2SD2390 JSMICRO

Symbol Micros: T2SD2390 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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NPN Darlington-Transistor; 5000; 100W; 150V; 10A; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 100W
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 5000
Gehäuse: TO 3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2SD2390 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7947 1,3313 1,1361 1,0702 1,0561
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Standard-Verpackung:
30
Verlustleistung: 100W
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 5000
Gehäuse: TO 3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington NPN

Symbol Micros

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