Tranzystory polowe (wyszukane: 2049)

1    2  3  4  5  6  7  8  9  10    69
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
STP9NK90Z Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 8A; 160W; -55°C ~ 150°C; WMK09N90C2-CYG
STP9NK90Z RoHS || STP9NK90Z TO220
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP9NK90Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,1600 6,5100 5,5700 5,0000 4,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 900V 30V 1,3Ohm 8A 160W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP9NK90Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,1600 6,5100 5,5700 5,0000 4,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 900V 30V 1,3Ohm 8A 160W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
BSS84 Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23
Producent:
HOTTECH
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
1290 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4500 0,2060 0,1120 0,0840 0,0750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/18000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 10Ohm 150mA 357mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23
IRFR9024N Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 13A; 60W; -55°C~150°C;
IRFR9024N TO252
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
P-MOSFET 60V 20V 110mOhm 13A 60W THT -55°C ~ 150°C TO252 TECH PUBLIC
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-06-10
Ilość szt.: 500
                   
IRF7425 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Odpowiednik; IRF7425TR-VB; IRF7425TRPBF;
IRF7425 RoHS || IRF7425TR-VB RoHS || IRF7425 SOP08
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
IRF7425 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 5+ 20+ 50+ 150+
cena netto (PLN) 3,0600 2,2500 1,6400 1,4500 1,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 4,4Ohm 13,5A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 TECH PUBLIC
 
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
IRF7425TR-VB RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 3,9300 2,4800 1,9400 1,7700 1,7100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 4,4Ohm 13,5A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 TECH PUBLIC
 
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
IRF7425 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 3,9300 2,4600 2,0400 1,8100 1,7100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 4,4Ohm 13,5A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 TECH PUBLIC
FDS9431A Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 22mOhm; 7,5A; 2,4W; -50°C~150°C;
FDS9431A RoHS || FDS9431A SOP08
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
FDS9431A RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 2,2700 1,3700 1,0800 0,9590 0,9080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 22mOhm 7,5A 2,4W SMD -50°C ~ 150°C SOP08 TECH PUBLIC
IRLML6402 Yangjie P-Channel MOSFET -3A -20V 120mΩ Podobny do: IRLML6402; SKML6402; YJL2301C; YJL2301C-F2-0000HF; YJL2301C-YAN; FS2300; IRLML6402TRPBF;
YJL2301C-F2-0000HF RoHS || IRLML6402 Yangjie SOT23
Producent:
YY
Symbol Producenta:
YJL2301C-F2-0000HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2890 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5610 0,2670 0,1500 0,1140 0,1020
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 10V 75mOhm 5,4A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 YY
MMBF5103 Tranzystor N-Channel JFET; 40V; 40V; 350mW; -55°C ~ 150°C;
MMBF5103 RoHS 66A... || MMBF5103 SOT23-3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF5103 RoHS 66A...
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
 
Stan magazynowy:
155 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,7530 0,5280 0,4590 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 40V 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
IRLML0100 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 310mOhm; 2A; 1,2W; -55°C~150°C; IRLML0100TRPBF;
IRLML0100 SOT23
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
N-MOSFET 100V 20V 310mOhm 2A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 FUXINSEMI
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-30
Ilość szt.: 3000
                   
SL3401A SLKOR Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
SL3401A RoHS || SL3401A SLKOR SOT23
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
SL3401A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7980 0,3790 0,2130 0,1620 0,1450
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 12V 85mOhm 4,2A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SLKOR
AOD409 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C;
AOD409 RoHS || AOD409 TO252
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOD409 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,7400 1,7200 1,4300 1,2700 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 55mOhm 26A 60W SMD -55°C ~ 175°C TO252 ALPHA&OMEGA
AOT12N60 Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 278W; -55°C ~ 150°C;
AOT12N60 RoHS || AOT12N60 TO220
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOT12N60 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 6,4400 4,7800 4,1200 3,8800 3,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 30V 550mOhm 12A 278W THT -55°C ~ 150°C TO220 ALPHA&OMEGA
AOTF12N65 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 720mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C;
AOTF12N65 RoHS || AOTF12N65 TO220iso
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOTF12N65 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,4600 5,5400 4,6100 4,5000 4,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 720mOhm 12A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ALPHA&OMEGA
AOTF16N50 Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 370mOhm; 16A; 50W; -55°C ~ 150°C;
AOTF16N50 RoHS || AOTF16N50 TO220iso
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOTF16N50 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,2500 4,3800 3,7200 3,4000 3,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 500V 30V 370mOhm 16A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ALPHA&OMEGA
BS250FTA Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
BS250FTA RoHS || BS250FTA SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS250FTA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3200 1,4100 1,0800 0,9760 0,9290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 90mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
IRLML2244 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 100mOhm; 4,2A; 350mW; -55°C~150°C; Podobny do: FS3401;
IRLML2244 SOT23
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
P-MOSFET 30V 12V 100mOhm 4,2A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 FUXINSEMI
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-30
Ilość szt.: 3000
                   
DMC2038LVT-7 Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 56mOhm/168mOhm; 4,5A/3,1A; 1,1W; -55°C ~ 150°C;
DMC2038LVT-7 RoHS || DMC2038LVT-7 SOT23-6
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMC2038LVT-7 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-6/t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9170 0,5070 0,3370 0,2810 0,2620
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 168mOhm 4,5A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-6 DIODES
DMG1012T-7 HXY MOSFET Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012T-13;
DMG1012T-7 RoHS || DMG1012T-7 HXY MOSFET SOT523
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
DMG1012T-7 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT523
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5940 0,2720 0,1480 0,1110 0,0990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 8V 150mOhm 800mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT523 HXY MOSFET
DMG1012T-7 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 700mOhm; 630mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012TQ-7; DMG1012T-13;
DMG1012T-7 RoHS || DMG1012T-7 NA1..RoHS || DMG1012T-7 SOT523
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMG1012T-7 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT523
karta katalogowa
Stan magazynowy:
58050 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6930 0,3290 0,1850 0,1410 0,1260
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 6V 700mOhm 630mA 280mW SMD -55°C ~ 150°C SOT523 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMG1012T-7 NA1..RoHS
Obudowa dokładna:
SOT523
karta katalogowa
Stan magazynowy:
299 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6930 0,3290 0,1850 0,1410 0,1260
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 6V 700mOhm 630mA 280mW SMD -55°C ~ 150°C SOT523 DIODES
DMG2302UK Diodes Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7; DMG2302UK-13;
DMG2302UK-7 RoHS || DMG2302UK Diodes SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMG2302UK-7 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
280 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0200 0,5140 0,3100 0,2450 0,2260
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 120mOhm 2,8A 660mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
FDB28N30TM Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C;
FDB28N30TM RoHS || FDB28N30TM D2PAK
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDB28N30TM RoHS
Obudowa dokładna:
D2PAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,8000 6,7600 6,0000 5,6200 5,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 300V 10V 129mOhm 28A 250W SMD -55°C ~ 150°C D2PAK ON SEMICONDUCTOR
FDS8958A SOP08 ON Semiconductor Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/80mOhm; 7A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS8958A-F085;
FDS8958A RoHS || FDS8958A SOP08 ON Semiconductor SOP08
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FDS8958A RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 13,5900 10,6200 9,4900 8,9000 8,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 80mOhm 7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Fairchild
FQD11P06TM Tranzystor P-MOSFET; 60V; 30V; 185mOhm; 9,4A; 38W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: TPFQD11P06TM, FQD11P06TM-VB;
TPFQD11P06TM RoHS || FQD11P06TM TO252 (DPACK)
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
TPFQD11P06TM RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,7000 2,4600 2,0300 1,8300 1,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 30V 185mOhm 9,4A 38W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
FQP2N60C Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 54W; -55°C ~ 150°C;
FQP2N60C RoHS || FQP2N60C TO220
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP2N60C RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,8600 2,4300 1,9000 1,7900 1,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 30V 4,7Ohm 2A 54W THT -55°C ~ 150°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
FQU11P06TU Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 30V; 185mOhm; 9,4A; 38W; -55°C ~ 150°C;
FQU11P06TU RoHS || FQU11P06TU TO251 (IPACK)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQU11P06TU RoHS
Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
 
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 70+ 280+
cena netto (PLN) 4,1000 2,7100 2,2400 2,0500 1,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
70
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 30V 185mOhm 9,4A 38W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) ON SEMICONDUCTOR
IPB072N15N3G Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 7,7mOhm; 100A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB072N15N3GATMA1; IPB072N15N3GE8187; IPB072N15N3G E8187;
IPB072N15N3G RoHS || IPB072N15N3G Infineon TO263/3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB072N15N3G RoHS
Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 20,5200 17,2700 15,3200 14,3500 13,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
DMP4065S-7 Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 100mOhm; 3,4A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
DMP4065S-7 RoHS || DMP4065S-7 SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMP4065S-7 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4184 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9450 0,5230 0,3470 0,2900 0,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 20V 100mOhm 3,4A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
IRF5305PBF UMW Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; SP001564354;
IRF5305PBF RoHS || IRF5305PBF UMW TO220
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRF5305PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,7400 1,7200 1,3500 1,2700 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 60mOhm 31A 110W THT -55°C ~ 175°C TO220 UMW
IRF5305PBF Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; IRF5305TRLPBF; IRF5305TRPBF; IRF5305LPBF; IRF5305;
IRF5305 RoHS || IRF5305PBF TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF5305 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
1616 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,2000 3,0800 2,4700 2,1200 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 55V 20V 60mOhm 31A 110W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
IRF630N TO220 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9,3A; 82W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF630NPBF;
IRF630N RoHS || IRF630N TO220 TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF630N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
280 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 200+ 350+
cena netto (PLN) 4,2400 2,8100 2,1700 2,0500 2,0200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 300mOhm 9,3A 82W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
IRF630NS smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9,3A; 82W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF630NSPBF; IRF630NSTRRPBF; IRF630NSTRLPBF; IRF630NSPBF-GURT;
IRF630NS RoHS || IRF630NS smd TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF630NS RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0000 2,3600 2,1600 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 300mOhm 9,3A 82W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
1    2  3  4  5  6  7  8  9  10    69

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.