BD139-16 JSMICRO

Name: TBD13916 JSM TBD13916 JSM
Brand: JSMSEMI
SKU: TBD13916JSM
Price: 0.0588 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBD13916 JSM

Gehäuse: TO126

NPN-Transistor; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI;

Parameter

Verlustleistung:	8W
Hersteller:	JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor:	250
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	190MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD139-16 RoHS Gehäuse: TO126bulk Datenblatt

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2647	0,1338	0,0808	0,0638	0,0588

Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: BD139-16 RoHS Gehäuse: TO126bulk

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2647	0,1338	0,0808	0,0638	0,0588

Verlustleistung:	8W
Hersteller:	JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor:	250
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	190MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	5+	10+	50+	300+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2151	0,1555	0,0905	0,0681	0,0614

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2718	0,1730	0,1212	0,1054	0,0986