BC847C smd

Symbol Micros: TBC847c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz NPN 100mA 45V 225mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC847C,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
38300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1693 0,0803 0,0453 0,0343 0,0308
Standard-Verpackung:
3000/60000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BC847C,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
253500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0441
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN
Ausführliche Beschreibung

BC847C-Transistor – bipolaire NPN-Element. Dieses Element gehört zur Gruppe C dieser Transistorfamilie, was einen hohen Stromverstärkungsfaktor bedeutet. Er liegt je nach Emitterstrom zwischen 420 und 800, wenn am Kollektor-Emitter-Übergang 5V angelegt werden. Der BC847C-Transistor kann bei schnell wechselnden Spannungen arbeiten – die Grenzfrequenz liegt bei mindestens 100MHz. Die zulässige Kollektor-Emitter-Spannung beträgt 45V (bei offener Basis). Der Kollektorstrom ist auf 100mA als Festwert und 200mA im Impulsbetrieb begrenzt. Die maximale Verlustleistung beträgt 250MW. Der BC847C SMD Transistor hat in dieser Version ein 3 × 2 mm SOT23 Gehäuse.