BCV48 JGSEMI

Symbol Micros: TBCV48 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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PNP Darlington-Transistor; 10000; 500mW; 100V; 2A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BCV48,115; BCV48E6327HTSA1; BCV48H6327XTSA1; BCV48TA;
Parameter
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT89
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT89
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington PNP

Symbol Micros

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