BCV26 JGSEMI

Symbol Micros: TBCV26 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP Darlington-Transistor; 20000; 200mW; 30V; 500mA; 220MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BCV26,215; BCV26,235; BCV26E6327HTSA1;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Grenzfrequenz: 220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BCV26 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1774 0,0842 0,0473 0,0359 0,0322
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Grenzfrequenz: 220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington PNP

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