2SK2545

Symbol Micros: T2SK2545
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 1,25 Ohm; 6A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STF5N62K3; NDF06N60ZG; STP6NK60ZFP; 2SK2545-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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