Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7013)

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Gehäuse
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Max. Drainstrom
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Drain-Source Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Maximaler Leistungsverlust
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Widerstand im offenen Kanal
Betriebstemperatur (Bereich)
Transistor-Typ
YFW3400B SOT-23 YFW Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: YJL3400A-F2-0000HF; YJL3400A; YFW3400B;
YFW3400B RoHS || YFW3400B SOT-23 YFW SOT23
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW3400B RoHS
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SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1103 0,0506 0,0276 0,0206 0,0184
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3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 YFW 5,8A 30V 12V 1,4W SMD 52mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS84 SOT23 REALCHIP Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: BSS84AK,215;
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23 REALCHIP SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
BSS84 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0757 0,0299 0,0174 0,0128 0,0116
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3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 RealChip 130mA 50V 20V 225mW SMD 10Ohm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
MOT150N03A TO-220 MOT Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 150A; 130W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRL2203N;
MOT150N03A RoHS || MOT150N03A TO-220 MOT TO220
Hersteller:
MOT-
Hersteller-Teilenummer:
MOT150N03A RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
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180 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6560 0,4166 0,3292 0,2992 0,2854
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50/200
Menge (mehrere 1)
TO220 MOT 150A 30V 20V 130W THT 4,8mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
BSH202 SOT23 TECH PUBLIC Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 330mOhm; 2A; 1W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSH202(TP);
BSH202 RoHS || BSH202 SOT23 TECH PUBLIC SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
BSH202 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2187 0,1109 0,0672 0,0532 0,0486
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3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 TECH PUBLIC 2A 30V 20V 1W SMD 330mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
MOT2302B2 SOT23 MOT Transistor N-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: MOT2302B2; PT2302B;
MOT2302B2 RoHS || MOT2302B2 SOT23 MOT SOT23
Hersteller:
MOT-
Hersteller-Teilenummer:
MOT2302B2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0483 0,0181 0,0097 0,0072 0,0067
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3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MOT 2A 20V 12V 600mW SMD 110mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
IRF7201TRPBF RoHS || IRF7201TRPBF-VB RoHS || IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI SOP08
Hersteller:
import
Hersteller-Teilenummer:
IRF7201TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
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500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2808 0,1505 0,1172 0,1059 0,1024
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500
Menge (mehrere 1)
SOP08 VBsemi 9A 30V 20V 2,2W SMD 11mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
IRF7201TRPBF-VB RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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25 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,4903 0,2946 0,2251 0,2026 0,1957
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
SOP08 VBsemi 9A 30V 20V 2,2W SMD 11mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS138A SOT323 HT SEMI Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138PW;
BSS138A RoHS || BSS138A SOT323 HT SEMI SOT323
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS138A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
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1500 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0819 0,0322 0,0189 0,0138 0,0126
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3000
Menge (mehrere 10)
SOT323 HT SEMI 340mA 50V 20V 350mW SMD 3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RC30N06 TO-252 RealChip Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRLR024NTRPBF;
RC30N06 RoHS || RC30N06 TO-252 RealChip TO252
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC30N06 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
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0 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2417 0,1328 0,0879 0,0732 0,0688
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500
Menge (mehrere 1)
TO252 RealChip 30A 60V 20V 50W SMD 33mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
RC3400 SOT23 REALCHIP Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
RC3400 RoHS || RC3400 SOT23 REALCHIP SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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1950 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
Preis netto (EUR) 0,1015 0,0405 0,0203 0,0163 0,0156
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3000/9000
Menge (mehrere 10)
5,8A 30V 12V 1,4W SMD -55°C ~ 150°C N-MOSFET
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-09-30
Anzahl der Stücke: 12000
                     
AP2003 SOT23-6L ALLPOWER Transistor N/P-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm/100mOhm; 3A; 800mW; -55°C ~ 150°C;
AP2003 RoHS || AP2003 SOT23-6L ALLPOWER SOT23-6L
Hersteller:
All POWER
Hersteller-Teilenummer:
AP2003 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-6L
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1620 0,0769 0,0433 0,0329 0,0295
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23-6L ALLPOWER 3A 20V 12V 800mW SMD 55mOhm -55°C ~ 150°C N/P-MOSFET
MOT3400AB2 SOT23 MOT Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML6346;
MOT3400AB2 RoHS || MOT3400AB2 SOT23 MOT SOT23
Hersteller:
MOT-
Hersteller-Teilenummer:
MOT3400AB2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1047 0,0412 0,0242 0,0176 0,0161
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MOT 5,8A 30V 12V 350mW SMD 40mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IRF7468TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC Transistor N-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 15mOhm; 12A; 1,47W; -55°C ~ 150°C;
IRF7468TRPBF-TP RoHS || IRF7468TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC SOP08
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
IRF7468TRPBF-TP RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3038 0,1689 0,1333 0,1211 0,1172
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
SOP08 TECH PUBLIC 12A 40V 20V 1,47W SMD 15mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
MOT2302AB2 SOT23(T/R) MOT Transistor N-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: BSS205N; BSS205NH6327; (MOT2302AB2 non-Automotive grade); KI2300; PT2302B; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; RC2302A; BSS806NH6327XTSA1;
MOT2302AB2 RoHS || MOT2302AB2 SOT23(T/R) MOT SOT23
Hersteller:
MOT-
Hersteller-Teilenummer:
MOT2302AB2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0569 0,0212 0,0114 0,0085 0,0078
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MOT 3A 20V 12V 900mW SMD 70mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3401 RoHS || AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC SOT23
Hersteller:
EASTRONIC
Hersteller-Teilenummer:
AO3401 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0953 0,0375 0,0219 0,0160 0,0147
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23-3 EASTRONIC 4,2A 30V 12V 1,4W SMD 90mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
FS3401 SOT23(T/R) FUXIN Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML5103; IRLML5103TRPBF;
FS3401 RoHS || FS3401 SOT23(T/R) FUXIN SOT23
Hersteller:
FUXINSEMI
Hersteller-Teilenummer:
FS3401 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1646 0,0783 0,0440 0,0334 0,0299
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 FUXIN 4,2A 30V 12V 350mW SMD 90mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
MOT740F TO-220F MOT Transistor N-Kanal MOSFET; 400V; 30V; 580mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 150°C;
MOT740F RoHS || MOT740F TO-220F MOT TO220iso
Hersteller:
MOT-
Hersteller-Teilenummer:
MOT740F RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5409 0,3269 0,2509 0,2272 0,2161
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Standard-Verpackung:
50/200
Menge (mehrere 1)
TO220iso MOT 10A 400V 20V 45W THT 580mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RC3422 SOT23-3 RealChip Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 3A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
RC3422 RoHS || RC3422 SOT23-3 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC3422 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1519 0,0718 0,0403 0,0304 0,0276
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 RealChip 3A 60V 20V 1,6W SMD 130mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RC4812 SOP-8 REALCHIP Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 45mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF9956TRPBF;
RC4812 RoHS || RC4812 SOP-8 REALCHIP SOP08
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC4812 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,1864 0,0935 0,0557 0,0460 0,0414
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOP08 RealChip 6A 30V 20V 2W SMD 45mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
RCD30P03 TO-252 RealChip Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 54mOhm; 25A; 4W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
RCD30P03 RoHS || RCD30P03 TO-252 RealChip TO252
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RCD30P03 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2716 0,1448 0,1126 0,1017 0,0985
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO252 RealChip 25A 30V 20V 4W SMD 54mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 54mOhm; 5,8A; 1,3W; -55°C ~ 150°C;
AO3400 RoHS || AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC SOT23
Hersteller:
EASTRONIC
Hersteller-Teilenummer:
AO3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0921 0,0364 0,0212 0,0155 0,0142
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23-3 EASTRONIC 5,8A 30V 12V 1,3W SMD 54mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
LGE3407 SOT23 LGE Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3400A 003;
LGE3407 RoHS || LGE3407 SOT23 LGE SOT23
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
LGE3407 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2990 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1381 0,0656 0,0368 0,0281 0,0251
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 LGE 4,3A 30V 20V 1,4W SMD 48mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
RC3400A SOT23 RealChip Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; RC3400A;
RC3400A RoHS || RC3400A SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC3400A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1089 0,0499 0,0272 0,0203 0,0182
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 RealChip 5,8A 30V 12V SMD 55mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
NX7002AK-ES RoHS || NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) SOT23
Hersteller:
ElecSuper
Hersteller-Teilenummer:
NX7002AK-ES RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,0978 0,0389 0,0228 0,0168 0,0151
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 10)
SOT23 ElecSuper 300mA 60V 20V 350mW SMD 3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
MOT8205S SOT23 MOT Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 6A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: TSM2302CX; MOT8205SA6;
MOT8205SA6 RoHS || MOT8205S SOT23 MOT SOT23
Hersteller:
MOT-
Hersteller-Teilenummer:
MOT8205SA6 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1284 0,0589 0,0320 0,0239 0,0214
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 MOT 6A 20V 8V 1,14W SMD 32mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
PTD30P25 TO252 HT SEMI Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; ähnlich wie: YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH; PTD30P25; AOD417;
PTD30P25 RoHS || PTD30P25 TO252 HT SEMI DPAK
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PTD30P25 RoHS
Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Preis netto (EUR) 0,2014 0,1114 0,0739 0,0615 0,0575
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Standard-Verpackung:
2500
Menge (mehrere 1)
TO252 HT 25A 30V 20V 38W SMD 29mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; AO3400; YJL3400B;
PT3400 RoHS || PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1266 0,0601 0,0338 0,0258 0,0230
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 HT 5,8A 30V 12V 1,4W SMD 52mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
AO4832 SOP8 XBLW Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AO4832 RoHS || AO4832 SOP8 XBLW SOP08
Hersteller:
XBLW
Hersteller-Teilenummer:
AO4832 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2877 0,1579 0,1036 0,0893 0,0824
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOP08 ALPHA&OMEGA 10A 30V 20V 2W SMD 19mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
LGE50N06D TO252 LGE Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3;
LGE50N06D RoHS || LGE50N06D TO252 LGE TO252
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
LGE50N06D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
 
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2647 0,1457 0,0964 0,0803 0,0755
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO252 LGE 50A 60V 20V 136W SMD 20mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
BSS138BW SOT323 KINGTRONICS Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich wie: BSS138PW,115;
BSS138 RoHS || BSS138BW SOT323 KINGTRONICS SOT323
Hersteller:
KINGTRONICS
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0672 0,0258 0,0126 0,0101 0,0096
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT323 KINGTRONICS 320mA 60V 20V 420mW SMD 1,6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
BSS138BK RoHS || BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
BSS138BK RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
29000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0884 0,0348 0,0203 0,0149 0,0136
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 TECH PUBLIC 360mA 50V 20V 350mW SMD 4,5Ohm -55°C ~ 155°C N-MOSFET
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.