2N5401 DIOTEC
Symbol Micros:
T2N5401 DIOTEC
Gehäuse: TO92ammoformed
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Parameter
Verlustleistung: | 625mW |
Grenzfrequenz: | 400MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
Hersteller: | DIOTEC |
Gehäuse: | TO92 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 150V |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: 2N5401 RoHS
Gehäuse: TO92ammoformed
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 4000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,0910 | 0,0360 | 0,0211 | 0,0155 | 0,0140 |
Hersteller: MEAN WELL
Hersteller-Teilenummer: 2N5401
Gehäuse: TO92ammoformed
Externes Lager:
1717 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0140 |
Verlustleistung: | 625mW |
Grenzfrequenz: | 400MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
Hersteller: | DIOTEC |
Gehäuse: | TO92 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 150V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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