Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7013)
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Gehäuse
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Hersteller
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Max. Drainstrom
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Drain-Source Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Widerstand im offenen Kanal
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Transistor-Typ
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YFW3400B SOT-23 YFW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: YJL3400A-F2-0000HF; YJL3400A; YFW3400B;
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3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | YFW | 5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 52mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS84 SOT23 REALCHIP
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: BSS84AK,215;
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3000 Stk. |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | RealChip | 130mA | 50V | 20V | 225mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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MOT150N03A TO-220 MOT
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 150A; 130W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRL2203N;
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180 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
TO220 | MOT | 150A | 30V | 20V | 130W | THT | 4,8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSH202 SOT23 TECH PUBLIC
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 330mOhm; 2A; 1W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSH202(TP);
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | TECH PUBLIC | 2A | 30V | 20V | 1W | SMD | 330mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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MOT2302B2 SOT23 MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: MOT2302B2; PT2302B;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | MOT | 2A | 20V | 12V | 600mW | SMD | 110mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
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Hersteller:
import Hersteller-Teilenummer: IRF7201TRPBF RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
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500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | VBsemi | 9A | 30V | 20V | 2,2W | SMD | 11mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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Auf Lager:
25 Stk. |
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Standard-Verpackung: 25 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | VBsemi | 9A | 30V | 20V | 2,2W | SMD | 11mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138A SOT323 HT SEMI
Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138PW;
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Auf Lager:
1500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT323 | HT SEMI | 340mA | 50V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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RC30N06 TO-252 RealChip
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRLR024NTRPBF;
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Auf Lager:
0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
TO252 | RealChip | 30A | 60V | 20V | 50W | SMD | 33mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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RC3400 SOT23 REALCHIP
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
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Auf Lager:
1950 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000/9000 Menge (mehrere 10) |
5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-09-30
Anzahl der Stücke: 12000
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AP2003 SOT23-6L ALLPOWER
Transistor N/P-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm/100mOhm; 3A; 800mW; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23-6L | ALLPOWER | 3A | 20V | 12V | 800mW | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 150°C | N/P-MOSFET | |||||||||||||
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MOT3400AB2 SOT23 MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML6346;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | MOT | 5,8A | 30V | 12V | 350mW | SMD | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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IRF7468TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC
Transistor N-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 15mOhm; 12A; 1,47W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | TECH PUBLIC | 12A | 40V | 20V | 1,47W | SMD | 15mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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MOT2302AB2 SOT23(T/R) MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: BSS205N; BSS205NH6327; (MOT2302AB2 non-Automotive grade); KI2300; PT2302B; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; RC2302A; BSS806NH6327XTSA1;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | MOT | 3A | 20V | 12V | 900mW | SMD | 70mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23-3 | EASTRONIC | 4,2A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 90mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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FS3401 SOT23(T/R) FUXIN
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML5103; IRLML5103TRPBF;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | FUXIN | 4,2A | 30V | 12V | 350mW | SMD | 90mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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MOT740F TO-220F MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 400V; 30V; 580mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
TO220iso | MOT | 10A | 400V | 20V | 45W | THT | 580mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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RC3422 SOT23-3 RealChip
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 3A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
SOT23-3 | RealChip | 3A | 60V | 20V | 1,6W | SMD | 130mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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RC4812 SOP-8 REALCHIP
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 45mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF9956TRPBF;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | RealChip | 6A | 30V | 20V | 2W | SMD | 45mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
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RCD30P03 TO-252 RealChip
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 54mOhm; 25A; 4W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
TO252 | RealChip | 25A | 30V | 20V | 4W | SMD | 54mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 54mOhm; 5,8A; 1,3W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23-3 | EASTRONIC | 5,8A | 30V | 12V | 1,3W | SMD | 54mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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LGE3407 SOT23 LGE
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3400A 003;
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Auf Lager:
2990 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23-3 | LGE | 4,3A | 30V | 20V | 1,4W | SMD | 48mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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RC3400A SOT23 RealChip
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; RC3400A;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23-3 | RealChip | 5,8A | 30V | 12V | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||||
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NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement)
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | ElecSuper | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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MOT8205S SOT23 MOT
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 6A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: TSM2302CX; MOT8205SA6;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | MOT | 6A | 20V | 8V | 1,14W | SMD | 32mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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PTD30P25 TO252 HT SEMI
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; ähnlich wie: YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH; PTD30P25; AOD417;
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Auf Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
TO252 | HT | 25A | 30V | 20V | 38W | SMD | 29mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; AO3400; YJL3400B;
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Auf Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | HT | 5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 52mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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AO4832 SOP8 XBLW
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
XBLW Hersteller-Teilenummer: AO4832 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | ALPHA&OMEGA | 10A | 30V | 20V | 2W | SMD | 19mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
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LGE50N06D TO252 LGE
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3;
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Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer: LGE50N06D RoHS Präzisionsgehäuse: TO252t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
TO252 | LGE | 50A | 60V | 20V | 136W | SMD | 20mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138BW SOT323 KINGTRONICS
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich wie: BSS138PW,115;
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Hersteller:
KINGTRONICS Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT323 t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT323 | KINGTRONICS | 320mA | 60V | 20V | 420mW | SMD | 1,6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
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Auf Lager:
29000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | TECH PUBLIC | 360mA | 50V | 20V | 350mW | SMD | 4,5Ohm | -55°C ~ 155°C | N-MOSFET | |||||||||||||
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.