Tranzystory polowe (wyszukane: 2046)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HYG180N10LS1D HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 45A; 30mOhm; 71,4W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
85 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 30mOhm | 45A | 71,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | HUAYI | ||||||||||||
HYG180N10LS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF540PBF; IRF540NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 34mOhm | 50A | 93,7W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | HUAYI | ||||||||||||
HYG210P06LQ1P HUAYI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45A; 34mOhm; 107W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF4905PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 34mOhm | 45A | 107W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | HUAYI | ||||||||||||
HYG260P03LR1S HUAYI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8A; 55mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 55mOhm | 8A | 3W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | HUAYI | ||||||||||||
HYG350N06LA1D HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR024PBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024TRPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 44mOhm | 26A | 42,8W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | HUAYI | ||||||||||||
HYG450P06LA1D HUAYI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
248 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 62mOhm | 20A | 37,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | HUAYI | ||||||||||||
HX2301A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 2,5A; 130mOhm; 0,9W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 130mOhm | 2,5A | 900mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HX | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-05-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
SIL2308-TP Micro Commercial Components
Tranzystor Dual N/P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; +/-12V; 38mOhm; 5A/4A; -55°C~150°C; Odpowiednik: SIL2308-TP-HF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2490 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN/P-MOSFET | 20V | 12V | 38mOhm | 5A | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6L | MCC | |||||||||||||
BSP315P SOT223 TEC
Tranzystor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Podobny do: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -60V | 20V | 130mOhm | -3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
Stan magazynowy:
7 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 7 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -60V | 20V | 130mOhm | -3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
Stan magazynowy:
493 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 493 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -60V | 20V | 130mOhm | -3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
BSS606NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 3,2A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS606NH6327XTSA1; BSS606NH6327TR; BSS606NH6327; BSS606NH6327XTSA1
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
990 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 90mOhm | 3,2A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | ||||||||||||
2V7002LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2V7002LT3G; 2V7002LT1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
2N7002-7-F DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
112385 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000/60000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
AO3420
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
BSS138LT1G smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
162092 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 200mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Stan magazynowy:
715 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 200mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
IRF1018E
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRF1018EPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
115 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8,4mOhm | 79A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | ||||||||||||
IRF1405
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1405PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 5,3mOhm | 169A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | ||||||||||||
IRF3710S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710SPBF; IRF3710STRLPBF; IRF3710SPBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3710STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
644 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 23mOhm | 57A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | ||||||||||||
IRF530N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530NPBF; IRF 530 N PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
69 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/400 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 17A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | ||||||||||||
740 DONGHAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 100W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 30V | 550mOhm | 10A | 100W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Donghai | ||||||||||||
IRF740 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 420V | 30V | 500mOhm | 11A | 87W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | HXY MOSFET | ||||||||||||
IRF740
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF740 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
37 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 20V | 550mOhm | 10A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | ||||||||||||
IRF7425
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7220; IRF7220PBF; IRF7425TRPBF; IRF7425PBF; IRF7425PBF-GURT; IRF7425TR-VB;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 13mOhm | 15A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7425TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 13mOhm | 15A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | ||||||||||||
IRF9640PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 11A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9640PBF; IRF9640;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9640 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 11A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | ||||||||||||
IRFL9014
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014PBF; IRFL9014TRPBF; IRFL9014PBF-GURT; IRFL9014TRPBF-BE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2707 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 1,8A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | ||||||||||||
IRFP140
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 77mOhm; 31A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP140PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFP140PBF RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 77mOhm | 31A | 180W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | VISHAY | ||||||||||||
IRFP3710
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 25mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3710PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 25mOhm | 57A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
IRFP4110
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4110PBF; IRFP4110PBFXKMA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
128 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 4,5mOhm | 180A | 370W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | International Rectifier | ||||||||||||
IRFP9240
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 12A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP9240PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 12A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-05-30
Ilość szt.: 100
|
||||||||||||||||||||||
IRFTS9342
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 66mOhm; 5,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFTS9342TRPBF; TECH PUBLIC TPIRFTS9342TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: TPIRFTS9342TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TSOP06 t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 66mOhm | 5,8A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
IRLB3034
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLB3034PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
87 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2mOhm | 343A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.