Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7032)
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Gehäuse
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Hersteller
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Max. Drainstrom
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Drain-Source Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Widerstand im offenen Kanal
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Transistor-Typ
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TPH5900CNH,L1Q SOP8 TOSHIBA
Transistor N-Kanal MOSFET; 150V; 20V; 59mOhm; 18A; 42W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | Toshiba | 18A | 150V | 20V | 42W | SMD | 59mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN
Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138-TP-ES; BSS138-TP;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | FUXIN | 220mA | 50V | 20V | 350W | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI
30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS BSS306N;
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Auf Lager:
1500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | HT | 5,8A | 30V | 20V | 1,4W | SMD | 41mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 32mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Ähnlich: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
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Auf Lager:
4390 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Menge (mehrere 1) |
TSSOP08 | HT | 6A | 20V | 12V | 1,6W | SMD | 32mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138 SOT23 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
2800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | YFW | 220mA | 50V | 20V | 350mW | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138BW SOT323 KINGTRONICS
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich wie: BSS138PW,115;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT323 | Kingtronics | 320mA | 60V | 20V | 420mW | SMD | 1,6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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MOT3401AA3 SOT23 MOT
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 75mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; Ähnlich: AO3401; IRLML9303TRPBF;
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Hersteller:
MOT- Hersteller-Teilenummer: MOT3401AA3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
2800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2800 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | MOT | 4,2A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 75mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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Hersteller:
MOT- Hersteller-Teilenummer: MOT3401AA3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
5980 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | MOT | 4,2A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 75mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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2N7002K SOT23 RealChip
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2,8Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich wie: NX7002AK; 2N7002,215;
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Auf Lager:
2990 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | RealChip | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 2,8Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFW100N03AD TO-252 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 100A; 85W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich: FDD8896;
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Auf Lager:
0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
TO252 (DPAK) | YFW | 100A | 30V | 20V | 85W | SMD | 5,1mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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MOT2302AB2 SOT23(T/R) MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: BSS205N; BSS205NH6327; (MOT2302AB2 non-Automotive grade); KI2300; PT2302B; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; RC2302A; BSS806NH6327XTSA1;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | MOT | 3A | 20V | 12V | 900mW | SMD | 70mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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RC4828 SOP-8 RealChip
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | RealChip | 6A | 60V | 20V | 1,5W | SMD | 50mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
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WMO50N06TS TO252 WAYON
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 69,4W; -55°C ~ 150°C; WMO50N06TS-CYG;
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Auf Lager:
490 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500/12500 Menge (mehrere 1) |
TO252 | WAY-ON | 50A | 60V | 20V | 69,4W | SMD | 20mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFW30N06AD TO-252 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 35W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: STD20NF06T4;
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Auf Lager:
1065 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1065 Menge (mehrere 1) |
TO252 (DPACK) | YFW | 30A | 60V | 20V | 35W | SMD | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFW2302B SOT-23 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 78mOhm; 3,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS205NH6327; BSS214NH6327;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | YFW | 3,2A | 20V | 12V | 700mW | SMD | 78mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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2N7002KD SOT-363(T/R) FUXIN
N-Kanal SMD MOSFET ESD Protection 60V 0.34A Äquivalent: 2N7002DWH6327XTSA1;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT363 | FUXIN | 340mA | 60V | 20V | 150mW | SMD | 5,3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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2N7002H SOT23(T/R) LGE
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | LGE | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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RC4816 SOP-8 RealChip
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
900 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | RealChip | 8,5A | 30V | 20V | 2W | SMD | 26mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
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RC3407A SOT23 RealChip
Transistor P-MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML5203TRPBF; IRLML9303TRPBF;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | RealChip | 4,1A | 30V | 20V | 1,4W | SMD | 90mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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BSS84 SOT23 REALCHIP
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: BSS84AK,215;
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Auf Lager:
2500 Stk. |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | RealChip | 130mA | 50V | 20V | 225mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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RC3400 SOT23 REALCHIP
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
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Auf Lager:
13880 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||||||
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2N7002AK SOT-23 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7002,215; 2N7002BK; 2N7002P,215;
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Auf Lager:
2980 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | YFW | 340mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
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Auf Lager:
28990 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | TECH PUBLIC | 360mA | 50V | 20V | 350mW | SMD | 4,5Ohm | -55°C ~ 155°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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IRF9310TRPBF SOP-8 ELECSUPER
P-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TRPBF(ES);
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | ElecSuper | 21A | 30V | 20V | 42W | SMD | 8,3mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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Auf Lager:
45 Stk. |
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Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | ElecSuper | 21A | 30V | 20V | 42W | SMD | 8,3mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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2N7002A DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23
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Auf Lager:
2800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7002A Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
3500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 40 Euro überschreiten. |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7002A Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
1840 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Der Mindestbestellwert muss 40 Euro überschreiten. |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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RC2302A SOT23 RealChip
Trasiystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; TSM2302CX; BSS205NH6327; BSS214NH6327; BSS806NH6327XTSA1; BSS205N; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; PT2302B; RC2302A;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | RealChip | 3A | 20V | 10V | 1,4W | SMD | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER
N-Kanal 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | ElecSuper | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS123 SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
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Auf Lager:
2950 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | RealChip | 170mA | 100V | 20V | 350mW | SMD | 10mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; AO3400; YJL3400B;
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Auf Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | HT | 5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 52mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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IRLR2705TRPBF YFW
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D;
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Auf Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
TO252 (DPACK) | YFW | 50A | 60V | 20V | 45W | SMD | 22mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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RC3400A SOT23 RealChip
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; RC3400A;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23-3 | RealChip | 5,8A | 30V | 12V | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||||
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.