BC856B smd NXP

Symbol Micros: TBC856b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC856B,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
41924 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0803 0,0318 0,0185 0,0135 0,0124
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP