Tranzystory (wyszukane: 3184)
Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Typ tranzystora
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: D44H11G RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||
SI2302 2.9A SOT23 KUU
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: SI2302 2.9A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | KUU | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
AO3401A SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: AO3401A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
435 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ALPHA&OMEGA | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec.
N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
YY Symbol Producenta: 2N7002KWQ RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
SS8550 TO-92
Tranzystor PNP; 400; 1W; 25V; 1,5A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SLKOR SS8550; CJ SS8550; HT SS8550; WEIDA SS8550; ONS SS8550DTA; ONS SS8550DBU;
|
|||||||||||||||||
Producent:
JCET CO.LTD Symbol Producenta: SS8550 RoHS Obudowa dokładna: TO-92 |
Stan magazynowy:
495 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
TO-92 | JCET | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Producent:
SILKOR Symbol Producenta: SS8550 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO-92 | JCET | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
BC547B TO92 LGE
Tranzystor NPN; 450; 500mW; 45V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-08-20
Ilość szt.: 1
|
||||||||||||||||
SI2305 A50T SOT23 LGE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 250mOhm; 3,2A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-07-20
Ilość szt.: 9000
|
||||||||||||||||
KAO3401 SOT23 KUU
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 100mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KAO3401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
293 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 293 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | KUU | N-MOSFET | -55°C ~ 155°C | ||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KAO3401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
7 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 7 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | KUU | N-MOSFET | -55°C ~ 155°C | ||||||||||||
SI2333 SOT23 BORN
Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 59mOhm; 5,1A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: SI2333 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 452 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | BORN | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: SI2333 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
700 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | BORN | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
BCP56-16
Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 80V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-08-20
Ilość szt.: 2500
|
||||||||||||||||
BSS138 SOT23 LGE
50V 220mA 3.5?@10V,220mA 350mW 1.5V@1mA 6pF@25V N Channel 27pF@25V +150?@(Tj) SOT-23 MOSFETs
|
|||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-06-20
Ilość szt.: 15000
|
||||||||||||||||
BSS138 SOT23-3 CJ
50V 220mA 3.5?@10V,220mA 360mW 1.5V@1mA N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs
|
|||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-05-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||
AO3400 SOT23-3 HOTTECH
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta: AO3400 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2994 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HOTTECH | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
2SD882SQ-P SOT89 PJ
Tranzystor NPN; 320; 1W; 30V; 3A; 90MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
PJSEMI Symbol Producenta: 2SD882SQ-P RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | PJSEMI | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
SS8550 SOT23-3 BORN
Tranzystor PNP; 400; 300mW; 25V; 1,5A; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: SS8550 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
599 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 599 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | BORN | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: SS8550 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | BORN | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
2N7002 SOT23 CJ
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-05-30
Ilość szt.: 6000
|
||||||||||||||||
LBSS8402DW1T1G SC88 LRC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 380mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LBSS8402DW1T3G;
|
|||||||||||||||||
Producent:
LRC Symbol Producenta: LBSS8402DW1T1G RoHS Obudowa dokładna: SC-88 t/r |
Stan magazynowy:
495 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SC-88 | LRC | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IRLML2502 SOT23-3 HUA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
HUASHUO Symbol Producenta: IRLML2502 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | Huashuo Semiconductor | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
SI2301 SOT23-3 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 140mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: SI2301 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | BORN | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
SI2301S SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 210mOhm; 2,3A; 1W; -50°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: SI2301S RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | BORN | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | ||||||||||||
SI2302 SOT23 BORN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: SI2302 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 996 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | BORN | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
BM3415E SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: BM3415E RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
280 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | BORN | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | ||||||||||||
FDN338P SOT23-3 HUASHUO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
HUASHUO Symbol Producenta: FDN338P RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | Huashuo Semiconductor | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
SMP5116
Transistor JFET 50mA, -40V P-Channel; vDS -15V; Vgs 30V; Gate-Source 4V;
|
|||||||||||||||||
Producent:
INTERFET Symbol Producenta: SMP5116 RoHS Obudowa dokładna: SOT23 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 110 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||
IRLML6402
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402TRPBF; IRLML6402PBF; KIRLML6402TRPBF;
|
|||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KIRLML6402TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
280 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||
IM393M6FXKLA1
IPM IGBT; 600V; 5V; 10A; 15A; 20W; 13,5~16,5V; -40°C~125°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IM393M6FXKLA1 RoHS Obudowa dokładna: SIP22 |
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
SIP22 | Infineon Technologies | -40°C ~ 125°C | |||||||||||||
AOT10B60D
Trans IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT10B60D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
33 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ALPHA&OMEGA | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||
AOT15B60D
Trans IGBT; 600V; 20V; 30A; 60A; 167W; 5,6V; 25,4nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT15B60D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ALPHA&OMEGA | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||
FGA15N120ANTDTU_F109
Trans IGBT; 1200V; 20V; 30A; 45A; 186W; 4,5~8,5V; 180nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: FGA15N120ANTDTU-F109;
|
|||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGA15N120ANTDTU-F109 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
55 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
FGA25N120ANTDTU ONS(FAI)
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 90A; 312W; 3,5~7,5V; 200nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: FGA25N120ANTDTU-F109
|
|||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGA25N120ANTDTU RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
850 szt. |
||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/450 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C |