Tranzystory IGBT (wyszukane: 105)

  1  2  3  4    
Produkt Koszyk
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalna moc rozpraszana
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Ładunek bramki
Obudowa
Producent
Temperatura pracy (zakres)
IGW40N65F5 Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW40N65F5FKSA1;
IGW40N65F5FKSA1 RoHS || IGW40N65F5 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW40N65F5FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 15,5300 13,0600 11,5700 10,8400 10,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 74A 120A 250W 3,2V ~ 4,8V 95nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IGW50N60H3 Trans IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Odpowiednik:IGW50N60H3FKSA1;
IGW50N60H3FKSA1 RoHS || IGW50N60H3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW50N60H3FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 24,7300 20,8000 18,4400 17,2600 16,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 100A 200A 333W 4,1V ~ 5,7V 315nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IGW50N65F5FKSA1 Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C;
IGW50N65F5FKSA1 RoHS || IGW50N65F5FKSA1 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW50N65F5FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 120+
cena netto (PLN) 29,0600 23,3800 20,6900 20,1500 19,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 80A 150A 305W 3,2V ~ 4,8V 120nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IGW60T120FKSA1 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 150A; 375W; 5,0V~6,5V; 280nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IGW60T120FKSA1; IGW60T120;
IGW60T120FKSA1 RoHS || IGW60T120FKSA1 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW60T120FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 27,3700 25,2000 23,8700 23,2000 22,8100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 100A 150A 375W 5,0V ~ 6,5V 280nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 150°C
IGW75N60T Trans IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1
IGW75N60TFKSA1 RoHS || IGW75N60T TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW75N60TFKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 25,9100 21,7900 19,3200 18,0800 17,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 150A 225A 428W 4,1V ~ 5,7V 470nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IHW15N120R3 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1
IHW15N120R3 RoHS || IHW15N120R3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IHW15N120R3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 10,8600 8,3500 7,2500 6,8700 6,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 30A 45A 254W 5,1V ~ 6,4V 165nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IHW20N135R3 Trans IGBT ; 1350V; 20V; 40A; 60A; 310W; 5,1V~6,4V; 195nC; -40°C~175°C;
IHW20N135R3 RoHS || IHW20N135R3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IHW20N135R3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
24 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 15,4800 12,7900 11,2000 10,4200 9,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1350V 20V 40A 60A 310W 5,1V ~ 6,4V 195nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKD04N60R Trans IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;
IKD04N60R RoHS || IKD04N60R TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKD04N60R RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,4300 4,1500 3,4300 3,0100 2,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 8A 12A 75W 4,3V ~ 5,7V 27nC TO252 (DPAK) Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKD06N60RF Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKD06N60RFAATMA1;
IKD06N60RF RoHS || IKD06N60RF TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKD06N60RF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
26 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
cena netto (PLN) 5,1100 3,8300 3,1100 2,8800 2,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 12A 18A 100W 4,3V ~ 5,7V 48nC TO252 (DPAK) Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKP15N60T Trans IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1
IKP15N60TXKSA1 RoHS || IKP15N60T TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKP15N60TXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
85 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,9400 6,8700 5,8400 5,7100 5,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 26A 45A 130W 4,1V ~ 5,7V 87nC TO220 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKP20N60T Trans IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKP20N60TXKSA1;
IKP20N60T RoHS || IKP20N60T TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKP20N60T RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 12,3800 9,6800 8,2900 8,1100 7,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 41A 60A 166W 4,1V ~ 5,7V 120nC TO220 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW15N120T2 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 235W; 5,2V~6,4V; 93nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW15N120T2FKSA1;
IKW15N120T2 RoHS || IKW15N120T2 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW15N120T2 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 29,6900 25,2000 22,4500 21,0600 20,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 30A 60A 235W 5,2V ~ 6,4V 93nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW20N60T Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW20N60TFKSA1;
IKW20N60TFKSA1 RoHS || IKW20N60T TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW20N60TFKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 15,4800 13,0200 11,5400 10,8000 10,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 40A 60A 166W 4,1V ~ 5,7V 120nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW25N120H3 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1
IKW25N120H3 RoHS || IKW25N120H3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW25N120H3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 19,4900 17,3100 16,0100 15,3600 14,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 50A 100A 326W 5,0V ~ 6,5V 115nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW25N120T2 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;
IKW25N120T2FKSA1 RoHS || IKW25N120T2 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW25N120T2FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 25,9100 21,7900 19,3200 18,0800 17,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 50A 100A 349W 5,2V ~ 6,4V 120nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW30N60H3 Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW30N60H3FKSA1;
IKW30N60H3 RoHS || IKW30N60H3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW30N60H3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 12,3800 10,2300 8,9500 8,3300 7,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 60A 120A 187W 4,1V ~ 5,7V 165nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW30N60T Trans IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;
IKW30N60TFKSA1 RoHS || IKW30N60T TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW30N60TFKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 22,9300 19,2900 17,0900 16,0000 15,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 45A 90A 187W 4,1V ~ 5,7V 167nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW40N120H3 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N120H3FKSA1;
IKW40N120H3 RoHS || IKW40N120H3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW40N120H3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
65 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 29,3900 24,9200 22,1800 20,7900 19,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/90
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 80A 160A 483W 5,0V ~ 6,5V 185nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW40N120T2 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 160A; 480W; 5,2V~6,4V; 192nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N120T2FKSA1;
IKW40N120T2 RoHS || IKW40N120T2 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW40N120T2 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 50+ 100+
cena netto (PLN) 36,8700 30,1100 27,0400 26,3000 25,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 75A 160A 480W 5,2V ~ 6,4V 192nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW40N65H5FKSA1 Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N65H5AXKSA1;
IKW40N65H5 RoHS || IKW40N65H5FKSA1 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW40N65H5 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 15+ 30+ 150+
cena netto (PLN) 20,5500 16,7900 15,0300 14,4900 13,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
15
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 74A 120A 250W 3,2V ~ 4,8V 95nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW40T120 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 105A; 270W; 5,0V~6,5V; 203nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IKW40T120FKSA1;
IKW40T120FKSA1 RoHS || IKW40T120 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW40T120FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
28 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 35,5400 30,1400 26,8300 25,1400 24,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 75A 105A 270W 5,0V ~ 6,5V 203nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 150°C
IKW50N65H5 Trans IGBT; 600V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW50N65H5FKSA1;
IKW50N65H5FKSA1 RoHS || IKW50N65H5 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW50N65H5FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
101 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 22,9300 19,2900 17,0900 16,0000 15,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 80A 150A 305W 3,2V ~ 4,8V 120nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW75N60T Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; Odpwowiednik: IKW75N60TFKSA1;
IKW75N60TFKSA1 RoHS || IKW75N60T TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW75N60TFKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
31 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 120+
cena netto (PLN) 33,0600 26,5900 23,5300 22,9200 22,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 80A 225A 428W 4,1V ~ 5,7V 470nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IRG4BC20FD Trans IGBT ; 600V; 20V; 16A; 64A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20FDPBF;
IRG4BC20FDPBF RoHS || IRG4BC20FD TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC20FDPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 17,8700 15,0400 13,3400 12,5000 11,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 16A 64A 60W 3,0V ~ 6,0V 40nC TO220 International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC20KD-S Trans IGBT ; 600V; 20V; 16A; 32A; 60W; 3,0V~6,0V; 51nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRG4BC20KD-SPBF; IRG4BC20KDSTRLP; IRG4BC20KDSTRRP;
IRG4BC20KD-S RoHS || IRG4BC20KD-S TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC20KD-S RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,6000 5,2600 4,5000 4,0500 3,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 16A 32A 60W 3,0V ~ 6,0V 51nC TO263 (D2PAK) International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC20S Trans IGBT ; 600V; 20V; 19A; 38A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20SPBF;
IRG4BC20S RoHS || IRG4BC20S TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC20S RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,0500 6,5500 5,6800 5,2700 5,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 19A 38A 60W 3,0V ~ 6,0V 40nC TO220 International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC30FD Trans IGBT ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C;
IRG4BC30FD RoHS || IRG4BC30FD TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC30FD RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 9,0900 7,4400 6,4900 5,9000 5,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 31A 120A 100W 3,0V ~ 6,0V 77nC TO220 International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC30FD-S Trans IGBT ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C;
IRG4BC30FD-S RoHS || IRG4BC30FD-S TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC30FD-S RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
32 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 12,1500 10,1000 8,9000 8,1300 7,8400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 31A 120A 100W 3,0V ~ 6,0V 77nC TO263 (D2PAK) International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC30K Trans IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C;
IRG4BC30K RoHS || IRG4BC30K TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC30K RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,2500 4,3800 3,7200 3,4000 3,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 28A 58A 100W 3,0V ~ 6,0V 100nC TO220 International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC30KD Trans IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C; IRG4BC30KDPBF;
IRG4BC30KD RoHS || IRG4BC30KD TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC30KD RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 17,4200 14,7400 13,1400 12,1000 11,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 28A 58A 100W 3,0V ~ 6,0V 100nC TO220 International Rectifier -55°C ~ 150°C
  1  2  3  4    

Tranzystory IGBT

W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.

Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?

Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania. 

Mocne i słabe strony tranzystora IGBT

Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą. 

IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?

W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:

  • napięciem kolektor-emiter,
  • napięciem bramka-emiter,
  • maksymalnym prądem kolektora,
  • maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
  • maksymalną mocą rozpraszania,
  • napięciem przewodzenia,
  • ładunkiem bramki,
  • obudową,
  • marką,
  • zakresem temperatur, w których mogą pracować.

Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję