BC847S LMSEMI

Symbol Micros: TBC847s LMS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Transistor 2xNPN; 630; 200mW; 45V; 100mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC847SE6327BTSA1; BC847SE6433BTMA1; BC847SH6327XTSA1; BC847SH6359XTMA1; BC847SH6433XTMA1; BC847SH6727XTSA1; BC847SH6730XTMA1; BC847SH6827XTSA1; BC847SH RFG
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: LMSEMI
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 630
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: LMSEMI
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 630
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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