25Q64FVZEIG RoHS Obudowa dokładna: WSON08(8x6) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 8MB | 2,7~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | WSON08(8x6) | ||||||||||||
W25Q64FWZPIG
8-bit Memory IC; 8Mb-FL; 1,65~1,95V; 104MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: W25Q64FWZPIG-TRAY; W25Q64FWZPIG/REEL;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
Winbond Symbol Producenta: W25Q64FWZPIG RoHS Obudowa dokładna: WSON08(6x5) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 8MB | 1,65~1,95V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | WSON08(6x5) | ||||||||||||
W25Q64JVSSIQ
8-bit Memory IC; 8Mb-FL; 2,7~3,6V; 133MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: W25Q64FVSSIG; W25Q64JVSSIQ/REEL; W25Q64JVSSIQ/TUBE;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
273 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 8MB | 2,7~3,6V | 133MHz | -40°C ~ 85°C | SOIC08 | ||||||||||||
W25Q64JVSSIQ
8-bit Memory IC; 8Mb-FL; 2,7~3,6V; 133MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: AT25QF641B-SHB-T; S25FL064LABMFI010;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 8MB | 2,7~3,6V | 133MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 90/270 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 8MB | 2,7~3,6V | 133MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
Stan magazynowy:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 8MB | 2,7~3,6V | 133MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
Stan magazynowy:
286 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 406 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 8MB | 2,7~3,6V | 133MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
W25Q64JVZEIM
8-bit Memory IC; 8Mb-FL; 2,7~3,6V; 133MHz; SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
Winbond Symbol Producenta: W25Q64JVZEIM RoHS Obudowa dokładna: WSON08 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 8MB | 2,7~3,6V | 133MHz | -40°C ~ 85°C | WSON08 | ||||||||||||
W25Q64JVZEIQ
8-bit Memory IC; 8Mb-FL; 2,7~3,6V; 133MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: W25Q64FVZEIG
|
||||||||||||||||||||
Producent:
Winbond Symbol Producenta: W25Q64JVZEIQ/TUBE RoHS Obudowa dokładna: WSON08(8x6) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 8MB | 2,7~3,6V | 133MHz | -40°C ~ 85°C | WSON08(8x6) | ||||||||||||
W25Q80DVSNIG Winbond
8-bit Memory IC; 1Mb-FL; 2,7~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: W25Q80DVSNIG/REEL; W25Q80DVSNIG/TUBE; W25Q80DVSNIG/TRAY;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 1MB | 2.7~3.6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOIC08 | ||||||||||||
W25Q80DVSSIG Winbond
8-bit Memory IC; 1Mb-FL; 2,7~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: W25Q80DVSSIG/TRAY; W25Q80DVSSIG/TUBE; W25Q80DVSSIG/REEL;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 1MB | 2.7~3.6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOIC08 | ||||||||||||
W25X20CLSNIG Winbond
8-bit Memory IC; 256kB-FL; 2,3~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
Winbond Symbol Producenta: W25X20CLSNIG RoHS Obudowa dokładna: SOIC08 |
Stan magazynowy:
97 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 256kB | 2,3~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOIC08 | ||||||||||||
W25X40CLSNIG Winbond
8-bit Memory IC; 512kB-FL; 2,3~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: W25X40CLSNIG/REEL; W25X40CLSNIG/TRAY; W25X40CLSNIG/TUBE;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
Winbond | 8-bit | 512kB | 2,3~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOIC08 | ||||||||||||
SST26VF016BEUI-104I/SN
8-bit Memory IC; 2Mb-FL; 2,7~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Producent:
Microchip Symbol Producenta: SST26VF016BEUI-104I/SN RoHS Obudowa dokładna: SOIC08 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
MICROCHIP | 8-bit | 2MB | 2.7÷3.6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOIC08 | ||||||||||||
SST26VF064BEUI-104I/MF Microchip Technology
8-bit Memory IC; 8Mb-FL; 2,7~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: SST26VF064BEUIT-104I/MF
|
||||||||||||||||||||
Producent:
Microchip Symbol Producenta: SST26VF064BEUI-104I/MF RoHS Obudowa dokładna: WDFN8(5x6) |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
MICROCHIP | 8-bit | 8MB | 2.7~3.6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | WDFN8(5x6) | ||||||||||||
IS21ES08G-JCLI ISSI
8-bit Memory IC; 1GB-FL; 2,7~3,6V; 200MHz; -40÷85°C; Odpowiednik: IS21ES08G-JCLI-TR
|
||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS21ES08G-JCLI RoHS Obudowa dokładna: VFBGA153 |
Stan magazynowy:
6 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 152 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 8-bit | 1GB | 2,7~3,6V | 200MHz | -40°C ~ 85°C | VFBGA153 | ||||||||||||
ZB25VQ16ASIG
8-bit Memory IC; 2Mb-FL; 2,3~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: W25Q16JVSSIQ
|
||||||||||||||||||||
Producent:
ZBIT Symbol Producenta: ZB25VQ16ASIG RoHS Obudowa dokładna: SOP08W |
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 90 Ilość (wielokrotność 1) |
Zbit Semiconductor | 8-bit | 2MB | 2,3~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
ZB25VQ32BSIG
8-bit Memory IC; 4Mb-FL; 2,3~3,6V; 120MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: W25Q32JVSSIQ
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
Zbit Semiconductor | 8-bit | 4MB | 2,3~3,6V | 120MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
ZB25VQ64ASIG
64Mb-FLASH Memory IC; x8-bit; 2,3~3,6V; 104MHz; Quad SPI; -40÷85°C; Zamiennik dla: W25Q64CVSSIG, W25Q64FVSSIG, W25Q64JVSSIQ, GD25Q64BSIG, EN25Q64-104HIP
|
||||||||||||||||||||
Producent:
ZBIT Symbol Producenta: ZB25VQ64ASIG RoHS Obudowa dokładna: SOP08W |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
Zbit Semiconductor | 8-bit | 8MB | 2,3~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
Producent:
ZBIT Symbol Producenta: ZB25VQ64ASIG RoHS Obudowa dokładna: SOP08W |
Stan magazynowy:
38 szt. |
|||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 38 Ilość (wielokrotność 1) |
Zbit Semiconductor | 8-bit | 8MB | 2,3~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
ZB25VQ80ASIG
8-bit Memory IC; 1Mb-FL; 2,3~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: W25Q80JVSSIQ
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
29 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 90 Ilość (wielokrotność 1) |
Zbit Semiconductor | 8-bit | 1MB | 2,3~3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||
ZD25Q16BSIGT
16Mb-FLASH Memory IC; x8-bit; 2,7~3,6V; 120MHz; Quad SPI; -40÷105°C; Zamiennik dla: W25Q16BVSSIG, W25Q16DVSSIG, W25Q16JVSSIQ, GD25Q16CSIG, EN25Q16A-104HIP
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
72 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 96 Ilość (wielokrotność 1) |
Zetta | 8-bit | 2MB | 2,7~3,6V | 120MHz | -40°C ~ 105°C | SOP08W | ||||||||||||
EN25QH32B-104HIP2B SOL08
Flash Memory, serial, 32Mb, 4Mbx8, SPI interface, 104MHz, SO8 209mil; Odpowiednik: EN25QH32B-104HIP2B TR ;
|
||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
155 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 90 Ilość (wielokrotność 1) |
ESMT | 4M x 8 | 32MB | 2,7V ~ 3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08 | ||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000/10000 Ilość (wielokrotność 1) |
ESMT | 4M x 8 | 32MB | 2,7V ~ 3,6V | 104MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08 |
Pamięci FLASH
Wiele współczesnych urządzeń jest wyposażonych w pamięć FLASH, która pozwala przechowywać nawet duże zasoby danych. Wykorzystuje się ją w sprzętach komputerowych, fotograficznych, smartfonach oraz innych urządzeniach elektronicznych, które wymagają posiadania dodatkowego nośnika informacji. Rodzaj pamięci FLASH ma ogromne znaczenie dla wydajności poszczególnych podzespołów, dlatego warto postawić na sprawdzone rozwiązania od najlepszych dostawców.
Pamięci FLASH – nośniki danych o dużej pojemności
Urządzenia, które przetwarzają duże ilości danych, często dysponują zbyt małą pojemnością dysku, aby przechowywać wszystkie informacje. Rozbudowa układu o dodatkową pamięć FLASH może znacząco zwiększyć dostępne miejsce do gromadzenia plików o dużym rozmiarze. Jest to typ pamięci nieulotnej, którą można nadpisywać i modyfikować elektronicznie. W przeciwieństwie do pamięci EEPROM usuwanie i zapisywanie przeprowadza się zbiorczo, co przekłada się na lepszą wydajność pracy. Zaletą pamięci FLASH jest również to, że można na niej przechowywać ogromne zasoby informacji, gdyż podzespoły dostępne są o pojemności nawet 16 GB.
Pamięć FLASH w elektronice – zastosowanie w praktyce
Technologia pamięci FLASH jest obecnie standardem stosowanym w wielu urządzeniach do użytku prywatnego i przemysłowego. Wykorzystuje się ją jako nośnik danych w:
- tabletach,
- smartfonach,
- komputerach,
- telewizorach,
- odtwarzaczach muzyki,
- systemach bezpieczeństwa,
- dekoderach cyfrowych,
- urządzeniach sieciowych i komunikacyjnych.
Pamięć FLASH w elektronice znajdzie również zastosowanie w przypadku projektowania nowych układów, w których potrzebne jest zastosowanie niestandardowych rozwiązań.
FLASH – pamięć
Asortyment naszej hurtowni internetowej obejmuje szeroki wybór produktów, wśród których znajdziesz mikrokontrolery i pamięci o różnych parametrach. Wszystkie artykuły pochodzą od czołowych producentów, co gwarantuje ich najwyższą jakość i niezawodność. Jeśli chodzi o technologię FLASH, pamięć jest dostępna w wielu opcjach, które różnią się:
- architekturą,
- zakresem napięcia zasilania,
- temperaturą pracy,
- rodzajem obudowy.
Zapraszamy do złożenia zamówienia i zapoznania się z pozostałym asortymentem naszej hurtowni.