Tranzystory polowe (wyszukane: 2046)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF630N TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9,3A; 82W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF630NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
280 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 300mOhm | 9,3A | 82W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | ||||||||||||
IRF630NS smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9,3A; 82W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF630NSPBF; IRF630NSTRRPBF; IRF630NSTRLPBF; IRF630NSPBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 300mOhm | 9,3A | 82W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | ||||||||||||
IRF640NPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640NPBF; SP001570078;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 145mOhm | 18A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | HXY MOSFET | ||||||||||||
IRF640NPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640NPBF; SP001570078;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | JSMICRO | ||||||||||||
IRF640 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640NPBF; SP001570078;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | SLKOR | ||||||||||||
IRF9540 SLKOR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9540PBF; IRF9540NPBF; SP001560174;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 20A | 58W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | SLKOR | ||||||||||||
IRF9540N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9540; IRF9540NPBF; IRF9540PBF; IRF 9540 N PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
1008 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-14
Ilość szt.: 2000
|
||||||||||||||||||||||
IRFB4127
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 20mOhm; 76A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4127PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
42 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 20mOhm | 76A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
IRFIZ46NPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 33A; 45W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 33A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | ||||||||||||
IRFP140NPBF
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 33A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP140NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 52mOhm | 33A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | Infineon (IRF) | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-30
Ilość szt.: 400
|
||||||||||||||||||||||
IRFP4568PBF
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 30V; 5,9mOhm; 171A; 517W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4568PBF; IRFP4568PBFXKMA1; IRFP4568;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 30V | 5,9mOhm | 171A | 517W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
IRLL3303
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 45mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL3303PBF; IRLL3303TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 16V | 45mOhm | 6,5A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
IRLML2246
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 236mOhm; 2,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2246PBF; IRLML2246TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1482 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 236mOhm | 2,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
Stan magazynowy:
925 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1925 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 236mOhm | 2,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 236mOhm | 2,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
IRLR8726 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 9mOhm | 80A | 54W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | ||||||||||||
IRLR8726TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11mOhm | 80A | 54W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | ||||||||||||
IRLR8726TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | ||||||||||||
IRLR8726
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
19780 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | ||||||||||||
IRLU 120 N PBF TO251
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU120NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 265mOhm | 10A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | ||||||||||||
NDT2955 smd
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 513mOhm; 2,5A; 3W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NDT2955 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
3350 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 513mOhm | 2,5A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
NX3008CBKS
Tranzystor N/P-MOSFET; 30V; 8V; 2,8Ohm/7,8Ohm; 350mA/200mA; 445mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3008CBKS.115;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 8V | 7,8Ohm | 350mA | 445mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | ||||||||||||
SI7615ADN-T1-GE3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 9 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 6mOhm | 22,1A | 52W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK1212 | VISHAY | ||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 6mOhm | 22,1A | 52W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK1212 | VISHAY | ||||||||||||
Stan magazynowy:
1 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 6mOhm | 22,1A | 52W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK1212 | VISHAY | ||||||||||||
STB55NF06L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 18mOhm; 55A; 95W; -55°C~175°C; Odpowiednik: STB55NF06LT4; STB55NF06L-VB;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 16V | 18mOhm | 55A | 95W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | ST | ||||||||||||
STD3NK80ZT4
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 30V | 4,5Ohm | 2,5A | 70W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | STMicroelectronics | ||||||||||||
PJM2301PSA-S SOT23 PJSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; -20V; 12V; 180mOhm; -2A; 0,7W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | -20V | 12V | 180mOhm | -2A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | PJSEMI | ||||||||||||
TSM2323CX RFG
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 68mOhm; 4,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik:TSM2323CX RF; TSM2323CXRF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
31 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 68mOhm | 4,7A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | TAI-SEM | ||||||||||||
ZXMN6A07FTA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 350mOhm; 1,4A; 806mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 350mOhm | 1,4A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
8205A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 25mOhm; 6A; 1,5W; -55°C~150°C; Podobny do: 8205A; S8205A; MS8205A; FS8205A; WST8205A; .8205A/B; CJL8205A; 8205A-HXY; JMTM8205A; UT8205AG-AG6; TPM8205ATS6; TPM8205ATS6-1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
65 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 25mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | MSK | ||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 25mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | MSK | ||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 25mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | MSK | ||||||||||||
10N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 10N65-LGE; YJ10N65CI-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 650V | 30V | 630mOhm | 40A | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | LGE | |||||||||||||
FDN338P SOT23 MSKSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 150mOhm | 2A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MSK | ||||||||||||
BSS138LT1G-ES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-TP; BSS138 RFG; LBSS138LT1G-ES;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ElecSuper Symbol Producenta: BSS138LT1G-ES RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2291 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2891 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ElecSuper |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.