Tranzystory (wyszukane: 10558)
| Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalna tracona moc
|
Maksymalny prąd drenu
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Ładunek bramki
|
Częstotliwość graniczna
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Montaż
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC857CWH6327XTSA1
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BC857CWH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT323 | INFINEON | 250mW | 420 | 250MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BC337-40 TO92ammoformed LGE
Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BC337.40; BC337-40-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
605 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 755 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92ammoformed | LGE | 625mW | 630 | 210MHz | 800mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92ammoformed | LGE | 625mW | 630 | 210MHz | 800mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2N7002A DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
5Ohm | 350mW | 280mA | SOT23 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002A Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1840 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
5Ohm | 350mW | 280mA | SOT23 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
11mOhm | 2,2W | 9A | SOP08 | VBsemi | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BD139-16 TO126 HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BD139 RoHS 100-250 Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
870 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
AP9435GG SOT-89-3 TECH PUBLIC
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; AP9435GG-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 1,5W | 7A | SOT89 | TECH PUBLIC | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 32mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | 1,6W | 6A | TSSOP08 | HT | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
PTD30P25 TO252 HT SEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH; PTD30P25; AOD417;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
29mOhm | 38W | 25A | TO252 | HT | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 50W | 30A | TO252 (DPACK) | MOT | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF YFW
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
22mOhm | 45W | 50A | TO252 (DPACK) | YFW | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MJD127 DPAK YFW
Tranzystor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | YFW | 1,75W | 1000 | 4MHz | 3A | 100V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | YFW | 1,75W | 1000 | 4MHz | 3A | 100V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | YFW | 1,75W | 1000 | 4MHz | 3A | 100V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MOT50N06D TO252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR2905ZTRPBF; IRLR3636TRPBF; YJD50N06A; AOD442;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 75W | 50A | TO252 (DPACK) | MOT | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MOT5N50MD TO-252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 2,2Ohm; 5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR420TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
2,2Ohm | 50W | 5A | TO252 (DPACK) | MOT | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MOT60N03D TO252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 60A; 45W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR8729TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
15mOhm | 45W | 60A | TO252 (DPACK) | MOT | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MOT90N03D TO252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,5mOhm; 90A; 85W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR8726TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5mOhm | 85W | 90A | TO252 (DPACK) | MOT | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
YFW30N06AD TO-252 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 35W; -55°C ~ 150°C; PODOBNY DO: STD20NF06T4;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1065 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1065 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 35W | 30A | TO252 (DPACK) | YFW | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
YFW50P03AD TO-252 YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: AOD417; YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BSS123 SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10mOhm | 350mW | 170mA | SOT23 | RealChip | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS138 SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/54000 Ilość (wielokrotność 10) |
4,5Ohm | 350mW | 360mA | SOT23 | TECH PUBLIC | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 155°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-06-10
Ilość szt.: 30000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BSS138A SOT323 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BSS138A RoHS J1 Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
2600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BSS138BW SOT323 KINGTRONICS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS138PW,115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
KINGTRONICS Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BSS84K SOT-23 RealChip
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 225mW | 130mA | SOT23 | RealChip | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
RC4828 SOP-8 RealChip
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 1,5W | 6A | SOP08 | RealChip | 60V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BC807-16 SOT23 REALCHIP
Tranzystor PNP; 250; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-16,215; BC807-16,235; BC807-16LT1G; BC807-16LT3G; BC807-16E6327; BC807-16 RFG; BC807-16-7-F; BC807-16-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | RealChip | 300mW | 250 | 100MHz | 500mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
RC4816 SOP-8 RealChip
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
26mOhm | 2W | 8,5A | SOP08 | RealChip | 30V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP-ES; BSS138-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
6Ohm | 350W | 220mA | SOT23 | FUXIN | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
FS3401 SOT23(T/R) FUXIN
30V 4.2A 100mOhm@2.5V 350mW 1.4V@250uA 1 P-Channel SOT-23 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRLML5103; IRLML5103TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: FS3401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
RC2302A SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: TSM2302CX; BSS205NH6327; BSS214NH6327; BSS806NH6327XTSA1; BSS205N; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; PT2302B; RC2302A;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
60mOhm | 1,4W | 3A | SOT23 | RealChip | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YANGJIE
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | Yangjie | 1,5W | 250 | 100MHz | 1A | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2030-07-20
Ilość szt.: 2500
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tranzystory
Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje. Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.
Czym jest i do czego służy tranzystor?
Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:
- Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
- Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
- Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.
Tranzystory i ich rodzaje
Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:
- tranzystory polowe,
- tranzystory bipolarne
- tranzystory igbt.
Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.
Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.
Tranzystory w naszej ofercie
Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt.
Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.