BC850C smd ONS
Symbol Micros:
TBC850c
Gehäuse: SOT23
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz NPN 100mA 45V 225mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC850CLT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
84000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0109 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC850CLT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
456000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0103 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC850CLT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
63000 stk.
Anzahl Stück | 15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0088 |
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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