Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6910)

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Msx. Drain-Gate Spannung
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Gehäuse
Hersteller
BSS138 SOT23 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23 YFW SOT23
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0659 0,0253 0,0124 0,0099 0,0094
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 50V 20V 6Ohm 220mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 YFW
2N7002AK SOT-23 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7002,215; 2N7002BK; 2N7002P,215;
2N7002AK RoHS || 2N7002AK SOT-23 YFW SOT23
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
2N7002AK RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0599 0,0224 0,0120 0,0090 0,0083
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 340mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 YFW
PT4606A SOP-8 HT SEMI Transistor N/P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; Ähnlich: IRF7319TRPBF;
PT4606A RoHS || PT4606A SOP-8 HT SEMI SOP08
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT4606A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2372 0,1315 0,0875 0,0730 0,0679
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 25mOhm 6,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 HT
2302 SOT23 HT SEMI MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
2302 RoHS || 2302 SOT23 HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
2302 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0375 0,0137 0,0073 0,0054 0,0050
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 20V 10V 40mOhm 3,5A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HT
8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 32mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Ähnlich: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
PT8205 RoHS || 8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI TSSOP08
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT8205 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TSSOP08 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
4800 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1267 0,0507 0,0295 0,0246 0,0230
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Standard-Verpackung:
5000
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 32mOhm 6A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C TSSOP08 HT
2N7002A DIOTEC Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23
2N7002A RoHS || 2N7002A || 2N7002A DIOTEC SOT23
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0896 0,0352 0,0206 0,0151 0,0138
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 30V 5Ohm 280mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002A
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
4140 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,0193
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20
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 30V 5Ohm 280mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002A
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
1840 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,0188
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Standard-Verpackung:
20
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 30V 5Ohm 280mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
YFW9926S SOP-8 YFW Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 17V; 8V; 42mOhm; 5,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
YFW9926S RoHS || YFW9926S SOP-8 YFW SOP08
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW9926S RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2271 0,1147 0,0691 0,0546 0,0504
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 17V 8V 42mOhm 5,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 YFW
IRF9310TRPBF SOP-8 ELECSUPER P-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TRPBF(ES);
IRF9310TRPBF RoHS || IRF9310TRPBF SOP-8 ELECSUPER SOP08
Hersteller:
ElecSuper
Hersteller-Teilenummer:
IRF9310TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 0,6886 0,4307 0,3432 0,3086 0,2994
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 8,3mOhm 21A 42W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ElecSuper
 
Hersteller:
ElecSuper
Hersteller-Teilenummer:
IRF9310TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 0,6886 0,4307 0,3432 0,3086 0,2994
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 8,3mOhm 21A 42W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ElecSuper
BSS84 SOT23 REALCHIP Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84AK,215;
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23 REALCHIP SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
BSS84 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0758 0,0299 0,0174 0,0128 0,0117
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
BSS138W (=BSS138PW) SOT323 YFW Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP;
BSS138W RoHS || BSS138W (=BSS138PW) SOT323 YFW SOT323
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
BSS138W RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0898 0,0355 0,0207 0,0151 0,0138
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 50V 20V 6Ohm 220mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 YFW
YFW2305B SOT23 YFW Transistor P-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 64mOhm; 4A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: LGE2305-LGE;
YFW2305B RoHS || YFW2305B SOT23 YFW SOT23-3
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW2305B RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1324 0,0608 0,0332 0,0246 0,0221
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 12V 64mOhm 4A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 YFW
RC30N06 TO-252 RealChip N-Channel 60V 20A 25W Surface Mount TO-252 ODPOWIEDNIK: IRLR024NTRPBF;
RC30N06 RoHS || RC30N06 TO-252 RealChip TO252
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC30N06 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
 
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2418 0,1329 0,0880 0,0732 0,0689
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
MOT3401AA3 SOT23 MOT Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 75mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; Ähnlich: AO3401; IRLML9303TRPBF;
MOT3401AA3 RoHS || MOT3401AA3 SOT23 MOT SOT23
Hersteller:
MOT-
Hersteller-Teilenummer:
MOT3401AA3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
2980 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1175 0,0539 0,0292 0,0219 0,0196
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 12V 75mOhm 4,2A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MOT
RC4805 SOIC8(T/R) RealChip Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 10A; 3W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7328TRPBF; IRF7328PBF; IRF7328PBF-GURT; IRF7328TRPBFXTMA1
RC4805 RoHS || RC4805 SOIC8(T/R) RealChip SOP08
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC4805 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2649 0,1409 0,1099 0,0993 0,0960
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
2xP-MOSFET 30V 20V 34mOhm 10A 3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 RealChip
MOT50N06D TO252 MOT Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: IRLR2905ZTRPBF; IRLR3636TRPBF; YJD50N06A; AOD442;
MOT50N06D RoHS || MOT50N06D TO252 MOT TO252 (DPAK)
Hersteller:
MOT-
Hersteller-Teilenummer:
MOT50N06D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1950 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Preis netto (EUR) 0,2464 0,1322 0,1029 0,0930 0,0898
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Standard-Verpackung:
2500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 20mOhm 50A 75W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) MOT
BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
BSS138BK RoHS || BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
BSS138BK RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
33000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0884 0,0348 0,0203 0,0149 0,0136
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 50V 20V 4,5Ohm 360mA 350mW SMD -55°C ~ 155°C SOT23 TECH PUBLIC
RCK3018W SOT323 REALCHIP Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: BSS138PW,115;
RCK3018W RoHS || RCK3018W SOT323 REALCHIP SOT323
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RCK3018W RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0772 0,0297 0,0145 0,0115 0,0110
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 30V 20V 13Ohm 100mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 RealChip
2N7002DW SOT363 RealChip Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1;
RC7002DW RoHS || 2N7002DW SOT363 RealChip SOT363
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC7002DW RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1099 0,0504 0,0274 0,0205 0,0183
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 3,5Ohm 300mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 RealChip
RC3407 SOT23-3 REALCHIP Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3407A;
RC3407 RoHS || RC3407 SOT23-3 REALCHIP SOT23-3
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC3407 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1034 0,0408 0,0237 0,0174 0,0159
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 87mOhm 4,1A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 RealChip
RC2305A SOT23 REALCHIP Transistor P-Kanal MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: DMP2305U-7; SI2305; LGE2305; KI2305;
RC2305A RoHS || RC2305A SOT23 REALCHIP SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC2305A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0983 0,0387 0,0226 0,0166 0,0151
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
P-MOSFET 20V 10V 60mOhm 4,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 RealChip
RC4406A SOP-8 RealChip Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 10A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7403TRPBF; IRF7201TRPBF;
RC4406A RoHS || RC4406A SOP-8 RealChip SOP08
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC4406A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08Wt/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2326 0,1179 0,0712 0,0562 0,0518
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 18mOhm 10A 2,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 RealChip
RC2300A SOT23 REALCHIP Transistor N-Kanal MOSFET; 20V; 10V; 42mOhm; 6A; 1,25W; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327;
RC2300A RoHS || RC2300A SOT23 REALCHIP SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC2300A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0804 0,0309 0,0151 0,0120 0,0115
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 20V 10V 42mOhm 6A 1,25W SMD -50°C ~ 150°C SOT23 RealChip
BSS138W SOT323 RealChip Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: BSS138PW; BSS138PW,115;
BSS138W RoHS || BSS138W SOT323 RealChip SOT323
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
BSS138W RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0758 0,0292 0,0143 0,0113 0,0108
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 50V 50V 20V 3,5Ohm 300mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 RealChip
RC3407A SOT23 RealChip Transistor P-MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML5203TRPBF; IRLML9303TRPBF;
RC3407A RoHS || RC3407A SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC3407A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1046 0,0412 0,0242 0,0176 0,0161
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 4,1A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 RealChip
2N7002K SOT23 RealChip Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2,8Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich wie: NX7002AK; 2N7002,215;
2N7002K RoHS || 2N7002K SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
2N7002K RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0654 0,0251 0,0123 0,0098 0,0093
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 2,8Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 RealChip
RCP55N06 TO220 REALCHIP Transistor N-MOSFET; 60V; 25V; 19mOhm; 50A; 68W; -55°C ~ 175°C;
RCP55N06 RoHS || RCP55N06 TO220 REALCHIP TO220
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RCP55N06 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5712 0,3455 0,2649 0,2395 0,2280
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Standard-Verpackung:
50/200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 25V 19mOhm 50A 68W THT -55°C ~ 175°C TO220 RealChip
YFWG50N10AD TO-252 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 25mOhm; 50A; 82W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3110ZPBF; IRLR3110ZTRPBF; IRLR3110ZTRLPBF; IRLR3110ZTRRPBF; IRLR3110ZPBF-GURT;
YFWG50N10AD RoHS || YFWG50N10AD TO-252 YFW TO252
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFWG50N10AD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
450 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2994 0,1661 0,1310 0,1191 0,1152
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 25mOhm 50A 82W SMD -55°C ~ 150°C TO252 YFW
YFWG80N10AD DPAK YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 9,4mOhm; 80A; 96W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3110ZPBF; IRLR3110ZTRPBF; IRLR3110ZTRLPBF; IRLR3110ZTRRPBF; IRLR3110ZPBF-GURT;
YFWG80N10AD RoHS || YFWG80N10AD DPAK YFW TO252
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFWG80N10AD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
450 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,4606 0,2764 0,2117 0,1905 0,1840
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 9,4mOhm 80A 96W SMD -55°C ~ 150°C TO252 YFW
Trans. RC7002DW SOT363 RealChip Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7002KD;
RC7002DW RoHS || Trans. RC7002DW SOT363 RealChip SOT363
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC7002DW RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1002 0,0394 0,0230 0,0169 0,0154
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 3,5Ohm 300mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 RealChip
RC3400 SOT23 REALCHIP Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
RC3400 RoHS || RC3400 SOT23 REALCHIP SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
Preis netto (EUR) 0,1016 0,0405 0,0204 0,0163 0,0156
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Standard-Verpackung:
3000/9000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 30V 12V 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.