2N6491G

Symbol Micros: T2N6491 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Parameter
Verlustleistung: 75W
Hersteller: ONSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 130
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 5MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N6491G RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9876 0,6537 0,5032 0,4797 0,4703
Standard-Verpackung:
50/150
Verlustleistung: 75W
Hersteller: ONSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 130
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 5MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP
Transistorsysteme [J/N]: N/A