BCV27,215

Symbol Micros: TBCV27

Gehäuse: SOT23

Transistor NPN; 20000; 350mW; 30V; 1,2A; 220MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 20000; 350mW; 30V; 1,2A; 220MHz; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	350mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	20000
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCV27,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

2700 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2093	0,1060	0,0642	0,0509	0,0465

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCV27 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

210 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2093	0,1060	0,0642	0,0509	0,0465

Verlustleistung:	350mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	20000
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1530	0,0612	0,0355	0,0297	0,0278