2SA1013 TO92 LGE

Symbol Micros: T2SA1013 TO92 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 900mW; TO92 2SA1013-LGE;
Parameter
Verlustleistung: 900mW
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: TO92
Grenzfrequenz: 15MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2SA1013 RoHS Gehäuse: TO92L (TO-226) Long Body 8mm Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1942 0,0777 0,0452 0,0376 0,0353
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 900mW
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: TO92
Grenzfrequenz: 15MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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