2N5551
Symbol Micros:
T2N5551
Gehäuse: TO92
NPN 600mA 160V 625mW NPN 600mA 160V 625mW
Parameter
| Verlustleistung: | 630mW |
| Hersteller: | DISCRETE SEMICONDUCTORS |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | TO92 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 300mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
Hersteller: MIC
Hersteller-Teilenummer: 2N5551 RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0793 | 0,0314 | 0,0185 | 0,0136 | 0,0122 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N5551BU
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
10000 stk.
| Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0357 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N5551TA
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
10000 stk.
| Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0349 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N5551TA
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
18000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0357 |
| Verlustleistung: | 630mW |
| Hersteller: | DISCRETE SEMICONDUCTORS |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | TO92 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 300mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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