2SA1943-O

Symbol Micros: T2SA1943o

Gehäuse: 2-21F1A

Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	150W
Hersteller:	TOSHIBA
Stromverstärkungsfaktor:	160
Gehäuse:	2-21F1A
Grenzfrequenz:	30MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	230V

Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SA1943-O(Q) RoHS Gehäuse: 2-21F1A Datenblatt

Auf Lager:

240 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	2,6283	2,0810	1,8767	1,7757	1,7522

Verlustleistung:	150W
Hersteller:	TOSHIBA
Stromverstärkungsfaktor:	160
Gehäuse:	2-21F1A
Grenzfrequenz:	30MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	230V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,9448	1,5432	1,3811	1,3200	1,2965

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,7686	1,4046	1,2566	1,2002	1,1791

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,4915	1,0429	0,8714	0,8103	0,7845

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,5103	1,1204	0,9560	0,8996	0,8878

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,5103	1,1204	0,9560	0,8996	0,8878