Tranzystory polowe (wyszukane: 2049)

1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    69
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
IRLML6344TR UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
IRLML6344TR RoHS || IRLML6344TR UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRLML6344TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
900 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1000 0,5500 0,3280 0,2710 0,2440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 37mOhm 5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
IRLML6344TRPBF Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; IRLML6344PBF; SP001574050; MA005540618; IRLML6344; IRLML6344TR;
IRLML6344TR RoHS || IRLML6344TRPBF SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML6344TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
19763 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5950 0,4620 0,4260 0,4080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/45000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 37mOhm 5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
SPB17N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPB17N80C3ATMA1;
SPB17N80C3 RoHS || SPB17N80C3 TO263 (D2PAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPB17N80C3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 17,2700 13,8200 12,4700 11,7600 11,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 670mOhm 17A 227W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) Infineon Technologies
STP55NF06 Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP36NF06; HT55NF06ASZ;
STP55NF06 RoHS || STP55NF06 TO220
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP55NF06 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
640 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,9900 2,9300 2,3500 2,0100 1,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 18mOhm 50A 110W THT -55°C ~ 175°C TO220 STMicroelectronics
TSM2308CX Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2308CX RFG;
TSM2308CX RFG RoHS || TSM2308CX SOT23
Producent:
TAI-SEM
Symbol Producenta:
TSM2308CX RFG RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,0600 1,9200 1,5900 1,4200 1,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 192mOhm 3A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TAI-SEM
AO4435 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 36mOhm; 14A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
AO4435 RoHS || AO4435 SOP08
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4435 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,4200 1,5200 1,2600 1,1200 1,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 36mOhm 14A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AO4455 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 17A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
AO4455 RoHS || AO4455 SOP08
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4455 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,1100 1,9500 1,6200 1,4400 1,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 9,5mOhm 17A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
BSH114 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 1,15Ohm; 850mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH114,235; BSH114,215; BSH114-VB;
BSH114,215 RoHS || BSH114 SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSH114,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
63 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 4,6200 3,0500 2,5100 2,2500 2,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 1,15Ohm 850mA 830mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSS84AK,215 Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK.215;
BSS84AK,215 RoHS || BSS84AK,215 SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSS84AK,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1300 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6600 0,3140 0,1760 0,1340 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 180mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSS84PH6327XTSA2 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327(Halogen free); BSS84P-L6327(Pb-free); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433; BSS84P;
BSS84PH6327XTSA2 RoHS || BSS84P H6327 RoHS || BSS84PH6327XTSA2 SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
46951 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9520 0,4520 0,2540 0,1930 0,1730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 170mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84P H6327 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9520 0,4520 0,2540 0,1930 0,1730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 170mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
BSS84PWH Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 150mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84PWH6327XTSA1; BSS84PWH6327; SP000917564;
BSS84PWH6327XTSA1 RoHS || BSS84PW H6327 RoHS || BSS84PWH Infineon SOT323
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84PWH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15730 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8250 0,3920 0,2200 0,1670 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 150mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84PW H6327 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8250 0,3920 0,2200 0,1670 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 150mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
DMG1012UW-7 Diodes Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 750mOhm; 1A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
DMG1012UW-7 RoHS || DMG1012UW-7 Diodes SOT323
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMG1012UW-7 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7040 0,3340 0,1880 0,1430 0,1280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 6V 750mOhm 1A 290mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 DIODES
FDS6681Z Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
FDS6681Z RoHS || FDS6681Z SOP08
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDS6681Z RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,3000 6,8000 5,9300 5,3900 5,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 6,5mOhm 20A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ON SEMICONDUCTOR
FDS9926A Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
FDS9926A RoHS || FDS9926A SOP08
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDS9926A RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9700 1,8800 1,4800 1,3500 1,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 20V 10V 50mOhm 6,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ON SEMICONDUCTOR
FQT5P10TF Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 1,05Ohm; 1A; 2W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF-TP; FQT5P10TF-VB;
FQT5P10TF-TP RoHS || FQT5P10TF SOT223
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
FQT5P10TF-TP RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
 
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 2,4600 1,5400 1,2300 1,1000 1,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 100V 30V 1,05Ohm 1A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 ON SEMICONDUCTOR
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-05-31
Ilość szt.: 350
                   
IRF7303 Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7303PBF; IRF7303TRPBF;
IRF7303TR RoHS || IRF7303 SOP08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF7303TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
74 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9700 1,8800 1,4800 1,3500 1,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 30V 20V 80mOhm 4,9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 INFINEON
IRF7313 smd Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7313PBF; IRF7313TRPBF; IRF7313PBF-GURT;
IRF7313TR RoHS || IRF7313 smd SOP08
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF7313TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6600 2,3200 1,8300 1,6600 1,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 30V 20V 46mOhm 6,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 International Rectifier
IRF7317 smd Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRF7317PBF; IRF7317TRPBF; IRF7317PBF-GURT;
IRF7317TRPBF RoHS || IRF7317 smd SOP08
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF7317TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,1000 2,7200 2,2500 2,0300 1,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2xN/P-MOSFET 20V 12V 98mOhm 6,6A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 International Rectifier
IRF7401 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7401PBF (95/Tube); IRF7401TRPBF(4000/Tape&Reel); IRF7401PBF-GURT; IRF7401TRPBF-VB;
IRF7401TRPBF RoHS || IRF7401TRPBF-VB RoHS || IRF7401 SOP08
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF7401TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
179 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6800 2,3300 1,8400 1,6800 1,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 30mOhm 8,7A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 International Rectifier
 
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
IRF7401TRPBF-VB RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,9400 1,8500 1,5300 1,3700 1,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 30mOhm 8,7A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 International Rectifier
IRF830PBF Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF830PBF; IRF830;
IRF830 RoHS || IRF830PBF TO220
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
IRF830 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
291 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
cena netto (PLN) 3,9500 2,6100 2,1600 2,0100 1,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 500V 20V 1,5Ohm 4,5A 74W THT -55°C ~ 150°C TO220 VISHAY
IRFR4105 Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 27A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4105TRPBF; IRFR4105PBF; IRFR4105PBF-GURT; IRFR4105TRLPBF;
IRFR4105 RoHS || IRFR4105TR RoHS || IRFR4105 TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRFR4105 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,2200 2,0400 1,6100 1,4700 1,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 20V 45mOhm 27A 68W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRFR4105TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
 
Stan magazynowy:
600 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,2200 2,0400 1,6100 1,4700 1,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 20V 45mOhm 27A 68W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon (IRF)
IRFR9024N HXY MOSFET Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 10A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248;
IRFR9024N RoHS 10P06. || IRFR9024N HXY MOSFET TO252 (DPACK)
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
IRFR9024N RoHS 10P06.
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8800 1,1400 0,8740 0,7880 0,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 10A 31,3W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) HXY MOSFET
IRFR9024NTRPBF JGSEMI Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 180mOhm; 8A; 15,6W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248;
IRFR9024NTRPBF RoHS || IRFR9024NTRPBF JGSEMI TO252 (DPACK)
Producent:
JGSEMI
Symbol Producenta:
IRFR9024NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
120 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5300 1,0100 0,7200 0,6290 0,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 55V 20V 180mOhm 8A 15,6W SMD -55°C ~ 125°C TO252 (DPACK) JGSEMI
IRFR9024N JSMICRO Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 120mOhm; 15A; 36W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248;
IRFR9024N RoHS || IRFR9024N JSMICRO TO252 (DPACK)
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
IRFR9024N RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,1800 0,9060 0,8180 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 25V 120mOhm 15A 36W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) JSMICRO
IRFR9024NTR UMW Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248;
IRFR9024NTR RoHS || IRFR9024NTR UMW TO252 (DPACK)
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRFR9024NTR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,1800 0,9060 0,8180 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 105mOhm 20A 34,7W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) UMW
IRFR9024 Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR2024TRPBF; IRFR9024PBF; IRFR9024TRLPBF; IRFR9024TRRPBF; IRFR9024PBF-GURT; IRFR9024TRPBF; IRFR9024TRPBF-BE3; IRFR 9024 PBF;
IRFR9024 RoHS || IRFR9024PBF RoHS || IRFR9024 TO252 (DPACK)
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
IRFR9024 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,7200 2,7300 2,1900 1,8800 1,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 280mOhm 8,8A 42W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) VISHAY
 
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
IRFR9024PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Stan magazynowy:
165 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,7200 2,7300 2,1900 1,8800 1,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 280mOhm 8,8A 42W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) VISHAY
IRFR9024N Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 11A; 38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024NPBF; IRFR9026NTRPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NPBF-GURT; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRRPBF;
IRFR9024NTRPBF RoHS || IRFR9024N TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRFR9024NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
 
Stan magazynowy:
1096 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4600 1,5600 1,2300 1,1200 1,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 55V 20V 175mOhm 11A 38W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Infineon (IRF)
ZXM61N02FTA SOT-23-3 MOSFETs ROHS ZXM61N02FTA-VB;
ZXM61N02FTA SOT23
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-05-30
Ilość szt.: 5
                   
IRLR2908 Tranzystor N-MOSFET; 80V; 16V; 30mOhm; 39A; 120W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2908PBF; IRLR2908TRLPBF; IRLR2908TRPBF; IRLR2908PBF-GURT; IRLR2908TRLPBF;
IRLR2908 RoHS || IRLR2908 TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRLR2908 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 5,1900 3,4500 2,8600 2,5800 2,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 80V 16V 30mOhm 39A 120W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon (IRF)
NTD5865NLT4G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
NTD5865NLT4G RoHS || NTD5865NLT4G TO252 (DPACK)
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
NTD5865NLT4G RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
 
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,6600 2,3000 1,9100 1,7000 1,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 19mOhm 46A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    69

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.