Tranzystory polowe (wyszukane: 2046)

1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    69
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
HYG180N10LS1D HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 45A; 30mOhm; 71,4W; -55°C ~ 175°C;
HYG180N10LS1D RoHS || HYG180N10LS1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG180N10LS1D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
85 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0800 1,1500 0,9090 0,8570 0,8300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 30mOhm 45A 71,4W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG180N10LS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF540PBF; IRF540NPBF;
HYG180N10LS1P RoHS || HYG180N10LS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG180N10LS1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,9700 1,8600 1,4600 1,3800 1,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 34mOhm 50A 93,7W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG210P06LQ1P HUAYI Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45A; 34mOhm; 107W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF4905PBF;
HYG210P06LQ1P RoHS || HYG210P06LQ1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG210P06LQ1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,6000 3,0600 2,5300 2,2800 2,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 34mOhm 45A 107W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG260P03LR1S HUAYI Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8A; 55mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF;
HYG260P03LR1S RoHS || HYG260P03LR1S HUAYI SOP08
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG260P03LR1S RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,5300 1,0100 0,7240 0,6200 0,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 55mOhm 8A 3W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 HUAYI
HYG350N06LA1D HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR024PBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024TRPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF;
HYG350N06LA1D RoHS || HYG350N06LA1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG350N06LA1D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1500 0,8850 0,7990 0,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 44mOhm 26A 42,8W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG450P06LA1D HUAYI Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF;
HYG450P06LA1D RoHS || HYG450P06LA1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG450P06LA1D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
248 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4000 1,0700 0,9530 0,9200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 62mOhm 20A 37,5W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HX2301A Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 2,5A; 130mOhm; 0,9W; -55°C~150°C;
HX2301A RoHS || HX2301A SOT23
Producent:
HX(hengjiaxing)
Symbol Producenta:
HX2301A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2600 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 6000+
cena netto (PLN) 0,4150 0,1650 0,0825 0,0658 0,0639
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 20V 12V 130mOhm 2,5A 900mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HX
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-05-30
Ilość szt.: 3000
                   
SIL2308-TP Micro Commercial Components Tranzystor Dual N/P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; +/-12V; 38mOhm; 5A/4A; -55°C~150°C; Odpowiednik: SIL2308-TP-HF;
SIL2308-TP RoHS || SIL2308-TP Micro Commercial Components SOT23-6L
Producent:
Micro Commercial Components Corp.
Symbol Producenta:
SIL2308-TP RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-6L
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2490 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9730 0,5380 0,3580 0,2980 0,2780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
2xN/P-MOSFET 20V 12V 38mOhm 5A SMD -55°C ~ 150°C SOT23-6L MCC
BSP315P SOT223 TEC Tranzystor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Podobny do: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
BSP315P RoHS || BSP315P SOT223 TEC SOT223
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
BSP315P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4600 1,1500 1,0500 1,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET -60V 20V 130mOhm -3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 TECH PUBLIC
 
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
BSP315P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
7 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4600 1,1500 1,0500 1,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
7
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET -60V 20V 130mOhm -3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 TECH PUBLIC
 
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
BSP315P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
493 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4600 1,1500 1,0500 1,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
493
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET -60V 20V 130mOhm -3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 TECH PUBLIC
BSS606NH6327 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 3,2A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS606NH6327XTSA1; BSS606NH6327TR; BSS606NH6327; BSS606NH6327XTSA1
BSS606NH6327XTSA1 RoHS || BSS606NH6327 Infineon SOT89
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS606NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
990 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,2900 2,0800 1,6400 1,5000 1,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 90mOhm 3,2A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Infineon Technologies
2V7002LT1G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2V7002LT3G; 2V7002LT1;
2V7002LT1G RoHS || 2V7002LT1G SOT23-5
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2V7002LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-5/t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4200 1,5300 1,2100 1,1000 1,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 13,5Ohm 115mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-5 ON SEMICONDUCTOR
2N7002-7-F DIODES Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z;
2N7002-7-F RoHS || 2N7002-7-F DIODES SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
2N7002-7-F RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
112385 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4670 0,2140 0,1170 0,0873 0,0779
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000/60000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 13,5Ohm 210mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
AO3420 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3420 RoHS  AN.. || AO3420 SOT23
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO3420 RoHS AN..
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2200 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1600 0,6430 0,4270 0,3560 0,3320
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 55mOhm 6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
 
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO3420 RoHS AN..
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1600 0,6430 0,4270 0,3560 0,3320
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 55mOhm 6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
BSS138LT1G smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
BSS138LT1G RoHS || BSS138 RoHS || BSS138LT1G smd SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BSS138LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
162092 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8330 0,4220 0,2560 0,2030 0,1850
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 50V 20V 10Ohm 200mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
715 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8330 0,4220 0,2560 0,2030 0,1850
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 50V 20V 10Ohm 200mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
IRF1018E Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRF1018EPBF;
IRF1018EPBF RoHS || IRF1018E TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF1018EPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
115 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
cena netto (PLN) 4,1400 2,7400 2,2600 2,1100 1,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 8,4mOhm 79A 110W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
IRF1405 Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1405PBF;
IRF1405 RoHS || IRF1405 TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF1405 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,2500 4,7700 3,9500 3,4600 3,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 20V 5,3mOhm 169A 330W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
IRF3710S Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710SPBF; IRF3710STRLPBF; IRF3710SPBF-GURT;
IRF3710STRLPBF RoHS || IRF3710S TO263 (D2PAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF3710STRLPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
 
Stan magazynowy:
644 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 7,0100 4,9100 4,1700 3,8200 3,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 23mOhm 57A 200W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
IRF530N Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530NPBF; IRF 530 N PBF;
IRF530N RoHS || IRF530N TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF530N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
69 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,3800 2,1200 1,6600 1,5700 1,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/400
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 110mOhm 17A 79W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
740 DONGHAI Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 100W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;
740 RoHS || 740 DONGHAI TO220
Producent:
WXDH
Symbol Producenta:
740 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
cena netto (PLN) 3,7600 2,4800 2,0500 1,9100 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/250
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 400V 30V 550mOhm 10A 100W THT -55°C ~ 150°C TO220 Donghai
IRF740 HXY MOSFET Tranzystor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;
IRF740 RoHS || IRF740 HXY MOSFET TO220
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
IRF740 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,6600 2,3000 1,8000 1,7000 1,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 420V 30V 500mOhm 11A 87W THT -55°C ~ 150°C TO220 HXY MOSFET
IRF740 Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF;
IRF740 RoHS || IRF740 TO220
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
IRF740 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
37 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,8100 3,6700 3,0400 2,6600 2,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 400V 20V 550mOhm 10A 125W THT -55°C ~ 150°C TO220 VISHAY
IRF7425 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7220; IRF7220PBF; IRF7425TRPBF; IRF7425PBF; IRF7425PBF-GURT; IRF7425TR-VB;
IRF7425TRPBF RoHS || IRF7425 SOP08
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF7425TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,4400 4,5100 3,8300 3,5100 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 13mOhm 15A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 International Rectifier
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF7425TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,0500 3,5400 3,0100 2,7500 2,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 13mOhm 15A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 International Rectifier
IRF9640PBF Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 11A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9640PBF; IRF9640;
IRF9640 RoHS || IRF9640PBF TO220
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
IRF9640 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,5800 3,0500 2,3500 2,2700 2,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 200V 20V 500mOhm 11A 125W THT -55°C ~ 150°C TO220 VISHAY
IRFL9014 Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014PBF; IRFL9014TRPBF; IRFL9014PBF-GURT; IRFL9014TRPBF-BE3;
IRFL9014TRPBF RoHS || IRFL9014 SOT223
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
IRFL9014TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2707 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,7100 1,7200 1,3600 1,2400 1,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 500mOhm 1,8A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 VISHAY
IRFP140 Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 77mOhm; 31A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP140PBF;
IRFP140PBF RoHS || IRFP140 TO247
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
IRFP140PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 125+ 250+
cena netto (PLN) 6,5300 4,8300 4,1600 3,9000 3,8400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 77mOhm 31A 180W THT -55°C ~ 175°C TO247 VISHAY
IRFP3710 Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 25mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3710PBF;
IRFP3710 RoHS || IRFP3710 TO247
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRFP3710 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 11,7800 9,2000 8,1200 7,7100 7,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 25mOhm 57A 200W THT -55°C ~ 175°C TO247 Infineon (IRF)
IRFP4110 Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4110PBF; IRFP4110PBFXKMA1;
IRFP4110PBFXKMA1 RoHS || IRFP4110 TO247
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRFP4110PBFXKMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
128 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 50+ 150+
cena netto (PLN) 22,6500 18,0700 16,1100 15,6500 15,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 4,5mOhm 180A 370W THT -55°C ~ 175°C TO247 International Rectifier
IRFP9240 Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 12A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP9240PBF;
IRFP9240 TO247
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
P-MOSFET 200V 20V 500mOhm 12A 150W THT -55°C ~ 150°C TO247 VISHAY
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-05-30
Ilość szt.: 100
                   
IRFTS9342 Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 66mOhm; 5,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFTS9342TRPBF; TECH PUBLIC TPIRFTS9342TRPBF;
TPIRFTS9342TRPBF RoHS || IRFTS9342 TSOP06
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
TPIRFTS9342TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3100 0,7010 0,5450 0,4930 0,4770
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 66mOhm 5,8A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon (IRF)
IRLB3034 Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLB3034PBF;
IRLB3034 RoHS || IRLB3034 TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRLB3034 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
87 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 9,2600 7,1200 6,0500 5,8600 5,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 2mOhm 343A 375W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    69

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.