BC857B NXP
Symbol Micros:
TBC857b
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Ersatz: BC857BLT1G; BC857B RF; BC857B-7-F; BC857B,235; BC857B,215; BC857B-13-F; BC857B,215; BC857B-DIO; BC857B.215;
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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