BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR

Symbol Micros: TBC857c ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC857CLT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2600 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0893 0,0353 0,0205 0,0150 0,0137
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC857CLT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0403
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-02-28
Anzahl Stück: 3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-02-28
Anzahl Stück: 3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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