Speicher DRAM (Ergebnisse: 14)

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MT41K512M8DA-107 XIT:P DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 512Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
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MT41K512M8DA-107 XIT:P RoHS || MT41K512M8DA-107 XIT:P FBGA78(9x10.5)
Hersteller:
MICRON
Hersteller-Teilenummer:
MT41K512M8DA-107 XIT:P RoHS
Präzisionsgehäuse:
FBGA78(9x10.5)
 
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
Preis netto (EUR) 15,7993 13,5908 12,1838 11,6712 11,2053
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
MICRON 8-bit 512MB 1,23V~1,45V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN -40°C ~ 95°C FBGA78(9x10.5)
IS43TR16128BL-15HBLI 2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) IS43TR16128BL-15HBLI-TR
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IS43TR16128BL-15HBLI RoHS || IS43TR16128BL-15HBLI BGA96
Hersteller:
Integrated Silicon Solution Inc.
Hersteller-Teilenummer:
IS43TR16128BL-15HBLI RoHS
Präzisionsgehäuse:
BGA96
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 6,9562 6,4064 6,0709 5,9009 5,7960
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
ISSI 16-bit 128MB 1,283~1,45V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN -40°C ~ 95°C BGA96
KM41256AP-15 1-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
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KM41256-15 || KM41256AP-15 PDIP16
Hersteller:
Samsung
Hersteller-Teilenummer:
KM41256-15
Präzisionsgehäuse:
PDIP16
Datenblatt
Auf Lager:
16 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 3+ 5+ 25+
Preis netto (EUR) 1,0856 0,8573 0,7641 0,6733 0,5172
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
SAMSUNG 1-bit 256kB 4,5~5,5V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN 0°C ~ 70°C PDIP16
KM424C257Z-6 4-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C; ->KM424C257Z
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KM424C257Z-6 || KM424C257Z-6 ZIP28
Hersteller:
Samsung
Hersteller-Teilenummer:
KM424C257Z-6
Präzisionsgehäuse:
ZIP28
Datenblatt
Auf Lager:
9 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 3+ 5+ 11+
Preis netto (EUR) 6,8141 5,8962 5,4932 5,0878 4,6359
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
11
Menge (mehrere 1)
SAMSUNG 4-bit 256kB 4,5~5,5V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN 0°C ~ 70°C ZIP28
 
Hersteller:
Samsung
Hersteller-Teilenummer:
KM424C257Z-6
Präzisionsgehäuse:
ZIP28
Datenblatt
Auf Lager:
26 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 13+ 39+ 117+
Preis netto (EUR) 6,8141 5,6073 5,0738 4,7943 4,6359
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
13
Menge (mehrere 1)
SAMSUNG 4-bit 256kB 4,5~5,5V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN 0°C ~ 70°C ZIP28
MB81C4256A-60P 4-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C; ->MB81C4256A-60P
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MB81C4256A-60P || MB81C4256A-60P PDIP28
Hersteller:
Fujitsu
Hersteller-Teilenummer:
MB81C4256A-60P
Präzisionsgehäuse:
PDIP20
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 60+ 180+
Preis netto (EUR) 3,6342 2,9050 2,6208 2,5043 2,4391
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
20/60
Menge (mehrere 1)
Fujitsu 4-bit 256kB 4.5~5.5V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN 0°C ~ 70°C PDIP28
AS4C1M16S-7TCN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP SDRAM 16Mb (1M x 16) 3V-3.6V 0+70°C 50-TSOP II
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AS4C1M16S-7TCN RoHS || AS4C1M16S-7TCN Alliance Memory, Inc. TSOP50-44
Hersteller:
ALLIANCE
Hersteller-Teilenummer:
AS4C1M16S-7TCN RoHS
Präzisionsgehäuse:
TSOP50-44
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 2,5486 2,2178 1,8008 1,6703 1,5934
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
Alliance Memory 16-bit 1MB 3.0~3.6V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN 0°C ~ 70°C TSOP50-44
GM71C16403CJ-5 SOJ24 4,194,304 Word x 4 Bit CMOS Dynamic RAM
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GM71C16403CJ-5 RoHS || GM71C16403CJ-5 SOJ24 SOJ26-24
Hersteller:
HYNIX
Hersteller-Teilenummer:
GM71C16403CJ-5 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOJ26-24
Datenblatt
Auf Lager:
1 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,6435 3,2381 2,9959 2,8747 2,8025
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
1
Menge (mehrere 1)
Hynix 4-bit 4MB 4,5~5,5V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN 0°C ~ 70°C SOJ26-24
GM71C16403CJ-6 SOJ24 4,194,304 Word x 4 Bit CMOS Dynamic RAM
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GM71C16403CJ-6 RoHS || GM71C16403CJ-6 SOJ24 SOJ26-24
Hersteller:
HYNIX
Hersteller-Teilenummer:
GM71C16403CJ-6 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOJ26-24
Datenblatt
Auf Lager:
1 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 2,7233 2,3436 2,1199 2,0104 1,9452
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
1
Menge (mehrere 1)
Hynix 4-bit 4MB 4,5~5,5V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN 0°C ~ 70°C SOJ26-24
IS42S16800F-7TL ISSI DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA IS42S16800F-7TL-TR
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IS42S16800F-7T RoHS || IS42S16800F-7TL ISSI TFBGA54(8x8)
Hersteller:
Integrated Silicon Solution Inc.
Hersteller-Teilenummer:
IS42S16800F-7T RoHS
Präzisionsgehäuse:
TFBGA54(8x8)
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 4,6475 3,7180 3,3569 3,1636 3,1193
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
ISSI 16-bit 128MB 3V~3,6V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN 0°C ~ 70°C TFBGA54(8x8)
IS42S32800J-6TL ISSI DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA
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IS42S32800J-6TL RoHS || IS42S32800J-6TL ISSI TFBGA96(9x13)
Hersteller:
Integrated Silicon Solution Inc.
Hersteller-Teilenummer:
IS42S32800J-6TL RoHS
Präzisionsgehäuse:
TFBGA96(9x13)
 
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 40+ 100+
Preis netto (EUR) 6,9375 6,2922 5,9381 5,8543 5,7820
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Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
ISSI 32-bit 8MB 3.0~3.6V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN 0°C ~ 70°C TFBGA96(9x13)
IS43TR16128B-125KBL ISSI DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA IS43TR16128B-125KBL-TR
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IS43TR16128B-125KBL RoHS || IS43TR16128B-125KBL ISSI TFBGA96(9x13)
Hersteller:
Integrated Silicon Solution Inc.
Hersteller-Teilenummer:
IS43TR16128B-125KBL RoHS
Präzisionsgehäuse:
TFBGA96(9x13)
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 40+ 160+
Preis netto (EUR) 5,1298 4,5730 4,2375 4,0418 3,9463
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Standard-Verpackung:
160
Menge (mehrere 1)
ISSI 16-bit 128MB 1,283~1,45V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN 0°C ~ 95°C TFBGA96(9x13)
IS45S32400F-7TLA1 ISSI 32-bit Memory IC; 4Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 143MHz; -40~85°C; Äquivalent: IS45S32400F-7TLA1-TR;
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IS45S32400F-7TLA1 RoHS || IS45S32400F-7TLA1 ISSI TFBGA84
Hersteller:
Integrated Silicon Solution Inc.
Hersteller-Teilenummer:
IS45S32400F-7TLA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TFBGA84
Datenblatt
Auf Lager:
43 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 43+ 129+
Preis netto (EUR) 3,9230 3,4921 3,2335 3,0774 3,0168
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Standard-Verpackung:
43
Menge (mehrere 1)
ISSI 32-bit 4MB 3.0~3.6V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN -40°C ~ 85°C TFBGA84
NT5CC128M16IP-DI NANYA 16-bit Memory IC; 128Mb-SDRAM; 1,283~1,45V; 800MHz; -40~95°C; OBSOLETE;
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NT5CC128M16IP-DI RoHS || NT5CC128M16IP-DI NANYA BGA96
Hersteller:
NANYA
Hersteller-Teilenummer:
NT5CC128M16IP-DI RoHS
Präzisionsgehäuse:
BGA96
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,6854 3,2777 3,0308 2,9097 2,8351
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
Nanya 16-bit 128MB 1,283~1,45V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN -40°C ~ 95°C BGA96
UT51C164JC-35 256Kx16bit EDO DRAM 35ns 5V 0÷70°C
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UT51C164JC-35 || UT51C164JC-35 SOJ40
Hersteller:
UTC
Hersteller-Teilenummer:
UT51C164JC-35
Präzisionsgehäuse:
SOJ40
 
Auf Lager:
357 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 17+ 68+ 272+
Preis netto (EUR) 1,2836 0,9295 0,7711 0,7035 0,6756
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
17
Menge (mehrere 1)
Utron 16-bit 256kB 4,5~5,5V NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN NEIN 0°C ~ 70°C SOJ40

DRAM-Speicher

DRAM (Dynamic Random Access Memory) ist eine wichtige Komponente moderner elektronischer Systeme. Mit seiner einzigartigen Fähigkeit, Daten schnell zu speichern und abzurufen, bildet DRAM-Speicher das Herzstück vieler Geräte – von Servern, die riesige Datenbanken verwalten, bis hin zu kompakten mobilen Geräten, bei denen jede Millisekunde zählt. Wenn Sie sich für DRAM-Speicher von einem zuverlässigen, renommierten Hersteller entscheiden, investieren Sie in eine Lösung, die Zuverlässigkeit und Leistung bietet, die perfekt auf Ihre Bedürfnisse abgestimmt ist.

Was ist DRAM-Speicher und wofür wird er verwendet?

DRAM, oder Dynamic Random Access Memory, ist einer der wichtigsten Speichertypen, die in Computern, Servern und anderen fortschrittlichen elektronischen Geräten verwendet werden. Seine Hauptfunktion besteht darin, Daten vorübergehend zu speichern, die schnell geschrieben und abgerufen werden können. Der Einsatz von DRAM-Speicher beschleunigt die Leistung vieler Systeme erheblich und ermöglicht die gleichzeitige und dennoch reibungslose Ausführung verschiedener Aufgaben.

Wie funktionieren DRAM-Speicherchips?

DRAM-Speicher funktioniert, indem er Daten in Kondensatoren speichert, die regelmäßig aufgefrischt werden müssen, um die gespeicherten Daten zu erhalten. Dieser Datenauffrischungsprozess ist der Grund, warum DRAM als „dynamischer“ Speicher bezeichnet wird. Ein großer Vorteil von DRAM-Chips ist ihre hohe Speicherdichte, die es ermöglicht, mehr Daten auf kleinerem Raum zu speichern. Diese Fähigkeit wirkt sich wiederum auf die Effizienz und Leistung der gesamten Systeme aus, in denen DRAM-Speicher eingesetzt wird.

Worauf sollten Sie bei der Auswahl von DRAM-Speicher achten?

Bei der Auswahl von DRAM-Speicherchips sollten Sie vor allem auf folgende Aspekte achten:

  • Speicherkapazität – diese muss immer an die Anforderungen der Anwendung angepasst sein, in der der Chip verwendet wird;
  • Bandbreite – je höher die Bandbreite, desto schneller die Datenverarbeitung. Dieser Wert ist besonders wichtig in Anwendungen, die eine hohe Leistung erfordern;
  • Versorgungsspannung – die Wahl eines Speichers mit der richtigen Spannung kann die Energieeffizienz des gesamten Systems erheblich beeinflussen;
  • Kompatibilität – stellen Sie sicher, dass der von Ihnen gewählte DRAM-Speicher mit den anderen Komponenten Ihres Systems kompatibel ist.

Die in unserem Lager angebotenen DRAM-Speicherchips erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung, selbst in den anspruchsvollsten Anwendungen. Entdecken Sie unser Angebot und finden Sie den DRAM-Speicher, der perfekt zu Ihren Anforderungen passt.