Verlustleistung:
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250mW |
Grenzfrequenz:
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100MHz |
Stromverstärkungsfaktor:
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800 |
Hersteller:
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NXP |
Gehäuse:
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SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]:
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100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:
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45V |
Betriebstemperatur (Bereich):
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-65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ:
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NPN |
Ausführliche Beschreibung
BC847C-Transistor – bipolaire NPN-Element. Dieses Element gehört zur Gruppe C dieser Transistorfamilie, was einen hohen Stromverstärkungsfaktor bedeutet. Er liegt je nach Emitterstrom zwischen 420 und 800, wenn am Kollektor-Emitter-Übergang 5V angelegt werden. Der BC847C-Transistor kann bei schnell wechselnden Spannungen arbeiten – die Grenzfrequenz liegt bei mindestens 100MHz. Die zulässige Kollektor-Emitter-Spannung beträgt 45V (bei offener Basis). Der Kollektorstrom ist auf 100mA als Festwert und 200mA im Impulsbetrieb begrenzt. Die maximale Verlustleistung beträgt 250MW. Der BC847C SMD Transistor hat in dieser Version ein 3 × 2 mm SOT23 Gehäuse.