BC817-40W,115

Symbol Micros: TBC81740w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor NPN; 600; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 600; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817-40W,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2760 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1110 0,0437 0,0255 0,0187 0,0171
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole