AOD409 UMW

Symbol Micros: TAOD409 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: AOD409 Alpha&Omega Semiconductor AOS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: AOD409 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4398 0,2667 0,2044 0,1843 0,1754
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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