2N5401 DIOTEC

Symbol Micros: T2N5401 DIOTEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92ammoformed
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General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Parameter
Verlustleistung: 625mW
Grenzfrequenz: 400MHz
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: DIOTEC
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N5401 RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
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3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 4000+
Nettopreis (EUR) 0,0914 0,0362 0,0212 0,0156 0,0141
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Standard-Verpackung:
4000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-06-06
Anzahl Stück: 4000
Verlustleistung: 625mW
Grenzfrequenz: 400MHz
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: DIOTEC
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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