Tranzystory polowe (wyszukane: 2046)

1    3  4  5  6  7  8  9  10  11    69
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
IRF630N TO220 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9,3A; 82W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF630NPBF;
IRF630N RoHS || IRF630N TO220 TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF630N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
280 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 200+ 350+
cena netto (PLN) 4,2400 2,8100 2,1700 2,0500 2,0200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 300mOhm 9,3A 82W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
IRF630NS smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9,3A; 82W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF630NSPBF; IRF630NSTRRPBF; IRF630NSTRLPBF; IRF630NSPBF-GURT;
IRF630NS RoHS || IRF630NS smd TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF630NS RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0000 2,3600 2,1600 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 300mOhm 9,3A 82W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
IRF640NPBF HXY MOSFET Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640NPBF; SP001570078;
IRF640NPBF RoHS || IRF640NPBF HXY MOSFET TO220
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
IRF640NPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,2000 2,0100 1,5700 1,4800 1,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 145mOhm 18A 125W THT -55°C ~ 150°C TO220 HXY MOSFET
IRF640NPBF JSMICRO Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640NPBF; SP001570078;
IRF640N RoHS || IRF640NPBF JSMICRO TO220
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
IRF640N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1000 3,0100 2,4100 2,0700 1,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 150mOhm 18A 150W THT -55°C ~ 175°C TO220 JSMICRO
IRF640 SLKOR Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640NPBF; SP001570078;
IRF640 RoHS || IRF640 SLKOR TO220
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
IRF640 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6600 2,3200 1,8300 1,6600 1,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 150mOhm 18A 150W THT -55°C ~ 175°C TO220 SLKOR
IRF9540 SLKOR Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9540PBF; IRF9540NPBF; SP001560174;
IRF9540 RoHS || IRF9540 SLKOR TO220
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
IRF9540 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,2000 2,0100 1,5700 1,4800 1,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 100V 20V 110mOhm 20A 58W THT -55°C ~ 150°C TO220 SLKOR
IRF9540N Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9540; IRF9540NPBF; IRF9540PBF; IRF 9540 N PBF;
IRF9540NPBF RoHS || IRF9540N TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF9540NPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
1008 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,6000 3,3800 2,7100 2,3200 2,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 100V 20V 117mOhm 23A 140W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-14
Ilość szt.: 2000
                   
IRFB4127 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 20mOhm; 76A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4127PBF;
IRFB4127 RoHS || IRFB4127 TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRFB4127 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
42 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 14,9900 12,4600 10,9700 10,0300 9,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 20mOhm 76A 375W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
IRFIZ46NPBF Infineon Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 33A; 45W; -55°C ~ 175°C;
IRFIZ46N RoHS || IRFIZ46NPBF Infineon TO220FP
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRFIZ46N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,8100 3,5300 2,8300 2,4300 2,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 20V 20mOhm 33A 45W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon (IRF)
IRFP140NPBF Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 33A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP140NPBF;
IRFP140N RoHS || IRFP140NPBF TO247AC
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRFP140N RoHS
Obudowa dokładna:
TO247AC
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,4700 6,2800 5,4100 5,1000 4,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 52mOhm 33A 140W THT -55°C ~ 175°C TO247AC Infineon (IRF)
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-30
Ilość szt.: 400
                   
IRFP4568PBF Tranzystor N-MOSFET; 150V; 30V; 5,9mOhm; 171A; 517W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4568PBF; IRFP4568PBFXKMA1; IRFP4568;
IRFP4568 RoHS || IRFP4568PBF TO247
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRFP4568 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 50+ 100+
cena netto (PLN) 26,3000 23,6000 22,4000 22,1200 21,9200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 30V 5,9mOhm 171A 517W THT -55°C ~ 175°C TO247 Infineon (IRF)
IRLL3303 Tranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 45mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL3303PBF; IRLL3303TRPBF;
IRLL3303 RoHS || IRLL3303 SOT223
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRLL3303 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 15,3200 12,2600 11,0600 10,4300 10,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 16V 45mOhm 6,5A 2,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon (IRF)
IRLML2246 Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 236mOhm; 2,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2246PBF; IRLML2246TRPBF;
IRLML2246TR RoHS || IRLML2246TRPBF RoHS || IRLML2246 SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML2246TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
1482 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1500 0,6350 0,4220 0,3520 0,3280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 236mOhm 2,6A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRLML2246TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
925 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1500 0,6350 0,4220 0,3520 0,3280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1925
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 236mOhm 2,6A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML2246TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1500 0,6350 0,4220 0,3520 0,3280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 236mOhm 2,6A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
IRLR8726 HXY MOSFET Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
IRLR8726 RoHS || IRLR8726 HXY MOSFET TO252 (DPACK)
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
IRLR8726 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,5300 1,0100 0,7240 0,6200 0,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 9mOhm 80A 54W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) HXY MOSFET
IRLR8726TRPBF JGSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
IRLR8726TRPBF RoHS || IRLR8726TRPBF JGSEMI TO252 (DPACK)
Producent:
JGSEMI
Symbol Producenta:
IRLR8726TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,3700 0,8780 0,6180 0,5250 0,4990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 11mOhm 80A 54W SMD -55°C ~ 125°C TO252 (DPACK) JGSEMI
IRLR8726TR UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
IRLR8726TR RoHS || IRLR8726TR UMW TO252 (DPACK)
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRLR8726TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
250 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,3800 0,9050 0,6500 0,5570 0,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 8mOhm 86A 75W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) UMW
IRLR8726 Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT;
IRLR8726TRPBF RoHS || IRLR8726 TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLR8726TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
 
Stan magazynowy:
19780 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,7100 0,9500 0,7500 0,6810 0,6590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 8mOhm 86A 75W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon (IRF)
IRLU 120 N PBF TO251 Tranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU120NPBF;
IRLU120N RoHS || IRLU 120 N PBF TO251 TO251 (IPACK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRLU120N RoHS
Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 3,8900 2,5700 2,1200 1,9400 1,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 16V 265mOhm 10A 48W THT -55°C ~ 175°C TO251 (IPACK) Infineon (IRF)
NDT2955 smd Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 513mOhm; 2,5A; 3W; -55°C ~ 150°C;
NDT2955 RoHS || NDT2955 smd SOT223
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NDT2955 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
 
Stan magazynowy:
3350 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1900 1,7200 1,5700 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 513mOhm 2,5A 3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 ON SEMICONDUCTOR
NX3008CBKS Tranzystor N/P-MOSFET; 30V; 8V; 2,8Ohm/7,8Ohm; 350mA/200mA; 445mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3008CBKS.115;
NX3008CBKS RoHS LD.. || NX3008CBKS SOT363
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
NX3008CBKS RoHS LD..
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2600 0,6950 0,4620 0,3850 0,3590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 8V 7,8Ohm 350mA 445mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
SI7615ADN-T1-GE3 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3;
SI7615ADN-T1-GE3 RoHS || SI7615ADN-T1-GE3 PPAK1212
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI7615ADN-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
PPAK1212
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2400 1,7700 1,6100 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
9
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 6mOhm 22,1A 52W SMD -55°C ~ 150°C PPAK1212 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI7615ADN-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
PPAK1212
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2400 1,7700 1,6100 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 6mOhm 22,1A 52W SMD -55°C ~ 150°C PPAK1212 VISHAY
 
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI7615ADN-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
PPAK1212
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2400 1,7700 1,6100 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 6mOhm 22,1A 52W SMD -55°C ~ 150°C PPAK1212 VISHAY
STB55NF06L Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 18mOhm; 55A; 95W; -55°C~175°C; Odpowiednik: STB55NF06LT4; STB55NF06L-VB;
STB55NF06LT4 RoHS || STB55NF06L TO263 (D2PAK)
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STB55NF06LT4 RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 6,7700 5,0200 4,3900 4,0800 3,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 16V 18mOhm 55A 95W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) ST
STD3NK80ZT4 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C;
STD3NK80ZT4 RoHS || STD3NK80ZT4 TO252 (DPACK)
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STD3NK80ZT4 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,4400 4,9200 4,0700 3,5700 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 30V 4,5Ohm 2,5A 70W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) STMicroelectronics
PJM2301PSA-S SOT23 PJSEMI Tranzystor P-Channel MOSFET; -20V; 12V; 180mOhm; -2A; 0,7W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
PJM2301PSA-S RoHS || PJM2301PSA-S SOT23 PJSEMI SOT23
Producent:
PJSEMI
Symbol Producenta:
PJM2301PSA-S RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,6440 0,2570 0,1500 0,1250 0,1170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET -20V 12V 180mOhm -2A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 PJSEMI
TSM2323CX RFG Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 68mOhm; 4,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik:TSM2323CX RF; TSM2323CXRF;
TSM2323CX RFG RoHS || TSM2323CX RFG SOT23-3
Producent:
TAI-SEM
Symbol Producenta:
TSM2323CX RFG RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
31 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3900 1,5200 1,2000 1,0900 1,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 68mOhm 4,7A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 TAI-SEM
ZXMN6A07FTA Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 350mOhm; 1,4A; 806mW; -55°C ~ 150°C;
ZXMN6A07FTA RoHS 7N6 || ZXMN6A07FTA SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
ZXMN6A07FTA RoHS 7N6
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0500 1,1400 0,8980 0,8470 0,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 350mOhm 1,4A 806mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
8205A Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 25mOhm; 6A; 1,5W; -55°C~150°C; Podobny do: 8205A; S8205A; MS8205A; FS8205A; WST8205A; .8205A/B; CJL8205A; 8205A-HXY; JMTM8205A; UT8205AG-AG6; TPM8205ATS6; TPM8205ATS6-1;
8205A RoHS || MS8205A RoHS || 8205A SOT23-6
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
8205A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-6/t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
65 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9080 0,4300 0,2400 0,1820 0,1650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 25mOhm 6A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-6 MSK
 
Producent:
MSKSEMI
Symbol Producenta:
MS8205A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-6/t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9080 0,4300 0,2400 0,1820 0,1650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 25mOhm 6A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-6 MSK
 
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
8205A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-6/t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0200 0,5550 0,3640 0,3150 0,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 25mOhm 6A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-6 MSK
10N65 Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 10N65-LGE; YJ10N65CI-YAN;
10N65 RoHS || 10N65 TO220iso
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
10N65 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,3300 2,0900 1,6400 1,5500 1,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 650V 30V 630mOhm 40A THT -55°C ~ 150°C TO220iso LGE
FDN338P SOT23 MSKSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C;
FDN338P RoHS || FDN338P SOT23 MSKSEMI SOT23
Producent:
MSKSEMI
Symbol Producenta:
FDN338P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8420 0,4220 0,2510 0,2080 0,1870
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 150mOhm 2A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MSK
BSS138LT1G-ES Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-TP; BSS138 RFG; LBSS138LT1G-ES;
BSS138LT1G-ES RoHS || BSS138LT1G-ES SOT23
Producent:
ElecSuper
Symbol Producenta:
BSS138LT1G-ES RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
2291 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 2891+ 11564+
cena netto (PLN) 0,3210 0,1230 0,0603 0,0480 0,0458
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2891
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 50V 20V 6Ohm 220mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ElecSuper
1    3  4  5  6  7  8  9  10  11    69

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.