BC337-40

Symbol Micros: TBC33740cd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92bul
Transistor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 625mW
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: TO92bul
Grenzfrequenz: 210MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC337-40 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
29550 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,0797 0,0315 0,0186 0,0137 0,0122
Standard-Verpackung:
1000/10000
Verlustleistung: 625mW
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: TO92bul
Grenzfrequenz: 210MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN