AOD4189
 Symbol Micros:
 
 TAOD4189 
 
  
 
 
 
 
 Gehäuse: TO252
 
 
 
 P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 33mOhm; 40A; 62,5 W; -55 °C ~ 175 °C; 
 
 
 
 Parameter 
 
 	
		
											
 
 
 
 | Widerstand im offenen Kanal: | 33mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 40A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 62,5W | 
| Gehäuse: | TO252 | 
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V | 
| Transistor-Typ: | P-MOSFET | 
 
 
 Hersteller: ALPHA&OMEGA
 
 
 Hersteller-Teilenummer: AOD4189 RoHS
 
 
 Gehäuse: TO252t/r
 
 
 
  
 
 
 
 
 
 Auf Lager:
 
 
 3924 stk.
 
 
 | Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4886 | 0,2959 | 0,2271 | 0,2048 | 0,1950 | 
| Widerstand im offenen Kanal: | 33mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 40A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 62,5W | 
| Gehäuse: | TO252 | 
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V | 
| Transistor-Typ: | P-MOSFET | 
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V | 
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C | 
| Montage: | SMD | 
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