BCX5316TA

Symbol Micros: TBCX5316TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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Transistor GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Transistor GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT89
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX5316TA RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
230 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2952 0,1570 0,1218 0,1124 0,1077
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT89
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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