Tranzystory polowe (wyszukane: 2049)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP9NK90Z
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 8A; 160W; -55°C ~ 150°C; WMK09N90C2-CYG
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 8A | 160W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 8A | 160W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
BSS84
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1290 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/18000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 10Ohm | 150mA | 357mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | |||||||||||||
IRFR9024N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 13A; 60W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
P-MOSFET | 60V | 20V | 110mOhm | 13A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO252 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-06-10
Ilość szt.: 500
|
||||||||||||||||||||||
IRF7425
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Odpowiednik; IRF7425TR-VB; IRF7425TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 4,4Ohm | 13,5A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 4,4Ohm | 13,5A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 4,4Ohm | 13,5A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
FDS9431A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 22mOhm; 7,5A; 2,4W; -50°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 22mOhm | 7,5A | 2,4W | SMD | -50°C ~ 150°C | SOP08 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
IRLML6402 Yangjie
P-Channel MOSFET -3A -20V 120mΩ Podobny do: IRLML6402; SKML6402; YJL2301C; YJL2301C-F2-0000HF; YJL2301C-YAN; FS2300; IRLML6402TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2890 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 10V | 75mOhm | 5,4A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | YY | ||||||||||||
MMBF5103
Tranzystor N-Channel JFET; 40V; 40V; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5103 RoHS 66A... Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
155 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 40V | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||
IRLML0100
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 310mOhm; 2A; 1,2W; -55°C~150°C; IRLML0100TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
N-MOSFET | 100V | 20V | 310mOhm | 2A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
SL3401A SLKOR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | ||||||||||||
AOD409
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD409 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 55mOhm | 26A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AOT12N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 278W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT12N60 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 550mOhm | 12A | 278W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AOTF12N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 720mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF12N65 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 720mOhm | 12A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AOTF16N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 370mOhm; 16A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 370mOhm | 16A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
BS250FTA
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 90mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
IRLML2244
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 100mOhm; 4,2A; 350mW; -55°C~150°C; Podobny do: FS3401;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
P-MOSFET | 30V | 12V | 100mOhm | 4,2A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
DMC2038LVT-7
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 56mOhm/168mOhm; 4,5A/3,1A; 1,1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 168mOhm | 4,5A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | DIODES | ||||||||||||
DMG1012T-7 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012T-13;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 150mOhm | 800mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | HXY MOSFET | ||||||||||||
DMG1012T-7
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 700mOhm; 630mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012TQ-7; DMG1012T-13;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
58050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 6V | 700mOhm | 630mA | 280mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | DIODES | ||||||||||||
Stan magazynowy:
299 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 6V | 700mOhm | 630mA | 280mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | DIODES | ||||||||||||
DMG2302UK Diodes
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7; DMG2302UK-13;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
280 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 120mOhm | 2,8A | 660mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
FDB28N30TM
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 300V | 10V | 129mOhm | 28A | 250W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
FDS8958A SOP08 ON Semiconductor
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/80mOhm; 7A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS8958A-F085;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 80mOhm | 7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | ||||||||||||
FQD11P06TM
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 30V; 185mOhm; 9,4A; 38W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: TPFQD11P06TM, FQD11P06TM-VB;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: TPFQD11P06TM RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 30V | 185mOhm | 9,4A | 38W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
FQP2N60C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 54W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP2N60C RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,7Ohm | 2A | 54W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
FQU11P06TU
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 30V; 185mOhm; 9,4A; 38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQU11P06TU RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 30V | 185mOhm | 9,4A | 38W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
IPB072N15N3G Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 7,7mOhm; 100A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB072N15N3GATMA1; IPB072N15N3GE8187; IPB072N15N3G E8187;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 7,7mOhm | 100A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | ||||||||||||
DMP4065S-7
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 100mOhm; 3,4A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4184 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 100mOhm | 3,4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
IRF5305PBF UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; SP001564354;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | UMW | ||||||||||||
IRF5305PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; IRF5305TRLPBF; IRF5305TRPBF; IRF5305LPBF; IRF5305;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRF5305 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
1616 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
IRF630N TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9,3A; 82W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF630NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
280 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 300mOhm | 9,3A | 82W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | ||||||||||||
IRF630NS smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9,3A; 82W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF630NSPBF; IRF630NSTRRPBF; IRF630NSTRLPBF; IRF630NSPBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 300mOhm | 9,3A | 82W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.