Tranzystory bipolarne (wyszukane: 1170)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Obudowa
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC5171 YZPST
Tranzystor NPN; 320; 2W; 230V; 2A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC5171,Q(J; TCSC5171
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 320 | 2W | 180V | 2A | TO220iso | YZPST | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
2SC5171
NPN 2A 180V 20W 200MHz 100 |
|||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: TCSC5171 RoHS Obudowa dokładna: Tosh.2-10R1A |
Stan magazynowy:
1278 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | Tosh.2-10R1A | Toshiba | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
2SC5200-O(Q)
Tranzystor NPN; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA1943-O; TTC5200 ; 2SC5200OTU; 2SC5200; 2SC5200-O(S1,F,S); C-TCSA1943; 2SC5200T7TL; 2SC5200-O(Q); 2SC5200L-R-B-T3L-T; 2SC5200OTU; 2SC5200T7TL; 2SC5200L-R-B-T3L-T; 2SC5200-O(S1,F; 2SC5200-O-JSM; 2SC5200-O(Q); 2SC5200T7TL;
|
|||||||||||||||||||||
Producent:
Minos Symbol Producenta: 2SC5200 RoHS Obudowa dokładna: 2-21F1A |
Stan magazynowy:
24 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 160 | 150W | 230V | 15A | 2-21F1A | Toshiba | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
2SC5707 smd
Tranzystor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C; komplet z 2SA2040; 2SC5707-TL-E;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 560 | 15W | 50V | 8A | DPAK | Sanyo | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
2SC6011A
Tranzystor NPN; 180; 160W; 230V; 15A; 20MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA2150A; 2SA2151A;
|
|||||||||||||||||||||
Producent:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol Producenta: 2SC6011A RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 180 | 160W | 230V | 15A | TO 3P | Inchange Semiconductors | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
2SD2390 TO3P
Tranzystor NPN Darlington; 20000; 100W; 150V; 10A; 55MHz; -55°C ~ 150°C; (komplementarne 2SB1560-P + 2SD2390)
|
|||||||||||||||||||||
Producent:
Sanken Symbol Producenta: 2SD2390 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
31 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 20000 | 100W | 150V | 10A | TO-3P | Sanken | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
2SD2560
Tranzystor NPN; 5000; 130W; 150V; 15A; 70MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SB1647;
|
|||||||||||||||||||||
Producent:
Sanken Symbol Producenta: 2SD2560 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
34 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 5000 | 130W | 150V | 15A | TO-3P | Sanken | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
2SD773
Tranzystor NPN; 600; 1W; 16V; 2A; 110MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
58 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 68 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 600 | 1W | 16V | 2A | T16 | NEC | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
2SD882
Tranzystor NPN; 400; 1W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD882L-Q-T60-K (Discontinued 2SD882L-P-T60-K)
|
|||||||||||||||||||||
Producent:
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Symbol Producenta: 2SD882 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
274 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 400 | 1W | 30V | 3A | TO126 | UTC | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
2SD882 SOT89
Tranzystor NPN; 400; 1,25W; 30V; 3A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
690 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 400 | 1,25W | 30V | 3A | SOT89 | LGE | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
2SD965-R
Tranzystor NPN; 600; 750mW; 20V; 5A; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: UTC:2SD965L-R-T92-B; 2SD965AL-R-T92K; CD965R; 2SD965; 2SD965AG-R-AB3-R;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
7900 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 600 | 750mW | 20V | 5A | TO92ammoformed | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
2SD965AL-R-AB3-R UTC
Tranzystor NPN; 600; 500mW; 30V; 5A; 150MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 600 | 500mW | 30V | 5A | SOT89 | UTC | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
2STN1360
Tranzystor NPN; 400; 1,6W; 60V; 3A; 130MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 400 | 1,6W | 60V | 3A | SOT223 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
Stan magazynowy:
630 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 400 | 1,6W | 60V | 3A | SOT223 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
2STX1360
Tranzystor NPN; 400; 1W; 60V; 3A; 130MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
380 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 490 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 400 | 1W | 60V | 3A | TO92 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
BC107A
Tranzystor NPN; 220; 300mW; 45V; 200mA; 150MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: BC107A-CDI;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 220 | 300mW | 45V | 200mA | TO 18 | CDIL | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||
BC107B
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 45V; 200mA; 150MHz; -65°C ~ 200°C; Zamiennik dla: BC108B BC107B-CDI (Odpowiednik BC547B, BC547B-GURT);
|
|||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
NPN | 450 | 300mW | 45V | 200mA | TO 18 | CDIL | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-08-30
Ilość szt.: 1000
|
||||||||||||||||||||
BC107C
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 45V; 200mA; 150MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik:BC108C; BC107C-CDI;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
990 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 800 | 300mW | 45V | 200mA | TO 18 | CDIL | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||
BC108B
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 25V; 200mA; 150MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: BC108B-CDI;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
160 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 450 | 300mW | 25V | 200mA | TO 18 | CDIL | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||
BC109B
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 25V; 200mA; 150MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: BC109B-CDI;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
160 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 450 | 300mW | 25V | 200mA | TO 18 | CDIL | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||
BC109C
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 25V; 200mA; 150MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: BC109C-CDI;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
232 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 966 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 800 | 300mW | 25V | 200mA | TO 18 | CDIL | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||
BC141-16
Tranzystor NPN; 250; 800mW; 60V; 1A; 50MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: BC211; Komplementarny do BC161-16; BC141-16-CDI; BC141.16;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
505 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500/1500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 800mW | 60V | 1A | TO 39 | CDIL | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||
BC161-16 TO39
Tranzystor PNP; 250; 800mW; 60V; 1A; 50MHz; -65°C ~ 200°C; Komplementarny do BC141-16; TBC161.16; BC161-16-CDI;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
340 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 800mW | 60V | 1A | TO 39 | CDIL | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||
BC174B TO92 RoHS CDIL
Tranzystor NPN; 460; 350mW; 65V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TBC174B; BC174B-CDI;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 460 | 350mW | 65V | 100mA | TO92 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
BC177B
Tranzystor PNP; 460; 600mW; 45V; 200mA; 200MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: BC177B-CDI;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
480 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 460 | 600mW | 45V | 200mA | TO 18 | CDIL | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||
BC182
Tranzystor NPN; 500; 350mW; 50V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC182-CDI; TBC182B; BC182B-CDI;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
390 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 500 | 350mW | 50V | 100mA | TO92 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
BC212 CDIL
Tranzystor PNP; 120; 350mW; 50V; 100mA; 280MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC212-CDI;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 120 | 350mW | 50V | 100mA | TO92 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 120 | 350mW | 50V | 100mA | TO92 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Stan magazynowy:
115 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 115 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 120 | 350mW | 50V | 100mA | TO92 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
BC237B
Tranzystor NPN; 460; 350mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC547B;
|
|||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: BC237B RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/10000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 460 | 350mW | 45V | 100mA | TO92 | LGE | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-06-30
Ilość szt.: 10000
|
||||||||||||||||||||
BC238B
Tranzystor NPN; 460; 350mW; 25V; 100mA; 120MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC548B;
|
|||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
NPN | 460 | 350mW | 25V | 100mA | TO92 | LGE | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-08-10
Ilość szt.: 2000
|
||||||||||||||||||||
SIZF300DT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C; SIZF300DT-T1-GE3
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75W | 20V | 75A | PowerPAIR3x3-4 | VISHAY | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BC307B
Tranzystor PNP; 460; 350mW; 45V; 100mA; 280MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC557B; BC307BRL1G;
|
|||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
PNP | 460 | 350mW | 45V | 100mA | TO92 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-06-30
Ilość szt.: 2000
|
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!