BC856B smd NXP
Symbol Micros:
TBC856b
Gehäuse: SOT23
PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BC856B,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
28844 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1508 | 0,0716 | 0,0404 | 0,0305 | 0,0274 |
Hersteller: Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer: BC856B-TP
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
1092000 stk.
| Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0274 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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