Tranzystory polowe (wyszukane: 2049)

1    5  6  7  8  9  10  11  12  13    69
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
2N7002 HXY MOSFET Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 HXY MOSFET SOT23
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3200 0,1230 0,0602 0,0478 0,0457
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
2N7002 JUXING Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 JUXING SOT23
Producent:
JUXING
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3440 0,1360 0,0791 0,0579 0,0529
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JUXING
2N7002 MLCCBASE Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C;
2N7002 RoHS || 2N7002 MLCCBASE SOT23
Producent:
MLCCBASE
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3280 0,1290 0,0754 0,0552 0,0504
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 7Ohm 115mA 225mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 MLCCBASE
2N7002 SLKOR Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 SLKOR SOT23
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8910 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3450 0,1360 0,0794 0,0581 0,0531
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 7,5Ohm 115mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SLKOR
2N7002 UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 6000+
cena netto (PLN) 0,2790 0,1070 0,0519 0,0411 0,0399
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 7Ohm 115mA 225mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 UMW
2N7002 LGE Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002-LGE
2N7002 RoHS || 2N7002 LGE SOT23
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3500 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3890 0,1530 0,0895 0,0655 0,0598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 7,5Ohm 115mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 LGE
2N7002P Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002P,215; 2N7002P,235; 2N7002P.215;
2N7002P,215 RoHS || 2N7002P SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
2N7002P,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
11945 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7150 0,3400 0,1910 0,1450 0,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 360mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
AO3403 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3403 RoHS || AO3403 SOT23
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO3403 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1000 0,6030 0,3960 0,3570 0,3150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 12V 200mOhm 2,6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
AO4614B Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 45mOhm/65mOhm; 6A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AO4614B RoHS || AO4614B SOP08
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4614B RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 2,5100 1,5700 1,2500 1,1200 1,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 40V 20V 65mOhm 6A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AOD2544 Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 23A; 75W; -55°C ~ 175°C;
AOD2544 RoHS || AOD2544 TO252 (DPACK)
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOD2544 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
55 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,0500 2,9700 2,3900 2,0500 1,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 107mOhm 23A 75W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) ALPHA&OMEGA
AON6403 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4mOhm; 85A; 83W; -55°C ~ 150°C;
AON6403 RoHS || AON6403 DFN08(5x6)
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AON6403 RoHS
Obudowa dokładna:
DFN08(5x6)
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,8700 4,4800 3,7100 3,2500 3,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 4,4mOhm 85A 83W SMD -55°C ~ 150°C DFN08(5x6) ALPHA&OMEGA
BSS225H6327 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 45Ohm; 90mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS225H6327FTSA1; BSS225H6327XTSA1;
BSS225H6327FTSA1 RoHS || BSS225H6327 Infineon SOT89
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS225H6327FTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
997 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3600 1,4300 1,1000 0,9920 0,9440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 20V 45Ohm 90mA 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Infineon Technologies
AON7403 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 36mOhm; 29A; 25W; -55°C ~ 150°C;
AON7403 RoHS || AON7403 DFN08(3x3)
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AON7403 RoHS
Obudowa dokładna:
DFN08(3x3)
 
Stan magazynowy:
236 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,7800 2,5100 2,0800 1,8700 1,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
400
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 36mOhm 29A 25W SMD -55°C ~ 150°C DFN08(3x3) ALPHA&OMEGA
AON7407 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 18mOhm; 40A; 29W; -55°C ~ 150°C;
AON7407 RoHS || AON7407 DFN08(3x3)
Producent:
ALPHA
Symbol Producenta:
AON7407 RoHS
Obudowa dokładna:
DFN08(3x3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,5100 1,5700 1,3100 1,1600 1,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 18mOhm 40A 29W SMD -55°C ~ 150°C DFN08(3x3) ALPHA&OMEGA
C3M0065090J Cree/Wolfspeed Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 15V; 90mOhm; 35A; 113W; -55°C ~ 150°C;
C3M0065090J RoHS || C3M0065090J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Producent:
CREE
Symbol Producenta:
C3M0065090J RoHS
Obudowa dokładna:
D2PAK/7
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
cena netto (PLN) 76,0400 68,5600 63,1200 58,1100 55,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 900V 15V 90mOhm 35A 113W THT -55°C ~ 150°C D2PAK/7 Cree
DMG6968U-7 Diodes Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 36mOhm; 6,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C;
DMG6968U-7 RoHS 2N4 || DMG6968U-7 Diodes SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMG6968U-7 RoHS 2N4
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
425 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0300 0,5670 0,3770 0,3150 0,2930
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 36mOhm 6,5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
AOTF7N65 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
AOTF7N65 RoHS || AOTF7N65 TO220iso
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOTF7N65 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,1200 3,3800 2,7200 2,5900 2,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 1,56Ohm 7A 38,5W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ALPHA&OMEGA
IRL540 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL540PBF;
IRL540 RoHS || IRL540 TO220
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
IRL540 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,9400 3,4600 2,7700 2,6900 2,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 10V 110mOhm 28A 150W THT -55°C ~ 175°C TO220 Siliconix
AP2311GN JGSEMI Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: AP2311GN-HF-3;
AP2311GN RoHS || AP2311GN JGSEMI SOT23
Producent:
JGSEMI
Symbol Producenta:
AP2311GN RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5660 0,3420 0,2700 0,2490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 240mOhm 2A 1,56W SMD -55°C ~ 125°C SOT23 JGSEMI
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
AP2311GN-HF-3 Pbf B22D || AP2311GN-HF RoHS || AP2311GN RoHS || AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2311GN-HF-3 Pbf B22D
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2100 0,6410 0,4970 0,4580 0,4390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2311GN-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2055 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2100 0,6410 0,4970 0,4580 0,4390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2311GN RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1410 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2100 0,6410 0,4970 0,4580 0,4390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AUIRF3710ZSTRL Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRF3710ZSTRL; AUIRF3710ZS;
AUIRF3710ZS RoHS || AUIRF3710ZSTRL D2PAK
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRF3710ZS RoHS
Obudowa dokładna:
D2PAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 17,1200 14,4900 12,9100 11,8900 11,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 18mOhm 59A 160W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK International Rectifier
BSC440N10NS3GATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
BSC440N10NS3G RoHS || BSC440N10NS3GATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC440N10NS3G RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 6,6300 4,6400 3,8300 3,5400 3,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 100V 20V 44mOhm 5,3A 29W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 INFINEON
BSD235NH6327XTSA1 Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;
BSD235NH6327XTSA1 RoHS || BSD235NH6327XTSA1 SOT363
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD235NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1800 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6800 0,4520 0,3770 0,3510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 20V 12V 225mOhm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
BSL215CH6327 Infineon Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm/280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000;
BSL215CH6327 RoHS || BSL215CH6327XTSA1 RoHS || BSL215CH6327 Infineon TSOP06
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSL215CH6327 RoHS
Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4200 1,5300 1,2100 1,1000 1,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 280mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSL215CH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4200 1,5300 1,2100 1,1000 1,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 280mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
BSP129H6327XTSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129;
BSP129H6327XTSA1 RoHS || BSP129H6327XTSA1 SOT223-3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP129H6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223-4 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 3,8200 2,5400 2,0300 1,8500 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP129H6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
875 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,8200 2,5400 2,1000 1,9000 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
BSP171P Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP171PH6327XTSA1; BSP171P H6327
BSP171P H6327 RoHS || BSP171P SOT223
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP171P H6327 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1780 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,9400 7,2800 6,3200 5,8600 5,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 450mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
BSS131 JSMICRO Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
BSS131 RoHS || BSS131 JSMICRO SOT23
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
BSS131 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9410 0,4750 0,2870 0,2270 0,2090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 250V 20V 4,5Ohm 100mA 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JSMICRO
BSS131 SLKOR Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
BSS131 RoHS || BSS131 SLKOR SOT23
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
BSS131 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8960 0,4540 0,2750 0,2180 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 110mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SLKOR
BSS131H6327XTSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131 H6327; BSS131;
BSS131H6327XTSA1 RoHS || BSS131H6327XTSA1 SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS131H6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
345 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0300 0,5230 0,3170 0,2510 0,2290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 110mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
BSS138 UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
BSS138 RoHS || BSS138 UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3490 0,1350 0,0657 0,0522 0,0499
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 50V 20V 3,5Ohm 300mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
1    5  6  7  8  9  10  11  12  13    69

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.