BCP56,115

Symbol Micros: TBCP56 NEXPERIA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Transistor GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 Transistor GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73
Parameter
Verlustleistung: 650mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 180MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 650mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 180MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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