BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR

Symbol Micros: TBC857c ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC857CLT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2600 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1974 0,0937 0,0526 0,0401 0,0359
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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