BCP69 JGSEMI

Symbol Micros: TBCP69 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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PNP-Transistor; 375; 1,35W, 20V; 1A; 40MHz, -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BCP69,115; BCP69,135; BCP69T1G; BCP69E6327;
Parameter
Verlustleistung: 1,35W
Hersteller: JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 375
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 40MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BCP69 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2648 0,1327 0,0790 0,0655 0,0589
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 1,35W
Hersteller: JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 375
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 40MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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