2N6491G
Symbol Micros:
T2N6491 ONS
Gehäuse: TO220
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Parameter
| Verlustleistung: | 75W |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Gehäuse: | TO220 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 130 |
| Grenzfrequenz: | 5MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 15A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: 2N6491G RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9918 | 0,6565 | 0,5053 | 0,4817 | 0,4723 |
| Verlustleistung: | 75W |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Gehäuse: | TO220 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 130 |
| Grenzfrequenz: | 5MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 15A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
| Transistorsysteme [J/N]: | N/A |
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| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,5431 | 0,3448 | 0,2716 | 0,2479 | 0,2361 |
Standard-Verpackung: 50/1000
Menge (Vielfache 1)
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Hersteller-Teilenummer:
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Gehäuse:
TO220
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| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,5856 | 0,3542 | 0,2716 | 0,2456 | 0,2338 |
Standard-Verpackung: 50/200
Menge (Vielfache 1)
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