BC847S LMSEMI

Symbol Micros: TBC847s LMS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Transistor 2xNPN; 630; 200mW; 45V; 100mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC847SE6327BTSA1; BC847SE6433BTMA1; BC847SH6327XTSA1; BC847SH6359XTMA1; BC847SH6433XTMA1; BC847SH6727XTSA1; BC847SH6730XTMA1; BC847SH6827XTSA1; BC847SH RFG
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: LMSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: LMSEMI Hersteller-Teilenummer: BC847S RoHS 1C Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0815 0,0322 0,0187 0,0137 0,0125
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: LMSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN