Speicher DRAM (Ergebnisse: 14)
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MT41K512M8DA-107 XIT:P
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 512Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
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Hersteller:
MICRON Hersteller-Teilenummer: MT41K512M8DA-107 XIT:P RoHS Präzisionsgehäuse: FBGA78(9x10.5) |
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10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
MICRON | 8-bit | 512MB | 1,23V~1,45V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | -40°C ~ 95°C | FBGA78(9x10.5) | ||||||||||||
IS43TR16128BL-15HBLI
2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) IS43TR16128BL-15HBLI-TR
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10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
ISSI | 16-bit | 128MB | 1,283~1,45V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | -40°C ~ 95°C | BGA96 | ||||||||||||
KM41256AP-15
1-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
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16 Stk. |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 25 Menge (mehrere 1) |
SAMSUNG | 1-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | 0°C ~ 70°C | PDIP16 | ||||||||||||
KM424C257Z-6
4-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C; ->KM424C257Z
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9 Stk. |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 11 Menge (mehrere 1) |
SAMSUNG | 4-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | 0°C ~ 70°C | ZIP28 | ||||||||||||
Auf Lager:
26 Stk. |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 13 Menge (mehrere 1) |
SAMSUNG | 4-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | 0°C ~ 70°C | ZIP28 | ||||||||||||
MB81C4256A-60P
4-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C; ->MB81C4256A-60P
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10 Stk. |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 20/60 Menge (mehrere 1) |
Fujitsu | 4-bit | 256kB | 4.5~5.5V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | 0°C ~ 70°C | PDIP28 | ||||||||||||
AS4C1M16S-7TCN Alliance Memory, Inc.
IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP SDRAM 16Mb (1M x 16) 3V-3.6V 0+70°C 50-TSOP II
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2 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2 Menge (mehrere 1) |
Alliance Memory | 16-bit | 1MB | 3.0~3.6V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | 0°C ~ 70°C | TSOP50-44 | ||||||||||||
GM71C16403CJ-5 SOJ24
4,194,304 Word x 4 Bit CMOS Dynamic RAM
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1 Stk. |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 1 Menge (mehrere 1) |
Hynix | 4-bit | 4MB | 4,5~5,5V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | 0°C ~ 70°C | SOJ26-24 | ||||||||||||
GM71C16403CJ-6 SOJ24
4,194,304 Word x 4 Bit CMOS Dynamic RAM
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1 Stk. |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 1 Menge (mehrere 1) |
Hynix | 4-bit | 4MB | 4,5~5,5V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | 0°C ~ 70°C | SOJ26-24 | ||||||||||||
IS42S16800F-7TL ISSI
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA IS42S16800F-7TL-TR
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
ISSI | 16-bit | 128MB | 3V~3,6V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | 0°C ~ 70°C | TFBGA54(8x8) | ||||||||||||
IS42S32800J-6TL ISSI
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA
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Hersteller:
Integrated Silicon Solution Inc. Hersteller-Teilenummer: IS42S32800J-6TL RoHS Präzisionsgehäuse: TFBGA96(9x13) |
Auf Lager:
4 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4 Menge (mehrere 1) |
ISSI | 32-bit | 8MB | 3.0~3.6V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | 0°C ~ 70°C | TFBGA96(9x13) | ||||||||||||
IS43TR16128B-125KBL ISSI
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA IS43TR16128B-125KBL-TR
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Auf Lager:
5 Stk. |
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Standard-Verpackung: 160 Menge (mehrere 1) |
ISSI | 16-bit | 128MB | 1,283~1,45V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | 0°C ~ 95°C | TFBGA96(9x13) | ||||||||||||
IS45S32400F-7TLA1 ISSI
32-bit Memory IC; 4Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 143MHz; -40~85°C; Äquivalent: IS45S32400F-7TLA1-TR;
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Auf Lager:
43 Stk. |
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Standard-Verpackung: 43 Menge (mehrere 1) |
ISSI | 32-bit | 4MB | 3.0~3.6V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | -40°C ~ 85°C | TFBGA84 | ||||||||||||
NT5CC128M16IP-DI NANYA
16-bit Memory IC; 128Mb-SDRAM; 1,283~1,45V; 800MHz; -40~95°C; OBSOLETE;
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Auf Lager:
4 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
Nanya | 16-bit | 128MB | 1,283~1,45V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | -40°C ~ 95°C | BGA96 | ||||||||||||
UT51C164JC-35
256Kx16bit EDO DRAM 35ns 5V 0÷70°C
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Hersteller:
UTC Hersteller-Teilenummer: UT51C164JC-35 Präzisionsgehäuse: SOJ40 |
Auf Lager:
357 Stk. |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 17 Menge (mehrere 1) |
Utron | 16-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | NEIN | 0°C ~ 70°C | SOJ40 |
DRAM-Speicher
DRAM (Dynamic Random Access Memory) ist eine wichtige Komponente moderner elektronischer Systeme. Mit seiner einzigartigen Fähigkeit, Daten schnell zu speichern und abzurufen, bildet DRAM-Speicher das Herzstück vieler Geräte – von Servern, die riesige Datenbanken verwalten, bis hin zu kompakten mobilen Geräten, bei denen jede Millisekunde zählt. Wenn Sie sich für DRAM-Speicher von einem zuverlässigen, renommierten Hersteller entscheiden, investieren Sie in eine Lösung, die Zuverlässigkeit und Leistung bietet, die perfekt auf Ihre Bedürfnisse abgestimmt ist.
Was ist DRAM-Speicher und wofür wird er verwendet?
DRAM, oder Dynamic Random Access Memory, ist einer der wichtigsten Speichertypen, die in Computern, Servern und anderen fortschrittlichen elektronischen Geräten verwendet werden. Seine Hauptfunktion besteht darin, Daten vorübergehend zu speichern, die schnell geschrieben und abgerufen werden können. Der Einsatz von DRAM-Speicher beschleunigt die Leistung vieler Systeme erheblich und ermöglicht die gleichzeitige und dennoch reibungslose Ausführung verschiedener Aufgaben.
Wie funktionieren DRAM-Speicherchips?
DRAM-Speicher funktioniert, indem er Daten in Kondensatoren speichert, die regelmäßig aufgefrischt werden müssen, um die gespeicherten Daten zu erhalten. Dieser Datenauffrischungsprozess ist der Grund, warum DRAM als „dynamischer“ Speicher bezeichnet wird. Ein großer Vorteil von DRAM-Chips ist ihre hohe Speicherdichte, die es ermöglicht, mehr Daten auf kleinerem Raum zu speichern. Diese Fähigkeit wirkt sich wiederum auf die Effizienz und Leistung der gesamten Systeme aus, in denen DRAM-Speicher eingesetzt wird.
Worauf sollten Sie bei der Auswahl von DRAM-Speicher achten?
Bei der Auswahl von DRAM-Speicherchips sollten Sie vor allem auf folgende Aspekte achten:
- Speicherkapazität – diese muss immer an die Anforderungen der Anwendung angepasst sein, in der der Chip verwendet wird;
- Bandbreite – je höher die Bandbreite, desto schneller die Datenverarbeitung. Dieser Wert ist besonders wichtig in Anwendungen, die eine hohe Leistung erfordern;
- Versorgungsspannung – die Wahl eines Speichers mit der richtigen Spannung kann die Energieeffizienz des gesamten Systems erheblich beeinflussen;
- Kompatibilität – stellen Sie sicher, dass der von Ihnen gewählte DRAM-Speicher mit den anderen Komponenten Ihres Systems kompatibel ist.
Die in unserem Lager angebotenen DRAM-Speicherchips erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung, selbst in den anspruchsvollsten Anwendungen. Entdecken Sie unser Angebot und finden Sie den DRAM-Speicher, der perfekt zu Ihren Anforderungen passt.