BC337-40

Symbol Micros: TBC33740cd

Gehäuse: TO92bul

Transistor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	625mW
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	630
Gehäuse:	TO92bul
Grenzfrequenz:	210MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC337-40 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt

Auf Lager:

18550 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,0801	0,0316	0,0187	0,0137	0,0123

Verlustleistung:	625mW
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	630
Gehäuse:	TO92bul
Grenzfrequenz:	210MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	10+	50+	300+	2000+	10000+
Nettopreis (EUR)	0,0817	0,0326	0,0174	0,0134	0,0126

Anzahl Stück	10+	50+	300+	2000+	10000+
Nettopreis (EUR)	0,0817	0,0326	0,0174	0,0134	0,0126

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2317	0,1159	0,0692	0,0571	0,0515