BC807-40,215
Symbol Micros:
TBC80740
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Ersatz: BC807-40,235; BC807-40,215; (BC807-40/DG/B4R); BC807-40 smd; BC807-40.215;
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 600 |
| Grenzfrequenz: | 80MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BC807-40,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
21554 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0789 | 0,0304 | 0,0148 | 0,0118 | 0,0113 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BC807-40,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
736000 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0237 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 600 |
| Grenzfrequenz: | 80MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
Ausführliche Beschreibung
Transistor Typ: PNP
Polarisation: bipolar
Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Kollektorstrom: 500mA
Leistung: 250mW
Gehäuse: SOT23
Montage: SMD
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