BC859C smd

Symbol Micros: TBC859c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 100mA 30V 250mW 100MHz 420 < beta < 800 PNP 100mA 30V 250mW 100MHz 420 < beta < 800
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: BC859C .3G RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0638 0,0246 0,0120 0,0095 0,0091
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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