AO3409
 Symbol Micros:
 
 TAO3409 
 
  
 
 
 
 
 Gehäuse: SOT23
 
 
 
 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 180 mOhm; 2,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; 
 
 
 
 Parameter 
 
 	
		
											
 
 
 
 | Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 2,6A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W | 
| Gehäuse: | SOT23 | 
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V | 
| Transistor-Typ: | P-MOSFET | 
 
 
 Hersteller: ALPHA&OMEGA
 
 
 Hersteller-Teilenummer: AO3409 RoHS
 
 
 Gehäuse: SOT23t/r
 
 
 
  
 
 
 
 
 
 Auf Lager:
 
 
 235 stk.
 
 
 | Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ | 
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2130 | 0,1174 | 0,0777 | 0,0648 | 0,0608 | 
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 2,6A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W | 
| Gehäuse: | SOT23 | 
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V | 
| Transistor-Typ: | P-MOSFET | 
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V | 
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C | 
| Montage: | SMD | 
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