BCX51 JGSEMI
Symbol Micros:
TBCX51 JGS
Gehäuse: SOT89
PNP-Transistor; 250; 1,3W, 45V; 1A; 50MHz, -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BCX51,115; BCX51E6327HTSA1; BCX51H6327XTSA1; BCX51TA; BCX51-TP;
Parameter
| Verlustleistung: | 1,3W |
| Hersteller: | JGSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT89 |
| Grenzfrequenz: | 50MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 1,3W |
| Hersteller: | JGSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT89 |
| Grenzfrequenz: | 50MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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