2N5551

Symbol Micros: T2N5551
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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NPN 600mA 160V 625mW NPN 600mA 160V 625mW
Parameter
Verlustleistung: 630mW
Hersteller: DISCRETE SEMICONDUCTORS
Gehäuse: TO92
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 630mW
Hersteller: DISCRETE SEMICONDUCTORS
Gehäuse: TO92
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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