BC807-40W,115 JSMICRO

Symbol Micros: TBC80740w JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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PNP-Transistor; 600; 200mW, 45V; 500mA; 80MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC807-40W,115; BC807-40W,135; BC807-40WT1G; BC807-40WE6433, BC807-40WH6327; BC807-40WH6433; BC807-40W RFG; BC807-40W-7; BC807-40W-TP; BC807-40W_R1_00001;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 80MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 80MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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