BCV46 JGSEMI

Symbol Micros: TBCV46 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
PNP Darlington-Transistor; 10000; 200mW; 60V; 500mA; 220MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BCV46,215; BCV46E6327HTSA1; BCV46TA; BCV46TC;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BCV46 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1766 0,0838 0,0471 0,0358 0,0321
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole