2SA1943-O

Symbol Micros: T2SA1943o
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: 2-21F1A
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Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 150W
Hersteller: TOSHIBA
Gehäuse: 2-21F1A
Stromverstärkungsfaktor: 160
Grenzfrequenz: 30MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 230V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SA1943-O(Q) RoHS Gehäuse: 2-21F1A Datenblatt
Auf Lager:
135 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,0949 1,6618 1,5017 1,4217 1,3958
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Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 150W
Hersteller: TOSHIBA
Gehäuse: 2-21F1A
Stromverstärkungsfaktor: 160
Grenzfrequenz: 30MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 230V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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