BCP69-25 JGSEMI

Symbol Micros: TBCP69-25 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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PNP-Transistor; 375; 1W; 20V; 1A; 40MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BCP69-25,115; BCP69-25,135; BCP69-25E6327; BCP6925E6327HTSA1; BCP6925H6327XTSA1; BCP6925TA; BCP6925TC; BCP69-25-TP;
Parameter
Verlustleistung: 1W
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 375
Grenzfrequenz: 40MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 1W
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 375
Grenzfrequenz: 40MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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