AP2311GN-HF-3-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TAP2311gn-hf-3 CNB

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 200mOhm; 1,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AP2311GN-HF-3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	1,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,5W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: AP2311GN-HF-3-CN RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

2800 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2243	0,1138	0,0688	0,0547	0,0498

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	1,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,5W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2850	0,1515	0,1175	0,1084	0,1038

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2850	0,1515	0,1175	0,1084	0,1038

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2850	0,1515	0,1175	0,1084	0,1038