BC817-16 Diodes

Symbol Micros: TBC81716 DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN 45V 800mA 310mW 100MHz NPN 45V 800mA 310mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 310mW
Hersteller: DIOTEC
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 310mW
Hersteller: DIOTEC
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole