BC639-16 LGE

Symbol Micros: TBC63916
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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NPN 1A 80V 800mW 150MHz NPN 1A 80V 800mW 150MHz
Parameter
Verlustleistung: 625mW
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO92
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC639-16 RoHS Gehäuse: TO92amm Datenblatt
Auf Lager:
2970 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1272 0,0486 0,0275 0,0226 0,0212
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Standard-Verpackung:
1000/7000
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC639-16 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1272 0,0486 0,0275 0,0226 0,0212
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Standard-Verpackung:
1000/8000
Verlustleistung: 625mW
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO92
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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