2N6491G

Symbol Micros: T2N6491 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Parameter
Verlustleistung: 75W
Hersteller: ONSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 130
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 5MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2N6491G RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9820 0,6500 0,5004 0,4770 0,4676
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Standard-Verpackung:
50/150
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2N6491G Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5554
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 75W
Hersteller: ONSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 130
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 5MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP
Transistorsysteme [J/N]: N/A

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