Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6932)
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Gehäuse
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Hersteller
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Max. Drainstrom
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Drain-Source Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Widerstand im offenen Kanal
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Transistor-Typ
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FS3401 SOT23(T/R) FUXIN
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML5103; IRLML5103TRPBF;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | FUXIN | 4,2A | 30V | 12V | 350mW | SMD | 90mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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RC30N06 TO-252 RealChip
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRLR024NTRPBF;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
TO252 | RealChip | 30A | 60V | 20V | 50W | SMD | 33mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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2N7002A DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7002A Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
1840 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Der Mindestbestellwert muss 40 Euro überschreiten. |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138A SOT323 HT SEMI
Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138PW;
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Auf Lager:
2300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT323 | HT SEMI | 340mA | 50V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS84 SOT23 REALCHIP
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: BSS84AK,215;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | RealChip | 130mA | 50V | 20V | 225mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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RCD30P03 TO-252 RealChip
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 54mOhm; 25A; 4W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
TO252 | RealChip | 25A | 30V | 20V | 4W | SMD | 54mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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LGE3407 SOT23 LGE
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3400A 003;
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Auf Lager:
2990 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23-3 | LGE | 4,3A | 30V | 20V | 1,4W | SMD | 48mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23-3 | EASTRONIC | 4,2A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 90mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 54mOhm; 5,8A; 1,3W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23-3 | EASTRONIC | 5,8A | 30V | 12V | 1,3W | SMD | 54mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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MOT740F TO-220F MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 400V; 30V; 580mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
TO220iso | MOT | 10A | 400V | 20V | 45W | THT | 580mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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RC3422 SOT23-3 RealChip
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 3A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
SOT23-3 | RealChip | 3A | 60V | 20V | 1,6W | SMD | 130mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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RC4812 SOP-8 REALCHIP
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 45mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF9956TRPBF;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | RealChip | 6A | 30V | 20V | 2W | SMD | 45mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
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Auf Lager:
29000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | TECH PUBLIC | 360mA | 50V | 20V | 350mW | SMD | 4,5Ohm | -55°C ~ 155°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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AO4832 SOP8 XBLW
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
XBLW Hersteller-Teilenummer: AO4832 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | ALPHA&OMEGA | 10A | 30V | 20V | 2W | SMD | 19mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
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RC3400A SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; RC3400A;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23-3 | RealChip | 5,7A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 48mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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LGE50N06D TO252 LGE
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3;
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Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer: LGE50N06D RoHS Präzisionsgehäuse: TO252t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
TO252 | LGE | 50A | 60V | 20V | 136W | SMD | 20mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138BW SOT323 KINGTRONICS
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich wie: BSS138PW,115;
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Hersteller:
KINGTRONICS Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT323 t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT323 | KINGTRONICS | 320mA | 60V | 20V | 420mW | SMD | 1,6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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MOT8205S SOT23 MOT
N-CHANNEL ENHACEMENT; VDSS 20V; RDS 19mOhm; ID 6A; VDSS 20V; TEMP.-55~150°C; ODPOWIEDNIK: TSM2302CX; MOT8205SA6;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | MOT | 6A | 20V | 12V | 1,5W | SMD | 25mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN
Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138-TP-ES; BSS138-TP;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | FUXIN | 220mA | 50V | 20V | 350W | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFW2302B SOT-23 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 78mOhm; 3,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS205NH6327; BSS214NH6327;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | YFW | 3,2A | 20V | 12V | 700mW | SMD | 78mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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2N7002KD SOT-363(T/R) FUXIN
N-Kanal SMD MOSFET ESD Protection 60V 0.34A Äquivalent: 2N7002DWH6327XTSA1;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT363 | FUXIN | 340mA | 60V | 20V | 150mW | SMD | 5,3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFW30N06AD TO-252 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 35W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: STD20NF06T4;
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Auf Lager:
1065 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1065 Menge (mehrere 1) |
TO252 (DPACK) | YFW | 30A | 60V | 20V | 35W | SMD | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | Nexperia | 115mA | 60V | 20V | 225mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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IRF540NS TO-263
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
TO263 | ARK | 33A | 100V | 20V | 110W | SMD | 38mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI
30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS BSS306N;
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Auf Lager:
1500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | HT | 5,8A | 30V | 20V | 1,4W | SMD | 41mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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RC3400 SOT23 REALCHIP
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
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Auf Lager:
1950 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000/9000 Menge (mehrere 10) |
5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||||||
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BSS138 SOT23 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | YFW | 220mA | 50V | 20V | 350mW | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 32mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Ähnlich: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
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Auf Lager:
4800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Menge (mehrere 1) |
TSSOP08 | HT | 6A | 20V | 12V | 1,6W | SMD | 32mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
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PT4606A SOP-8 HT SEMI
Transistor N/P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; Ähnlich: IRF7319TRPBF;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | HT | 6,5A | 30V | 20V | 2W | SMD | 25mOhm | -55°C ~ 150°C | N/P-MOSFET | |||||||||||||
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2302 SOT23 HT SEMI
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | HT | 3,5A | 20V | 10V | 1,25W | SMD | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.