12N65-TD TO220iso

Symbol Micros: T12N65 TDS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 800mOhm; 12A; 42W; -55°C~150°C; Äquivalent: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: TDSEMIC
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: TDSEMIC Hersteller-Teilenummer: 12N65-TD-TO220F RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8029 0,5080 0,4003 0,3652 0,3488
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: TDSEMIC
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole