BC337-40

Symbol Micros: TBC33740cd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92bul
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Transistor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 625mW
Hersteller: LGE
Grenzfrequenz: 210MHz
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: TO92bul
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC337-40 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
11550 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,0887 0,0353 0,0207 0,0152 0,0136
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Standard-Verpackung:
1000/10000
Verlustleistung: 625mW
Hersteller: LGE
Grenzfrequenz: 210MHz
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: TO92bul
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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