Tranzystory IGBT (wyszukane: 105)
Produkt | Koszyk |
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Ładunek bramki
|
Obudowa
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGW40N65F5
Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW40N65F5FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 74A | 120A | 250W | 3,2V ~ 4,8V | 95nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IGW50N60H3
Trans IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Odpowiednik:IGW50N60H3FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 100A | 200A | 333W | 4,1V ~ 5,7V | 315nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 80A | 150A | 305W | 3,2V ~ 4,8V | 120nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IGW60T120FKSA1
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 150A; 375W; 5,0V~6,5V; 280nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IGW60T120FKSA1; IGW60T120;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 100A | 150A | 375W | 5,0V ~ 6,5V | 280nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 150°C | ||||||||||||
IGW75N60T
Trans IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
35 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 150A | 225A | 428W | 4,1V ~ 5,7V | 470nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IHW15N120R3
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 30A | 45A | 254W | 5,1V ~ 6,4V | 165nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IHW20N135R3
Trans IGBT ; 1350V; 20V; 40A; 60A; 310W; 5,1V~6,4V; 195nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
24 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1350V | 20V | 40A | 60A | 310W | 5,1V ~ 6,4V | 195nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKD04N60R
Trans IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 8A | 12A | 75W | 4,3V ~ 5,7V | 27nC | TO252 (DPAK) | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKD06N60RF
Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKD06N60RFAATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
26 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 12A | 18A | 100W | 4,3V ~ 5,7V | 48nC | TO252 (DPAK) | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKP15N60T
Trans IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
85 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 26A | 45A | 130W | 4,1V ~ 5,7V | 87nC | TO220 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKP20N60T
Trans IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKP20N60TXKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 41A | 60A | 166W | 4,1V ~ 5,7V | 120nC | TO220 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW15N120T2
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 235W; 5,2V~6,4V; 93nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW15N120T2FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 30A | 60A | 235W | 5,2V ~ 6,4V | 93nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW20N60T
Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW20N60TFKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 40A | 60A | 166W | 4,1V ~ 5,7V | 120nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW25N120H3
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 50A | 100A | 326W | 5,0V ~ 6,5V | 115nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW25N120T2
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 50A | 100A | 349W | 5,2V ~ 6,4V | 120nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW30N60H3
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW30N60H3FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 60A | 120A | 187W | 4,1V ~ 5,7V | 165nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW30N60T
Trans IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 45A | 90A | 187W | 4,1V ~ 5,7V | 167nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW40N120H3
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N120H3FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
65 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 80A | 160A | 483W | 5,0V ~ 6,5V | 185nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW40N120T2
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 160A; 480W; 5,2V~6,4V; 192nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N120T2FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 75A | 160A | 480W | 5,2V ~ 6,4V | 192nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1
Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N65H5AXKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 74A | 120A | 250W | 3,2V ~ 4,8V | 95nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW40T120
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 105A; 270W; 5,0V~6,5V; 203nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IKW40T120FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
28 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 75A | 105A | 270W | 5,0V ~ 6,5V | 203nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 150°C | ||||||||||||
IKW50N65H5
Trans IGBT; 600V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW50N65H5FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
101 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 150A | 305W | 3,2V ~ 4,8V | 120nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW75N60T
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; Odpwowiednik: IKW75N60TFKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
31 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 225A | 428W | 4,1V ~ 5,7V | 470nC | TO247 | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IRG4BC20FD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 16A; 64A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20FDPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 16A | 64A | 60W | 3,0V ~ 6,0V | 40nC | TO220 | International Rectifier | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IRG4BC20KD-S
Trans IGBT ; 600V; 20V; 16A; 32A; 60W; 3,0V~6,0V; 51nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRG4BC20KD-SPBF; IRG4BC20KDSTRLP; IRG4BC20KDSTRRP;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 16A | 32A | 60W | 3,0V ~ 6,0V | 51nC | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IRG4BC20S
Trans IGBT ; 600V; 20V; 19A; 38A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20SPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 19A | 38A | 60W | 3,0V ~ 6,0V | 40nC | TO220 | International Rectifier | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IRG4BC30FD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 31A | 120A | 100W | 3,0V ~ 6,0V | 77nC | TO220 | International Rectifier | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IRG4BC30FD-S
Trans IGBT ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
32 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 31A | 120A | 100W | 3,0V ~ 6,0V | 77nC | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IRG4BC30K
Trans IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 28A | 58A | 100W | 3,0V ~ 6,0V | 100nC | TO220 | International Rectifier | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IRG4BC30KD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C; IRG4BC30KDPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 28A | 58A | 100W | 3,0V ~ 6,0V | 100nC | TO220 | International Rectifier | -55°C ~ 150°C |
Tranzystory IGBT
W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.
Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?
Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania.
Mocne i słabe strony tranzystora IGBT
Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą.
IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?
W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:
- napięciem kolektor-emiter,
- napięciem bramka-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
- maksymalną mocą rozpraszania,
- napięciem przewodzenia,
- ładunkiem bramki,
- obudową,
- marką,
- zakresem temperatur, w których mogą pracować.
Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję