BD135-16

Symbol Micros: TBD13516 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
Tranzystor NPN; 250; 8W; 45V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Podobny do : BD135-16-CDI; TBD135.16; BD135.16; BD135-16-LGE;
Parameter
Verlustleistung: 8W
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO126
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 190MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BD135-16 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2181 0,1103 0,0665 0,0526 0,0485
Standard-Verpackung:
500/2000
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BD135-16 RoHS Gehäuse: TO126bulk Datenblatt
Auf Lager:
2370 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2181 0,1103 0,0665 0,0526 0,0485
Standard-Verpackung:
500/2000
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BD135.16 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
3400 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0790
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 8W
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO126
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 190MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN