BCX52 LMSEMI

Symbol Micros: TBCX52 LMS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
PNP-Transistor; 250; 500mW, 60V; 1A; 50MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BCX52,115; BCX52E6327HTSA1; BCX52H6327XTSA1; BCX52TA; BCX52-TP;
Parameter
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: LMSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: LMSEMI Hersteller-Teilenummer: BCX52 RoHS AE Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,2072 0,0829 0,0481 0,0403 0,0376
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: LMSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole